Кремний монокристаллический

Кремний и германий монокристаллический. Измерение удельного [c.590]

Молибден Кремний (монокристаллический) (81) 10 [117] [c.342]

Пластины и слитки кремния монокристаллического для [c.129]

Цель работы — определение методом иммерсионной эллипсометрии толщины и показателя преломления слоя естественного оксида на поверхности образцов монокристаллического кремния. [c.195]

Схема молекулярного наслаивания двуокиси титана из тетрахлорида титана и воды на поверхности монокристаллического кремния (см. также работу 5.5) может быть представлена следующим образом [c.197]

Помимо эпитаксиальных монокристаллических пленок, осаждаемых на кристаллические подложки, широко используют в микроэлектронике тонкие поликристаллические и аморфные пленки других материалов. На основе подобных пленок изготавливают не только пассивные, но и активные элементы ИМС, работающие с использованием основных носителей заряда. Для данных целей применяют полупроводниковые (металлические, резистивные, диэлектрические) поликристаллические и аморфные пленки. Последние обычно получают методом вакуумного напыления. Металлические пленки, наносимые на изолирующий слой оксида кремния (IV), служат для создания внутренних соединений элементов ИМС, а также дают возможность осуществлять присоединение электрических выводов к микросхеме. Для этой цели широко применяют материалы на основе золота, никеля, свинца, серебра, хрома, алюминия, а также сплавы систем хром — золото, титан — золото, молибден — золото и некоторые другие. [c.161]

Синтез двуокиси титана на поверхности монокристаллического кремния основан на двух последовательных реакциях взаимодействие паров четыреххлористого титана с предварительно гидроксилированной поверхностью кремния [c.109]

Цель работы — измерение эллипсометрических параметров поверхности образцов монокристаллического кремния и последующее определение по результатам измерений толщины имеющегося на поверхности образцов слоя двуокиси кремния с использованием точных и приближенных методов решения обратной задачи эллипсометрии. [c.194]

Производят эллипсометрический контроль поверхности исходных образцов монокристаллического кремния, для чего измеряют их эллипсометрические параметры на воздухе. [c.198]

Повторяя перемещение расплавленной зоны снизу вверх, очищают кремний от примесей, для которых К < 1. Эти примеси собираются в верхней части стержня. Если снизу под поликристаллическим образцом кремния поместить монокристаллическую затравку, то перемещением зоны плавления от затравки вдоль всего стержня можно превратить весь образец в монокристалл подобно тому, как это описано для германия в 1. Однако бор не удаляется и этим методом. В таких случаях большое значение приобретают методы очистки вещества в виде какого-либо из его соединений. [c.263]

Другой путь получения монокристаллов — кристаллизация из газовой фазы в результате транспортных реакций. Наиболее широко они используются для выращивания эпитаксиальных пленок полупроводниковых соединений на монокристаллических подложках из германия, кремния и других полупроводников. Сущность транспортных реакций заключается в том, что твердое вещество, в данном случае полупроводниковое соединение, взаимодействуя по обратимой реакции [c.272]

В развитии элементной базы вычислительной техники тесно переплетались возможности монокристаллических и пленочных материалов. В основу технологии изготовления интегральных микросхем (ИМС) были положены следующие методы 1) возможность локальной диффузии донорных и акцепторных примесей в монокристаллический полупроводник — кремний, с использованием в качестве защитного слоя пленки из оксида кремния (IV), выращенной на поверхности кремния при высокотемпературной обработке в окислительной среде (термическое окисление) 2) применение метода фотолитографии, позволившего создать в полупроводнике п — р-переходы малых размеров и сложной конфигурации с помощью локальной диффузии 3) использование химических методов защиты п — р-переходов от окружающей среды пленками из 5102. [c.160]

Монокристаллический кремний получают вытягиванием монокристалла из его расплава (метод Чохральского). В полупроводниковой промышленности чистый кремний необходим как основа для изготовления полупроводниковых диодов, триодов, тиристоров, солнечных фотоэлементов, микропроцессоров, больших интегральных схем и т. д. [c.149]

Взаимосвязь между химическими процессами и процессами кристаллизации в больщннстве случаев настолько тесная, что рассматривать химическую реакцию просто как удобное средство доставки кристаллизующегося вещества к растущему кристаллу, по-видимому, нельзя. Химические процессы, вернее их локальные сдвиги вблизи активных мест, оказывают непосредственное воздействие на соверщенство растущего кристалла. При изготовлении эпитаксиальных пленок кремния путем разложения хлоридов кремния монокристалличность их возможна только тогда, когда температура подложки превышает примерно 1050° С при разложении же иодндов кремния монокристаллические пленки получаются при температуре 850—900° С. Микроморфология поверхности пленок, выращенных хлоридным методом, изменяется в значительной степени при изменении состава газовой смеси и температуры. [c.348]

Цель работы — синтез методом молекулярного наслаивания < верхтонкнх слоев оксида титана на поверхности монокристаллического кремния и исследование зависимости их толщины от. числа циклов реакций молекулярного паслаивания. [c.109]

Приборы, материалы и реактивы спектро<1)Отометр ИКС-29, приставка многократного отражения, пластина монокристаллического кремния, полиэтиленовый поляризатор-реплика РПИ-3-01 жидкн "1 сплав индия с галлием, травитель СР-4. [c.155]

Номограмма Арчера. Номографический метод решения точного уравнения Друде впервые применил Арчер в исследованиях пленки двуокиси кремния на поверхности монокристаллического кремния. Номограмма Арчера представляет собой семейство кривых равных толщин d и равных показателей преломления Па, построенных в координатах г , Д (рис. [c.189]

Цель работы—синтез методом молекулярного наслаивания слоя оксида титана на поверхности монокристаллического кремния и эллиисометрическое определение толщины и показателя преломления синтезированного слоя в зависимости от числа циклов реакций молекулярного наслаивания. [c.197]

В условиях полного завершения вышеуказанных реакций на поверхности кремния образуется монослой титанкислородных структурных единиц [1104/2], химически связанных с поверхностными атомами исходного вещества, а многократное повторение цикла этих реакций приводит к образованию слоя оксида заданной толщины. Особенности осуществления реакций молекулярного наслаивания на поверхности кристаллических матриц рассмотрены в работе 5.5. Синтез оксида титана на поверхности монокристаллического кремния осуществляют в специальном вакуумном реакторе для молекулярного наслаивания. Схема установки вакуумного синтеза приведена на рис. 5.4, а конструктивные особенности и методика работы на установке изложены в работе 5.5. [c.198]

Нельзя не отметить, однако, относительность признаков, используемых при определении принадлежности элемента к металлам или неметаллам. Так, металлическим блеском обладают, как известно, некоторые неметаллы (йод, графит, монокристаллический кремний и др.). Графит электропроводен. В ряде случаев элементы-металлы в своих сложных соединениях выполняют катионную функцию (например, ионы Н+, ЫН4+, О2+ и др.), а элементы-неметаллы — анионную функцию (например, Мо04 , многочисленные ацидокомплексы типа [Ее ( 204)3] " и т. д.). [c.252]

СиР-2 — хрупкое вещество темно-серого цвета, со смолистым блеском на сколе, напоминающим кремний или 1пР. Дифосфид меди в монокристаллическом виде неограниченно устойчив во влажной атмосфере и не изменяется при нагревании на воздухе до 300°С, устойчив к действию концентрированных и разбавленных растворов минеральных неокисляющих кислот, очень медленно растворяется в НЫОз, причем более стоек по отношению к холодной концентрированной кислоте, чем к разбавленной. Хорошо растворим в смеси HNOз-fЗH I. Зависимость давления диссоциации СиРз от температуры по схеме [c.68]

В современной технологии полупроводниковых приборов особое значение имеют методы химического воздействия на исходный кристалл кремния, которые позволяют формировать в нем разнородные области п- и р-типа, окисленные участки поверхности и т. п.), являющиеся активными и пассивными элементами структуры. К этим методам прежде всего относятся отмывка и травление, служащие для удаления с поверхности примесей и нарушенного слоя, вызванного механической обработкой, создания определенного рельефа на поверхности пластины и т. п. формированне стеклообразных пленок на основе 810а, полученных или методами термического окисления, или осаждением из газовой фазы в результате химической реакции. Важную роль в технологии играют методы эпитаксиального наращивания, позволяющие создавать слоистые монокристаллические структуры с разнообразными электрофизическими свойствами. Непременным этапом физико-химической обработки кристалла при изготовлении прибора служит диффузия примесей донорного и акцепторного типов, при П0М01ДИ которой формируются области эмиттера и базы в транзисторах, резисторы и другие элементы интегральной схемы. [c.96]

Рассмотрим условия так называемого иодидного процесса, который осуществляется в интервале температур 800—1000 С для кремния и 400—550 С для германия. Этот метод позволяет получить тонкие монокристаллические пленки большой площади. Процесс основан на реакции диспропорционирования субиодидов [c.141]

Для кремния применяется бестигельный способ выращивания из расплава по схеме рис. 85. По мере вытягивания монокристалла В из расплава поликристаллический материал А поднимается вверх к нагревателю В для пополнения расплава. Так можно получить монокристаллы до 2 сл в диаметре с малым числом дислокаций. По Чох-ральскому, можно получить слитки монокристаллического германия длиной больше 20 см и диаметром несколько сантиметров. Так получают [c.266]

Атомы кремния и германия выделяются из тетрахлоридов под действием водорода в потоке газов (газотранспортные реакции) и обычно осаждаются эпитаксиально на горячих подложках. Легирующие примеси вводят, добавляя летучие вещества в тетрахлорид или в систему газообразных веществ в виде отдельного потока, регулируемого игольчатыми вентилями. Этим методом выращивают многослойные монокристаллические пленки с контролируемым содержанием п распределением примесей в слоях. Метод требует очень высокой чистоты и точности обработки поверхности полупроводника, являющегося подложкой. [c.310]

В идеальном случае подложка для образца должна быть хорошим проводником и быть сделана из материала, который не давал бы вклада в рентгеновский сигнал, идущий с образца. Для массивных образцов или срезов, изучаемых в режиме вторичных электронов, образцы обычно помещают на хорошо отполированные сверхчистые углеродные, алюминиевые или бе-риллиевые диски. Подходит также для этого легированный бором монокристаллический кремний. Эти материалы являются достаточно хорошими проводниками и дают только малый вклад в рентгеновский фон. Материалы, которые нужно исследовать с помощью световой оптики, должны монтироваться на кварцевых или прозрачных пластиковых пленках, которые для создания проводимости должны покрываться тончайшим слоем ( 5—7 нм) алюминия. Для материалов в виде среза пригоден целый ряд подложек, в основном на основе стандартной сетки (3,08 мм) для просвечивающего электронного микроскопа. Можно применять сетки, изготовленные из меди, титана, никеля, алюминия, бериллия, золота, углерода и нейлона. Они могут использоваться с пластиковой поддерживающей пленкой и без нее. Имеется тенденция использовать сетки, изготовленные из материалов с низким атомным номером, таких, как алюминий, углерод или бериллий, так как они дают значительно меньший вклад в рентгеновский фон. В качестве подложек для образца использовались нейлоновые пленки с алюминиевым или углеродным покрытием [300, 426], преимущество которых состоит в том, что они являются более прочными и прозрачными [c.285]

Процесс изготовления микроаналитических систем базируется на технологиях, использующихся при производстве интегральных схем (чипов). В их основе лежат хорошо изученные и отработанные на практике процессы фотолитографии и травления либо в растворах, либо в газовой фазе (например, реакционное ионное травление). На рис. 15.2-1 представлен типичный процесс изготовления устройства с системой микроканалов. Подложку, обычно из кремния, стекла или кварца (в принципе, возможно использование полимеров), покрьшают пленкой металла (обычно хром или золото с тонким слоем хрома для улучшения адгезии) и слоем фоторезиста. Затем с использованием фотошаблона, на котором нанесен рисунок будущего микроустройства, поверхность подвергают действию УФ-излучения. После соответствующей химической обработки (проявления) пленка фоторезиста удаляется с участков, подвергнутых экспозиции. Пленка металла, не защищенная фоторезистом, удаляется в травильных ваннах. Затем, на второй стадии травления травится и сама подложка (обычно в НГ/НКОз или КОН). В зависимости от выбранного травителя и типа подложки получающиеся микроканалы имеют различный профиль. Стеклянные и другие аморфные подложки обычно изотропны по свойствам и травятся с одинаковыми скоростями в любом выбранном направлении. Протравленные каналы, как правило, имеют скругленные кромки. На монокристаллических кремниевых или кварцевых подложках в присутствии подходя1цих травителей возможно анизотропное травление, приводящее к получению каналов со специфичными профилями, зависящими от расположения кристаллографических плоскостей, подвергнутых травлению. На заключительной стадии процесса по- [c.642]

Недавно получены экспериментальные доказательства того, что процесс разрушения в хрупком состоянии имеет кинетический характер [5.23]. Для таких абсолютно хрупких тел, как монокристаллический кремний, корунд и карбид кремния, анализ влияния релаксационных явлений на зависимость разрывного напряжения от скорости нагружения га показал, что аномальный характер этой зависимости (при малых скоростях нагружения Ор возрастает, затем проходит через максимум и при больших скоростях уменьшается с увеличением скорости на-гружения) обусловлен взаимодействием двух кинетических процессов разрушения и локальной неупругой деформации (рис. 5.16,а). При малых о) стр возрастает с увеличением скорости нагружения (как возрастает прочность с уменьшением времени нагружения), при больших w—снижается, так как локальная неупругая деформация проявляется все меньше, а коэффициент концентрации напряжения возрастает. Большие скорости нагружения эквивалентны низким температурам. Поэтому температурная зависимость СТхр (рис. 5.16,6) имеет ана- [c.128]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология