Светочувствительные компоненты фоторезистов

Жидкие позитивные фоторезисты [153, 154] обычно состоят из светочувствительной компоненты (сенсибилизатора), пленкообразующей низкомолекулярной смолы новолачного типа, например, (ЬХХ1) [c.49]

В полифункциональных фоторезистах, например использующих полученный фоторельеф для создания контактных площадок или последующей высокотемпературной диффузии, описано применение в качестве светочувствительных компонентов элементоргани-ческих арилазидов, их поглощение может лежать в области 250—400 нм. В качестве полимерной основы слоев могут быть использованы бутадиен-стирольный, хлоропреновый и натуральный каучуки циклокаучуки, полученные циклизацией полиизопрена, полибутадиена, полигексадиена в присутствии различных катализаторов полн-4-метилизопропенилкетон феноло- и крезоло-фор-мальдегидные смолы. В водорастворимых слоях используют смеси ПВП и ПВС сополимеры акриламида, диацетонакриламида и различных виниловых мономеров поли-4-винилфенол, полиакриламид, желатину, гуммиарабик, камеди. Для придания слоям по-выщенной термостойкости добавляют полиамидокислоты с последующей имидизацией или вводят, например, в циклокаучуки трифторметильные группы. Растворителями служат толуол, ксилол, цйклогексанои, их смеси часто используют такие сильные растворители как ДМАА, ДМФА, дихлорэтан для композиций, содержащих водорастворимые азиды, применяют различные спирты, водный метилэтилкетон. [c.134]

Принцип создания негативных и позитивных изображений под действием света отражен на рис. 1. Основой фотолитографии является такой результат взаимодействия света (обычно в области 340—430 нм) со светочувствительным компонентом фоторезиста, который обусловливает изменение физико-химических свойств участков экспонированного слоя, не защищенных маской (шаблоном), в первую очередь — растворимости и летучести. Это дает возможность при последующем проявлении удалить или неэкспонированные места (негативный процесс А), или экспонированные (позитивный процесс Б), и тем самым получить рельефное изо- [c.8]

Светочувствительные компоненты фоторезистов [c.49]

Синтезированные соединения были испытаны в качестве светочувствительного компонента для композиции фоторезиста на основе новолачных смол. [c.55]

Резисты можно разделить на 2 группы. У резистов первой группы фотолиз низкомолекулярного компонента вызывает химические изменения в полимерной составляющей (инициирует полимеризацию, сшивает или деструктирует полимеры и т. д.). У резистов второй группы низкомолекулярный светочувствительный компонент действует как ингибитор растворения и его фотолитическое превращение ведет к повышению скорости растворения полимерного компонента. В обоих случаях мел<ду двумя компонентами фоторезиста осуществляется тесное взаимодействие. [c.14]

Неверно выбранные условия сушки могут отрицательно влиять на светочувствительность фоторезистов, так как при повышении температуры разлагаются светочувствительные компоненты. [c.22]

США) [пат. США 4173470] НС с ММ от 2000 до 15000 получена конденсацией формальдегида с крезолом и гр гг-бутилфенолом в присутствии щавелевой кислоты. Она лучще смешивается с неполярными компонентами. Фоторезисты на ее основе обладают повышенной светочувствительностью, легче удаляются с подложки ацетоном. [c.81]

Только немногие полимерные светочувствительные материалы отвечают столь многообразным и иногда противоречивым требованиям, поэтому их отбор представляет собой весьма трудоемкую и часто самостоятельную научную задачу. Приходится учитывать условия формирования пленки и ее свойства до экспонирования, ее светочувствительность, эффективность фотопроцесса в полимере, число дефектов в проявленном и подвергшемся травлению слое, прямо связанное с условиями формирования пленки и адгезией. Поэтому среди большого числа предложенных светочувствительных композиций на основе полимеров в практику фотолитографии вошли только немногие. В простейшем варианте исходные фоторезистивные композиции представляют собой растворы светочувствительного и пленкообразующего компонент в органическом растворителе. На поверхности твердого тела они способны образовывать пленку, обладающую достаточно высокой адгезией к поверхности подложки. При необходимости изменения технологических свойств как раствора, так и пленки фоторезиста в его состав могут быть введены различные добавки сенсибилизаторы, пластификаторы, смеси различных полимеров, красители, поверхностноактивные вещества, стабилизаторы и др. [c.93]

Литографические свойства резиста определяются рядом факторов (гл. I). Полимеры для негативных фоторезистов обычно линейны, их ММ 10 —10 . Из их растворов в летучих растворителях формируют на подложке пленки микронной и субмикроннон толщины. Необходимо, чтобы светочувствительный компонент поглощал в области эмиссии используемого источпика света, а изменение физико-химических свойств пленки, требуемое для создания различий в свойствах экспонируемых и пеэкспонируемых участков в расчете на 1 квант света, было как можно большим, так как оба фактора определяют время экспонирования. Полимерный рельеф должен иметь хорошую адгезию к подложке, чтобы исключить подтравливание краев при последующих операциях травления подложки (растворами сильных кислот или щелочей), а также уменьшить пористость слоя. [c.13]

Нитроны и фотополимеры оказываются не единственными светочувствительными компонентами, которые доио.нпггельно вводят в хинондиазидный фоторезист. Другие светочувствительные компоненты влияют на окраску слоя. [c.90]

Вводят в обычную композицию позитивного фоторезиста (15—25 % диазида, 65—85 7о НС) 6—10 % от массы компонентов слоя продукта кислотно-катализируемой конденсации 2,4-ди- или 2,4,6-, 2,3,4-, 2,4 4 -три- 2,3,4,4 -тетра-гидроксибензофенона и формальдегида [пат. США 4275139 пат. ФРГ 2847878] добавка гидроксибензофеноновой смолы повышает светочувствительность на 76 %, при этом другие параметры слоя не ухудшаются. [c.88]

В 1981 г. была предложена арилазидная композиция [пат. США 4287294 пат. ФРГ 2919841] специально для получения термостойких рельефных структур на полупроводниковых материалах, при этом в качестве светочувствительного агента используется ази-досульфофенилмалеинимид, а термостойким пленкообразующим компонентом слоя являются полиамиды карбоновых кислот растворителем служит смесь диметилацетамид — диоксан (1 1). Этот фоторезист образует на алюминиевой фольге сшивающийся слой толщиной 6 мкм, после проявления [проявитель—смесь -бутирол-актон —толуол (1 1), 16 с] разрешение 10 мкм, структура полученного рельефа полностью сохраняет размеры изображения и абрис углов после термообработки при 340 °С в течение 1 ч. Слой обладает хорошими электроизоляционными свойствами и может быть использован в качестве межслойной изоляции. [c.148]

В настоящее время составы фоторезистов, в которых под действием света проходит циклодимеризация полимерного компонента, продолжают использоваться в производстве печатных плат и полупроводниковых приборов. Особенно следует отметить их применение в защитных масках печатных плат, создаваемых под пайку навесных элементов из олова или свинца. Это, а такл<е их использование в двухслойных вариантах светочувствительных покрытий способствует сохранению устойчивого интереса к циклодимеризую-щимся системам. Число патентных разработок последних лет в этой области фоторезистов невелико, однако теоретическое изучение фотоциклодимеризации в растворах и слоях проводится довольно интенсивно, что позволяет надеяться на создание новых ценных композиций фотодимеризующихся резистов. [c.177]

Предлагается композиция из 0,2—0,5 г трис(ж-азидофенил) фосфиноксида (> макс = 255 нм) и Юг эпоксидированного циклокаучука (3,8 % эпоксигрупп). Компоненты растворяют в 100 мл о-ксилола и полученный светочувствительный состав наносят на подложку центрифугированием, сушат при 60°С, облучают через диапозитив лампой ДРШ-250, засвечивают и проявляют ксилолом или уайт-спиритом. Диффузию проводят при 1300 °С в течение 4 ч на воздухе в пластины р-51 с удельным объемным электрическим сопротивлением р = 50 Ом см. Полученный р—л-переход имеет вольт-ампер-ную харакгеристику, близкую к теоретической, и время жизни 10 мкс. Поверхностная концентрация 10 —10 атом/см зависит от концентрации ароматического азида и режима диффузии [а. с. СССР 520559]. Подобные же азидсодержащие элементорганиче-ские композиции описаны для селективного легирования полупроводниковых пластин мышьяком [а. с. СССР 622035]. Диффузию из фоторезиста в этом случае проводят на воздухе при 1250°С, полученные р—п переходы также имеют время жизни неосновных носителей порядка 8—10 МКС. [c.199]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология