Изменение габитуса при изменении пересыщения

Пересыщение растворов как причина изменения габитуса широко изучалось Керном [39—42]. Этот исследователь нашел, что ионные кристаллы, выделенные из сильно пересыщенного раствора, имеют кристаллические грани со следующими характеристиками [c.349]

Изменение габитуса при изменении пересыщения [c.349]

Изменение габитуса происходит не только в случае водных растворов. Оно имеет место также и при работе со спиртовыми растворами. Объяснение этого явления пока твердо еще не установлено. По Керну, структура пересыщенного раствора должна отличаться от структуры насыщенного раствора. Если пересыщение растет, концентрация растворителя в растворе уменьшается, так что на поверхности раздела кристалл — раствор происходит десольватация. Эта десольватация более легко идет на гранях с небольшим электростатическим полем и затруднена на гранях с большим электростатическим полем. Такое явление способствует увеличению ско- [c.349]

Согласно приведенной теории, кристалл данного вещества может иметь только одну характерную для него форму. Однако это противоречит хорошо известным фактам о существенном изменении габитуса кристалла в зависимости от условий его роста (степени пересыщения раствора, температуры и т. д.). Таким образом, теория Гиббса — Кюри — Вульфа не может быть использована для объяснения конечных форм роста кристаллов, на что непосредственно указывал и сам Гиббс, предлагая свой вывод лишь для кристаллов, находящихся в равновесии с раствором. Следовательно, речь здесь может идти только о кристаллах субмикроскопических размеров, для которых, очевидно, еще сохраняется зависимость растворимости от их размера . В самом деле, по мере увеличения размера кристалла уменьшается относительная роль поверхностной энергии в значении полного термодинамического потенциала. Нарушение же термодинамического равновесия при изменении формы кристалла может компенсироваться неоднородностью состава и температуры окружающего раствора, а также количеством и качеством дефектов, возникающих на различных гранях кристалла во время его роста. [c.83]

Морфология формы роста. Одним из выводов теории цепей периодических связей является то, что кристалл будет ограничен только плоскими гранями, если рост будет происходить при следующих условиях а) рост должен быть медленным, а для этого необходимы небольшие пересыщения б) отсутствует или является слабым взаимодействие с частицами (ионами или молекулами) растворителя или других растворенных веществ в) механизм роста одинаков для всех граней. Если эти условия не выполняются, может изменяться габитус кристаллов. Соответствующие изменения подробно обсуждаются в разделе П1. [c.338]

Массовая доля неорганических примесей в исходном веществе <0,005% и неоднородна по элементам. Вопрос о механизме роста кристаллов ADP и ему изоморфных в присутствии примесей неоднократно рассматривался с точки зрения изменения морфологии кристаллов [2, 3, 4]. Экспериментально установлено, что наиболее существенное влияние на габитус кристаллов оказывают трехвалентные ионы переходной группы железа. Основным вопросом, связанным с ростом кристаллов и их очисткой от примесей, является вопрос о структуре примесной частицы в растворе при разных его параметрах (пересыщение, концентрация, значение pH, температура и т. д.), о механизме ее действия на рост кристалла, о строении частицы и месте размещения в структуре кристалла при ее захвате в процессе роста. В работе [2] предполагалось действие комплексов РеНР04+ на рост ADP в кислых растворах и замещение ими ионов NH4+. В случае ионов Сг + аналогичный комплекс существует в кислых растворах и вызывает выклинивание кристаллов, а при pH выше 4,5 образуются новые комплексы на основе НР04 -, не дающие этого эффекта. Авторы работы [5] считают возможной примесной частицей при введении СгС1з в раствор ADP комплекс [Сг(Н20)4(0Н)2]+, который вместе с С1 образует новые РВС-векторы в сетках 701 , 702 и 502 кристаллов ADP. Параллельно этим сеткам размещается примесь, захваченная кристаллом при ее неполной десорбции. На основе изучения мессбауэровских спектров делается вывод о вхождении в кристалл ADP изолированных ионов Fe в пустоты структуры [6]. [c.59]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология