Методы стабилизации поверхности полупроводниковых приборов

МЕТОДЫ СТАБИЛИЗАЦИИ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ [c.212]

Практически получение окисных пленок на поверхности кремния с целью уменьшения отражения инфракрасного излучения ограничивается областью с А, << 3—4 лог, вследствие трудности получения равномерных пленок толщиной > 1 мкм. Окисные пленки на поверхности кремния представляют интерес не только с точки зрения новой возможности изменения оптических свойств изделий из монокристаллического кремния, но и как весьма эффективный способ создания надежных защитных, пассивирующих покрытий [24, 140—144]. Разработке метода пассивирования поверхности полупроводниковых приборов из кремния и германия уделяется в настоящее время большое внимание. Появление большого числа публикаций за сравнительно короткий промежуток времени свидетельствует о проведении разносторонних систематических исследований. В них говорится о значительных трудностях выполнения задач, направленных на стабилизацию свойств полупроводниковых приборов. [c.30]

Таким образом, при использовании слабого влагопоглотителя необходима высокая скорость адсорбции на его поверхности. Поскольку в настоящее время такой влагопоглотитель не известен, то на практике пошли по другому пути, — по пути замедления процессов адсорбции на поверхности кристалла полупроводника. Последнее достигается покрытием р—п перехода различными лаками. При этом скорость адсорбции значительно уменьшается, что позволяет поддерживать на поверхности кристалла примерно постоянную концентрацию молекул воды. Изложенный способ стабилизации параметров позволяет использовать в корпусе прибора атмосферу с оптимальной относительной влажностью и обеспечивает высокие значения коэффициента усиления р и низкий уровень обратных токов. Однако метод покрытия р—п перехода лаком не может обеспечить высокую надежность полупроводниковых приборов, так как при частых изменениях температуры такое покрытие растрескивается и в этих местах возможна быстрая адсорбция влаги. [c.216]

Микроминиатюризация электронных приборов зависит от развития теоретических работ по пленочным многосло11ным полупроводниковым материалам (ноли-кристаллические и эпитаксиальные пленки, вещества для повышения кпд солнечных батаре ), а также 01 изучения поверхностных явлений это поможет разработать методы очистки и стабилизации поверхности полупр ов одник ов. [c.35]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология