Фоторезисты для коротковолнового УФ-света

ФОТОРЕЗИСТЫ РАЗЛИЧНОГО НАЗНАЧЕНИЯ VI. 1. ФОТОРЕЗИСТЫ ДЛЯ КОРОТКОВОЛНОВОГО УФ-СВЕТА [c.177]

VI. . ФОТОРЕЗИСТЫ ДЛЯ КОРОТКОВОЛНОВОГО УФ-СВЕТА [c.177]

Азидсодержащие светочувствительные составы создаются на основе ароматических или гетероароматических азидов, полимеров или олигомеров и растворителей различной полярности. Среди структур арилазидов, применяемых в фотолитографической практике, можно выделить соединения, поглощающие в области 250—300 нм и используемые в фоторезистах коротковолнового УФ-света соединения с развитой системой сопряжения, чаще других бис(азидобензилиденовые) производные кетонов, поглощающие в области максимальной эмиссии ртутных ламп среднего и высокого давления 310—440 нм диазиды, включающие систему конденсированных ядер с поглощением до 600 нм, пригодные для проекционной фотолитографии. Введением сульфо-, гидрокси- или карбоксильных групп в ароматические ядра светочувствительным азидам придается водорастворимость. [c.134]

Из-за высоких требований к материалам только немногие из выполненных разработок нашли применение в производстве, однако необходимость совершенствования микроэлектронных приборов и полиграфических систем требует резкого улучшения параметров фоторезистов, качественного изменения их свойств. Например, стремление к повышению разрешающей способности полимерных рельефов обусловило переход от систем, чувствительных к коротковолновому УФ-свету, к композициям, изменяющим свои свойства под действием пучка электронов, т. е. к электронорези-стам. Такое состояние разработок материалов и их развитие требует систематического рассмотрения работ, динамики изменения [c.6]

Если к нафтохинондиазидному фоторезисту добавить бисазид из групп применяемых в композициях для коротковолнового УФ-света (см. гл. VI), к общая светочувствительность системы падает. Однако при малых экспозиция создается позитивный, а при больших — негативный рельеф, термостойкий д( 200 °С, и более стойкий к плазменному травлению, чем слой без добавки бис азида [46]. [c.90]

Использование в качестве полимерной основы фоторезистов циклизованных полимеров представляется чрезвычайно перспективным— в них эффективен фотолиз азидов и темновые реакции нитренов, структурирующих циклокаучуки, таким образом, интегральная светочувствительность фоторезистов достаточно высока. Циклокаучуки, обладая малой ММ, дают твердые и плотные пленки, они позволяют после экспонирования создать высокоразрешен-ные рельефы. В азидсодержащих фоторезистах для коротковолнового УФ-света ( УР-резистов), полученных на основе циклокаучуков, разрещение достигает субмикронных размеров. Кроме того, именно фоторезисты на основе циклокаучуков и диазидов в настоящее время являются одними из наиболее плазмостойких (например, состав OMR-83, Япония), В циклокаучуки легко вводить раз- [c.146]

Сополимер метакрилонитрила и метакриловой кислоты обладает малой светочувствительностью из-за отсутствия полос в УФ-свете. После термолиза при 130 °С на воздухе его светочувствительность повышается вследствие появления широкой полосы при 246 нм у возникших циклических структур. Сополимер обладает свойствами позитивного фоторезиста при экспонировании в коротковолновом УФ-свете и негативного в средней УФ-области [7]. Аналогичная термообработка рекомендована для сополимеров метакриловой кислоты с метил-р-хлоракрилатом и метакрилони-трилом, которые являются и электронорезистами при этом повышается их светочувствительность и разрешающая способность [пат. США 4414313, 4415653]. По данным пат. Великобритании 1493089, непосредственно на подложке из тонкого слоя ПМАК при 200°С и обработке аминами получают резисты — имиды поликислоты. [c.179]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология