Электронорезисты

Распад под действием потока электронов различных виниловых полимеров изучен с целью выбора систем, пригодных в качестве электронорезистов [66]. Изучены химические превращения ПВА при действии электронного излучения [40]. [c.236]

Для оценки чувствительности электронорезиста используют два способа либо выражают чувствительность радиационнохимическим выходом структурирования G(Z) или деструкции G(S) (их определение см. в разделе VII. 2), либо получают кривую чувствительности и находят ряд ее параметров. Для экспериментального [c.237]

Определение чувствительности негативных электронорезистов хорошо иллюстрирует рис. VH. 17,а. Полимерный резист, нанесенный на подложку, на заранее определенной площади экспонируется рядом подходящих доз излучения. После проявления в стандартных условиях для данных доз определяют толщину резиста de и нормализуют эти значения, т, е. относят их к максимально [c.238]

Рнс. VII. 18. Экспериментальное определение чувствительности позитивных электронорезистов на основе измерения скорости проявления [c.241]

Рис. VII. 22. Зависимость размеров элемен тов микрорельефа от его толщины для негативного электронорезиста на основе сополимера глицидилметакрилата с 3-хлор-

Изменение растворимости при облучении позитивных электронорезистов, в значительной мере определяющей возможности их применения, изучалось применительно к литографии не только экспериментально, но и теоретически [81]. Для некоторых типов позитивных резистов изменение растворимости может изменить их чувствительность на порядок. [c.241]

В настоящем разделе рассматриваются материалы, которые испытаны или внедрены в промыщленности в качестве негативных и позитивных электронорезистов. Однако возможность их практического использования в конкретных технологических процессах обязательно должна быть проверена экспериментально 68, 84]. [c.242]

При отборе полимерных материалов, потенциально пригодных для использования в качестве негативных электронорезистов, сначала исходили из общих сведений о взаимодействии полимеров с ионизирующим излучением. По этой причине первыми были опробованы полимеры с высокими значениями G(X) и минимальными или нулевыми значениями G S). [c.243]

Первыми полимерами этой группы, которые были испытаны в качестве негативных электронорезистов, были ЭПБ [пат. ФРГ 2706878] и ЭПИ [пат. США 3885060], которые могут содержать и атомы брома [пат. США 4279985]. Высокие значения чувствительности яй 2 10 Кл/см ) растут с понижением ускоряющего напряжения [91]. В предположении цепного механизма структурирования эпоксидных групп в работе [92] приведено следующее выражение для чувствительности резиста (в Кл/см ) в зависимости от степени эпоксидирования а [c.245]

В потоке электронов отдельные частицы взаимодействуют друг с другом [4]. Рассеяние электронов ведет к распространению электронного излучения по всем направлениям, Сле.довательно, и электронорезист (рис. Vn. 1) экспонируется в тех местах, куда первоначально не направлялся пучок электронов. Поток электронов в слое резиста делят на излучение, сохраняющее направление первоначального пучка, и обратно отраженное электронное излучение. На рис. VH.2 показаны рассчитанные методом Монте-Карло траектории 100 электронов в слое резиста на подложке при разных ускоряющих напряжениях. Хорошо заметна доля электронов, имеющих направление первоначального пучка, и рассеянных. При 10 кВ рассеянные электроны расходятся на расстояние около [c.214]

Рис. VII. 4. Кривая чувствительности негативного электронорезиста СОР на разных подложках (толщина слоя резиста di, - 0,66 мкм, ускоряющее напряжение 20 кВ)

Разрешение структур не только на поверхности, но и в объеме полупроводниковых пластин достаточно велико. Так, для прецизионной электронолитографии с субмикронными размерами элементов рельефа были разработаны типы электронорезистов, включающих элементорганические соединения с легирующими атомами (яп. заявка 49-34018, 49-34019). Вакуумный электронорезист длу полностью сухой литографии [а. с. СССР 1056123] разработан нг основе силсесквиоксанов (81Р)8-д 5Ьд 012 (где К = СН = СНг л = 0,5—1), его разрешающая способность 10 линий/мм, электронная чувствительность 5-10 Кл/см , при отжиге в диффузионной печи (30 мин, 400 °С) глубина диффузии атомов сурьмы составляет 1 мкм. [c.200]

Рис. VII. 17. Кривые чувствительности негативных (л) н позитивных (ff) электронорезистов / — резнст 2 — подложка.

Условию стандартизации определения чувствительности позитивных электронорезистов в наибольшей степени отвечает методика, разработанная в лабораториях фирмы IBM (США) [79]. Сначала экспериментально подбирают такие условия проявления, чтобы время полного проявления неэкспонированного слоя данного резиста толщиной 1 мкм составляло 1240 с (стандартный режим проявления). Затем регистрируют толщину слоя в процессе проявления резиста, экспонированного разными дозами (рис. VII. 18, а). Из этой зависимости для каждой дозы облучения и времени, соответствующего d — О, находят толщину неэкспонированного слоя резиста расч, зависимость которой от дозы представлена на рис. VII. 18, б. Оптимальная чувствительность Donr определяется из полученной таким образом зависимости графической экстраполяцией к исходной толщине резиста. [c.240]

ТАБЛИЦА VII. 3. Характеристика сополимеров глицидилметакрилата с гмогеипроизводиыми стирола, применяемых в качестве электронорезистов [c.249]

Учитывая хорошо известную высокую чувствительность к электронному излучению хлорсодержащих соединений [98], сделар а Попытка получить негативный электронорезист с большой чувствительностью, хорошей контрастностью н стойкостью прн плазмен- [c.249]

В качестве позитивных электронорезистов, помимо фоторезистов, испытывались прежде всего полимеры, действие электронного излучения на которые было изучено ранее. В отличие от негативных резистов в этом случае в первую очередь были выбраны полимеры с высоким значением G(S) и минимальным или нулевым значением G(X). К изученным первым полимерам относятся ПМСТ, ПММА, ПБМА, ПФМА, ПИБ и некоторые другие. Ниже приведены параметры некоторых позитивных электронорезистов [76] [c.255]

ПММА в настоящее время является классическим позитивным электронорезистом, который в результате многочисленных работ [109], посвященных всестороннему изучению возможности его применения, рассматривается как стандарт при испытании не только новых электроно-, но и рентгено-резистов. ПММА может использоваться также как ионный резист [112]. Из промышленных марок ПММА наиболее широко используются в качестве резистов Elva ite 2041 и 2010 фирмы Dupont (США). Слой резиста чаще всего наносят из раствора в хлор- или о-дихлорбензоле, оптимальная температура предварительной термообработки 160— 170°С. Проявление стандартизовано для смесей метилизобутилкетона с изопропиловым спиртом в соотношении 1 1, 1 2 и 1 3. ПММА дает возможность получать рельефы субмикронных размеров. [c.256]

Чувствительность сополимеров метилметакрилата с ненасыщенными кислотами (акриловой, метакриловой, кротоновой прн низком содержании этих кислот составляет 10 —10 Кл/см [пат. ФРГ 2628467]. Сополимер с итаконовой кислотой (от 20 до 30%) обладает более высокой чувствительностью в качестве позитивного электронорезиста, чем ПММА изучены и сополимеры эфиров итаконовой кислоты [115]. [c.257]

Гомополимеры а-замещенных акрилатов и их статистические, привитые и блоксополимеры или совместимые смеси гомополимеров могут быть использованы в качестве чувствительных позитивных электронорезистов. Например, сополимер метилметакрмата с а-хлоракрилонитрилом (молярное соотношение 50 50) с Мш — = 1,04-10 стабилен до 120°С, а пленка толщиной 0,9 мкм, нане-сеннная из раствора в 1,3-дихлорпропане и проявленная в цикло-пентаноне, имеет чувствительность 7-10 Кл/см и разрешающую способность 0,5 мкм [пат. США 4011351]. [c.258]

Как отмечалось выше, гомополимер фталевого альдегида служит негативным электронорезистом. Однако сополимеры различных алифатических альдегидов, имеющих триметилсилильные группы в боковой цепи, являются высокочувствительными рентгено- и элек-троно-резистами, по крайней мере на 2 порядка более чувствительными, чем ПММА [европ, пат. 0109617]. [c.262]

Планаризационый резист ограничивает рассеяние в чувствительном слое резиста электронов, отраженных от подложки. Теоретические расчеты показывают, что этим способом можно получить в слое резиста вертикальное изображение краев с меньшими отклонениями при проявлении [5]. Для исключения влияния заряда, накапливающегося при экспонировании резиста на подложке Si02/Si, как и в случае однослойной системы, можно нанести на подложку тончайшие проводящие слои А1 или Ли, либо сильно легированные полупроводниковые слои Si или Ge. Это, однако, является дополнительной технологической операцией. Для большинства электронорезистов, имеющих чувствительность около 1Q- Кл/см , для использования в обычном однослойном варианте требуется высокое значение AR (СОР, FBM, PBS, Sel N). Система МСР дает возможность уменьшить длительность экспонирования при использовании тонкого слоя электронорезиста и толстого слоя планаризационного резиста. При этом можно перенести изображение на подложку с очень высоким значением AR, используя резист с низким значением AR. [c.270]

Система с использованием полистирола, модифицированного замещенным тетратиофульваленом, в качестве негативного электронорезиста и ПММ. в качестве планаризационного слоя для коротковолновой УФ-области основана на разнице в чувствительности этого полимера (ЫО-5 Кл/см ) и ПММА (8-10-5 Кл/см2) [29]. Экспонирование такого полимера, который не образует с ПММА межфазного подслоя, не оказывает влияния на свойства ПММА. Полученную при проявлении маску можно использовать для экспонирования коротковолновым УФ-светом. Слой этого полимера толщиной 0,3 мкм позволяет работать с АК 2,7. [c.275]

НОГО вpe 4eни (для 16 кбит - от 2 до 10 ч, для 64 кбит - от 20 до 100 ч) изображение переводили на контактную маску С разработкой устройств для электронно-лучевой записи, позволяющих быстро (в пределах 1 ч) производить прямую запись с помощью вычислительной машины, перешли на запись с помощью электронного луча и стали использовать электронорезисты, [c.238]

При отсутствии режстов с чувствительностью выше 1 10- Кл/см по экономическим соображениям нельзя использовать, как это следует из табл, 3 = 17, выпускаемые в настоящее время устройства записи электронным лучом. РВМ- ПО, обладающий чувствительностью 4-10 Кл/см2 и хорошей разрешающей способностью, удовлетворяет этому условию и по сообщениям [45] применяется как электронорезист для различных масок, обеспечивая рисунок с шириной линии 2 мкм. [c.245]

I — программирукш1,ее устройство 2 — управляющая Э13Л1 3 — устройство для управления переме1цением стола 4 — источник электронов 5 — устройство для формирования пучка 6 — отклоняющая система 7 — вакуумная камера 3 — слой электронорезиста 5 — металлическая фольга /О — кремниевая подложка — стол [c.35]

Сополимер метакрилонитрила и метакриловой кислоты обладает малой светочувствительностью из-за отсутствия полос в УФ-свете. После термолиза при 130 °С на воздухе его светочувствительность повышается вследствие появления широкой полосы при 246 нм у возникших циклических структур. Сополимер обладает свойствами позитивного фоторезиста при экспонировании в коротковолновом УФ-свете и негативного в средней УФ-области [7]. Аналогичная термообработка рекомендована для сополимеров метакриловой кислоты с метил-р-хлоракрилатом и метакрилони-трилом, которые являются и электронорезистами при этом повышается их светочувствительность и разрешающая способность [пат. США 4414313, 4415653]. По данным пат. Великобритании 1493089, непосредственно на подложке из тонкого слоя ПМАК при 200°С и обработке аминами получают резисты — имиды поликислоты. [c.179]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология