Установка для изучения скорости роста кристаллов

Рис. 3.11. Схема установки для изучения скорости линейного роста единичного кристалла / —микроскоп 2 —циркуляционный насос 3 —проволочный держатель —кристалл 5 —термопара 5 —термостат.

В промышленных аппаратах кристаллы чаще всего находятся во взвешенном состоянии в массе жидкого раствора. Экспериментальная установка для изучения скорости роста кристаллов в этих условиях приведена на рис. 3.12. В вертикальную стеклянную трубу помещается монофракционная навеска кристаллов, которые увеличивают размеры за счет контакта с циркулирующим раствором постоянной температуры и пересыщения. Средняя относительная скорость движения кристаллов и раствора зависит от интенсивности циркуляции. Скорость роста кристаллов (усредненную по всем кристаллам) определяют взвешиванием навески через определенные промежутки времени после начала опыта. Такая методика позволяет получать более достоверные экспериментальные результаты в условиях, достаточно приближенных к реальным условиям массовой кристаллизации. Пересыщение не должно быть слишком высоким, чтобы не происходило образования новых зародышей. [c.160]

Принципиальная схема установки [20] для изучения скорости роста единичного кристалла 4, закрепленного на конце проволочного держателя 5 представлена на рис. 3.11. Увеличение линейных размеров кристалла фиксируется с помощью передвижного микроскопа 1. Термостатом 6 поддерживается постоянная температура процесса. Величина пересыщения в течение одного опыта практически неизменна ввиду большого количества циркулирующего раствора. Эта схема позволяет исследовать зависимость скорости роста кристалла от пересыщения раствора, его температуры и скорости обтекания кристалла. [c.160]

Схема установки для изучения скорости роста одиночного кристалла [9, 19], закрепляемого на конце тонкого держателя, показана на рис. 3.11. Линейный размер кристалла измеряется [c.180]

В условиях работы промышленных аппаратов кристаллы чаще всего находятся в массе жидкого раствора во взвешенном состоянии. Схема экспери.ментальной установки для изучения скорости роста кристаллов в таких условиях приведена на рис. 3.12. В вертикальную трубу помещается монофракционная навеска ясходны.х кристаллов. Усредненная скорость роста кристаллов определяется взвешиванием навески через определенные про.межутки времени от начала опыта. Иной, технически более простой способ состоит в непрерывном измерении концентрации раствора и последующем дифференцировании получаемой зависимости С(т ), что дает возможность с помощью материального баланса вычислить Х(П). [c.181]