Величина пересыщения

Электролит в осадок начнет выпадать только тогда, когда произведение активностей его ионов станет больше произведения растворимости, т. е. при Lp >Lp . Если осадок не выделяется, то раствор называют пересыщенным и в нем заторможен процесс кристаллизации. Величину пересыщения вычисляют по формуле Сщ— С =/ , где Ст— концентрация пересыщенного раствора, — концентрация насыщенного раствора, р — пересыщение. Относительное пересыщение выражают формулой [c.71]

Самопроизвольный переход вещества в твердую фазу возможен при некотором пересыщении или переохлаждении отвердевающей фазы. Как известно, пересыщение пара достигается при некотором давлении Р, превышающем давление насыщенного пара Рнас Р — Рнас= Р, где АР — величина пересыщения. Степень пересыщения выражается отношением Р/Рнас = У- Точно так же пересыщение раствора представляет собой разность С —Снас=АС, где С — концентрация пересыщенного раствора С ас — равновесная концентрация твердого вещества (его растворимость). [c.144]

В табл. 3.9 представлены значения величины пересыщения и скорости зародышеобразования, определенной по соотношению [c.318]

Как и следовало ожидать, большой величине пересыщения соответствует и большая скорость образования зародыщей. [c.319]

Растворимость бикарбоната кальция при углекислотном равновесии пластовой воды с атмосферным воздухом значительно ниже, чем при пластовых (либо промежуточных) условиях. Поэтому пластовые воды при очистке их в сооружениях открытого типа почти всегда имеют некоторое пересыщение бикарбонатом кальция. Величина пересыщения, равная разности между общим и равновесным его содержанием, показывает количество осадка, которое может образовываться при разложении избытка бикарбоната. Однако равновесное содержание бикарбоната кальция, соответствующее какому-либо химическому составу воды, не может быть найдено расчетом, который применим только для простых смесей электролитов, не имеющих общих с бикарбонатом кальция ионов [2—4]. Поэтому соответствующая величина находилась экспериментально. [c.92]

Таким образом, скорость роста кристаллов пропорциональна абсолютной величине пересыщения. Для образования крупнокристаллических осадков скорость роста кристаллов должна быть значительно больше, чем скорость зародышеобразования. Этому способствует перемешивание, которое, с одной стороны,. предотвраш,ает локальное обеднение раствора, окружающего [c.201]

Цементные зерна под действием воды образуют пересыщенный раствор, из которого выделяется гелеобразная масса кристаллов. Цементное тесто пластично и состоит из непрореагировавших частиц цемента, межзернового пространства, заполненного водным раствором электролита и единичными кристаллами Са(ОН)а и эттрингита. Появление зародышей новой фазы, их размеры и скорость роста кристаллов обусловлены величиной пересыщения жидкой фазы цементно-водной суспензии при растворении клинкерных минералов. Вероятность образования зародышей определяется формулой М. Фольмера [c.335]

Если рост граней кристалла при электроосаждении происходит за счет образования двухмерных зародышей на металле, ионы которого разряжаются, то необходимо определенное минимальное скоп.я ние частиц на поверхности осаждения. Для описания свойств такой системы вводим понятие о краевом натяжении р, которое является аналогом поверхностной работы. Формула Томпсона, связывающая критический радиус зародыша с величиной пересыщения, в этом случае примет вид [c.239]

Разрущение и исчезновение элементов первоначально образовавшегося кристаллического каркаса цементного камня неизбежно приводит к уменьшению его прочности, которое, однако, может несколько компенсироваться уплотнением системы при кристаллизации вторичных гидратных фаз. Поэтому для предотвращения явлений перекристаллизации необходимо поддерживать величину пересыщения жидкой фазы примерно на одном уровне или добиваться таких условий твердения, при которых на начальных стадиях гидратации возникают стабильные гидратные фазы. [c.354]

Условия приготовления катализаторов позволяют в широких пределах менять величину пересыщения. При приготовлении окисных или металлических катализаторов пересыщение можно регулировать, изменяя давление выделяющегося газа или давление газа-восстановителя, а также температуру. Изменение свободной энергии может быть рассчитано по формуле [c.137]

Таким образом в теории пересыщения впервые дана количественная трактовка связи свободной энергии поверхности с ее активностью. Эту связь в некоторых случаях можно охарактеризовать количественно, рассчитав величину пересыщения при приготовлении катализаторов. [c.138]

Величина пересыщения (переохлаждения) определяет вероятность образования зародышей, их размер и число. При значительных пересыщениях образование зародышей облегчается, критический радиус зародыша уменьшается и вследствие этого возрастает число центров кристаллизации. Таким образом, при значительных пересыщениях создаются условия, способствующие росту поликристалла. [c.58]

Приведенные уравнения позволяют, задав практически обнаруживаемую скорость процесса и, найти равновесные значения г, а следовательно и величину пересыщения р1р°. Более подробно вопрос образования зародышей новой фазы рассматривается в специальных курсах и монографиях (см. [5, с. 316]). [c.72]

Как указывалось ранее (см. гл. IV), при гомогенном образовании новой фазы для возникновения устойчивого зародыша необходима флуктуация, работа которой определяется величиной пересыщения [c.274]

Снижение пересыщения вследствие выделения новой фазы компенсируется растворением новых порций полугидрата, так что кристаллики двуводного гипса образуются и растут в условиях поддерживающегося пересыщения раствора. Величина пересыщения и продолжительность его существования зависят от соотношения скорости поступления вещества в раствор за счет растворения полуводного гипса (очевидно, этому способствует высокая дисперсность исходного вяжущего) и скорости увода вещества из раствора вследствие кристаллизации двуводного гипса. Наличие в растворе достаточно высокого пересыщения обусловливает возникновение зародышей кристаллизационных контактов между кристалликами двуводного гипса в местах их соприкосновения. [c.321]

Для достижения наиболее плотной упаковки частиц, т. е. реализации максимального числа контактов в структуре, и вместе с тем для предотвращения возникновения высоких внутренних напряжений широко применяются вибрационные воздействия. Вместе с тем для ослабления сцепления частиц (например, при формовании сухих и влажных катализаторных и керамических масс) используются добавки различных ПАВ, которые, адсорбируясь на поверхности частиц, снижают прочность контактов в коагуляционных структурах и препятствуют на определенных этапах развитию фазовых контактов. Для регулирования процессов структурообразования при твердении минеральных вяжущих веществ в систему вместе с ПАВ вводят добавки соответствующих электролитов, что позволяет направленно изменять величину пересыщения, условия кристаллизации и срастания гидратных новообразований и тем самым осуществлять процесс твердения в оптимальных условиях. В любом текстильном производстве волокна защищаются адсорбционными слоями, препятствующими их сильному сцеплению (и повреждению) при изготовлении пряжи и ткани. Сходные задачи имеют место в производстве бумаги, в пищевой промышленности и т. д. [c.324]

Рис 2 I Зависимость критического радиуса капелек от величины пересыщения [c.18]

Рассмотрим процесс кристаллизации раствора, имеющего в начальный момент величину пересыщения ojo. В раствор может вводиться начальная затравка размером Го в количестве Пд частиц. Если начальное пересыщение превышает значение, соответствующее зоне метастабильности (см. рис. 3.1), то одновременно с ростом затравочных кристаллов в растворе происходит непрерывное возникновение зародышей критического размера г г и их последующий рост. Увеличение размера кристаллов и возможный отвод растворителя приводят к непрерывному изменению концентрации раствора с. Если полагать, что выделение теплоты кристаллизации не изменяет заметно температуры раствора (или она поддерживается постоянной), то пересыщение раствора пропорционально его концентрации Oi = с — с (t). [c.141]

Рассмотрим процесс возникновения и роста зародышей, которые непрерывно появляются и увеличивают размеры в условиях изменяющейся величины пересыщения раствора. На рис. 3.5 даны изменения пересыщения и размера зародышей, возникших в некоторый момент времени % после начала кристаллизации. За интервал времени х в 1 образуется /[со(х)] х зародышей, которые будут увеличивать размеры согласно уравнению линейного роста [c.142]

Принципиальная схема установки [20] для изучения скорости роста единичного кристалла 4, закрепленного на конце проволочного держателя 5 представлена на рис. 3.11. Увеличение линейных размеров кристалла фиксируется с помощью передвижного микроскопа 1. Термостатом 6 поддерживается постоянная температура процесса. Величина пересыщения в течение одного опыта практически неизменна ввиду большого количества циркулирующего раствора. Эта схема позволяет исследовать зависимость скорости роста кристалла от пересыщения раствора, его температуры и скорости обтекания кристалла. [c.160]

При отсутствии коллоидных зародышей содержание мономера в растворе в течение 2 ч уменьшилось только от 0,035 до 0,032 %. Это указывало на слабое протекание самопроизвольного процесса образования зародышей. Равновесная растворимость кремнезема в системе равнялась примерно 0,01 %, поэтому средняя величина пересыщения составила около 0,02 %, а общий уровень содержания кремнезема в 3 раза превышал уровень насыщения. [c.124]

Выращивание кристаллов из растворов производят путем кристаллизации на заранее полученных зародышах или осколках кристаллов. Кристалл при этом растет медленнее и будет тем совершеннее, чем меньше величина пересыщения. Линейная скорость роста не должна превышать 1—2 мм за сутки (это соответствует построению около 100 плоскостей в секунду). Предпочтительно работать при повышенных температурах, так как при этом меньше вязкость раствора и выше скорость диффузии. При кристаллизации из неподвижного раствора следует позаботиться о создании условий для чрезвычайно медленного охлаждения пересыщенного раствора (хорошая теплоизоляция) или о поддержании постоянной температуры при одновременном медленном испарении растворителя. Процесс можно проводить в сосуде [c.134]

Кристаллизация возможна только в случае пересыщения или переохлаждения исходной фазы относительно возникающей в ней твердой фазы. В случае растворов величина пересыщения выражается разностью равновесной концентрации насыщения а (предельной растворимости) и исходной концентрации т, е. Аа = —а-х- Метастабильный расплав характеризуется переохлаждением АТ = Т — Т нли степенью переохлаждения АТ/Тп, где Т — температура плавления и Т — температура переохлажденного расплава. Величина пересыщения при кристаллизации из газовой (паровой) фазы выражается разностью давлений паров твердой фазы р и ее насыщенных [c.678]

Важность полученных результатов заключена еще и в том, что они позволяют оценить величину пересыщения при спонтанной 360 [c.360]

Величина пересыщения поверхности должна зависеть от метода или способа ее приготовления, скорости ее образованпя и от некоторых других условий, в которых происходило формирование поверхностн. В соответствии с этим возможные типы пересыщений классифицируются в теории следующим образом 1) дисперсионные пересыщения, связанные с возникновением больших удельных поверхностей 2) фазовые пересыщения, обусловленные получением необычных нестойких фаз, наличием незавершенных фазовых переходов 3) химические пересыщения, возникающие в условиях получения тел с необычным химическим составом, что чаще всего связано с захватом примесей. [c.137]

Гиббс установил, что работа образования равновесного зародыша в бесконечно большой системе равна одной трети его поверхностной энергии = /злr ст. Приведенные уравнени.т позволяют, задав практически обнаруживаемую скорость процесса V, найти равновесные значения г и, следовательно, величину пересыщения р/р°. Более подробно вопрос образования зародышей ИОНОЙ фазы pa aтpивaeт я в специальных курсах и монографиях (см. [5, с. 3161) (см. также гл. XV). [c.66]

К последнему выражению можно прийти и другим путем (по Скрипову). Действительно, в уравнении (IV—20) величина пересыщения применительно к рассматри-ваемому случаю 1кристалл1изац1ии иа расплава соответствует разнице давлений в критическом зародыше твердой фазы ртп(< с) и в исходной метастабильной фазе р. Уравнения состояния для твердой фазы и жидкости сходны Ут = соп81, 1 т=сопз1. С учетом этого, условие [pтв(r )]— л.iPo)=ц iP )— iPo) Для критического зародыша принимает вид [c.125]

Раскисление возможно, если произведение фактических активностей (или концентраций) больше I, т.е. необходимо некоторое пересыщение. Величина этого пересыщения определяется тем, что образование зародыша (вторая стадия) фазы AI2O3 требует создания новой поверхности, а именно поверхности раздела зародыш— жидкая сталь, т.е. необходимо преодоление энергетического барьера. При этом размер критического радиуса зародыша определяется уравнением, подобным уравнению Томсона для давления пара над каплями малого размера. При этом вместо отношения р/р , вводится величина пересыщения /L, где активности [c.290]

Чтобы установить величину пересыщения, при которой образуется заметное число ядер конденсации, продолжающих затем расти, необходимо выбрать определенное значение для 2(г) Фольмер и Вебер как и многие другие исследователи, приняли за условие начала конденсации 2(г) = 1, это значение намного меньше принятого Вильсоном Шаррер принял за критерий начала конденсации в камере Вильсона наличие от 1 до 5 капепь в 1 см Принимая 2(г) = 1, можно рассчитать критическое пересыщение. [c.18]

Рис 22 Зависимость скорости образовании капелек от величины пересыщения (расчеты сделаны дли паров воды по уравнению 1 Беккера - Дёрннга) [c.20]

Для уменьшения скорости образования кристаллических зародышей нужно уменьшить величину пересыщения, т.е. повысить температуру. Позтому в процессе карбонизации к моменту образования кристаллических зародьпней температуру карбонизуемого раствора повьш1ают до 60—65° С (за счет тепла реакций). с повышением температуры несколько возрас- [c.123]

Определив экспериментальным путем рпор и Са (рравн= 19,4-1-+ Т С/4 ГПа [46]), легко оценить величину пересыщения АС = Сгр—Са. [c.361]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология