Габитус изменение

Морфология формы роста. Одним из выводов теории цепей периодических связей является то, что кристалл будет ограничен только плоскими гранями, если рост будет происходить при следующих условиях а) рост должен быть медленным, а для этого необходимы небольшие пересыщения б) отсутствует или является слабым взаимодействие с частицами (ионами или молекулами) растворителя или других растворенных веществ в) механизм роста одинаков для всех граней. Если эти условия не выполняются, может изменяться габитус кристаллов. Соответствующие изменения подробно обсуждаются в разделе П1. [c.338]

Пересыщение растворов как причина изменения габитуса широко изучалось Керном [39—42]. Этот исследователь нашел, что ионные кристаллы, выделенные из сильно пересыщенного раствора, имеют кристаллические грани со следующими характеристиками [c.349]

Уже из простого перечисления ясно, что кристаллические и полукристаллические образования различной природы могут иметь один и тот же габитус, и, следовательно, по одним морфологическим признакам гидрата невозможна его идентификация. В этом существенный недостаток методики реплик, ибо во избежание возможного изменения образца в процессе его препарирования часто нельзя достоверно интерпретировать полученные данные с точки зрения фазового состава новообразований. То же справедливо и в отношении метода напыления или осаждения. Однако метод реплик или съемка на сканирующем микроскопе незаменимы при необходимости изучить прежде всего взаиморасположение частиц в пространстве, т. е. собственно надмолекулярную микроструктуру ненарушенного образца. Этими методами пользовались многие авторы [497—501], стремившиеся разработать представления о структуре затвердевшего цементного камня или решить важнейшую задачу прикладной электронной микроскопии — связать микроструктуру материала с его технологическими свойствами. При этом наиболее ценные, на наш взгляд, выводы получены при одновременном изу- [c.216]

По другим данным тальк имеет основные дифракционные максимумы с (1, А 2,49 4,58 1,53. Габитус кристаллов чешуйки, гексагональные листочки кристаллы обычно встречаются редко, как правило, тальк образует сплошные массы цвет бледно-зеленый или. белый с жирным блеском 1,585, п , = 1,582, Мр= 1,545, также %л Пт= 1,575, Пр= 1,540 (—) 2 1/ = 0—30° спайность совершенная по (001). ДТА (—) 930—950°С (четко выраженный эффект удаления конституционной воды). На кривой обезвоживания фиксируется один участок при температуре 800—900°С (потеря массы 4,5— 5,5%, соответствующее удалению конституционной воды). Плотность 2,7—2,82 г/см . Твердость 1. В кислотах не разлагается. Образуется в природе главным образом в процессе гидротермальных изменений богатых магнием ультраосновных пород. [c.216]

Для качественной оценки условий, в которых происходил рост кристаллов, можно использовать результаты, полученные при изучении различных физических свойств синтезированных кристаллов. Весьма чувствительным индикатором изменения термодинамических условий синтеза является габитус кристаллов алмаза. При высоких температурах вблизи линии равновесия графит — алмаз в расплаве металла образуются кристаллы преимущественно октаэдрической формы. Понижение температуры синтеза сопровождается появлением кристаллов алмаза кубооктаэдрического габитуса. При самых низких температурах растут кристаллы преимущественно кубической формы. [c.421]

В случае температурных флуктуаций в процессе выращивания кристаллов наблюдается локальное появление гранных форм на боковой поверхности кристаллов. Согласно данным ряда исследователей, легирование монокристаллов различными примесями ведет к изменению их габитуса. В результате исследований влияния некоторых примесей на степень развития гранных форм поверхности кристаллов установлено, что введение в состав шихты V, Сг, 218 [c.218]

СКОРО значительно ухудшает светопропускание ИАГ. Нарушение стехиометрического соотношения компонентов суш,ественно влияет и на сам процесс выращивания ИАГ изменяется габитус кристалла, т. е. происходит изменение относительных скоростей роста кристалла по различным кристаллографическим направлениям при выращивании из расплава на фронте кристаллизации наблюдается ячеистый рост нарушается гомогенность расплава и происходит захват включений второй фазы в кристалл. И, наконец, в условиях вакуума наблюдается заметное травление боковой поверхности кристаллов ИАГ продуктами испарения расплава. Перечисленные явления ухудшают оптическую однородность ИАГ и уменьшают полезное сечение кристалла. [c.220]

С кристаллографической точки зрения различие между а-и р-формами полугидрата может и не быть проявлением диморфизма. Смит [90] отмечает, что данный переход не связан с изменением кристаллической структуры пли равновесной упругости пара диссоциации. Более вероятно, что различие этих двух форм обусловлено разной поверхностной энергией, оказывающей влияние на величину площади поверхности при старении. Можно также объяснить такое поведение полугидрата изменением габитуса кристаллов. [c.222]

Уравнения (24.14) и (24.17) описывают в параметрической форме две ветви функции у = у (х) (см. рис. 40) и, следовательно, полностью определяют оптимальную форму включений в плоскости габитуса при любых значениях параметра а. Неопределенный множитель Лагранжа играет роль масштабного фактора. Его изменение приводит к изменению размеров контура у = у (х), но пе изменяет его формы. [c.219]

Рассмотрим ситуацию, когда комплекс представляет собой сэндвич , состоящий из чередующихся пластин двух равновесных фаз, имеющих габитус (001) (рис. 52). Соотношение между суммарными толщинами выделений двух фаз определяется когерентной диаграммой равновесия. В условиях, когда справедливо правило Вегарда (29.1), любое перераспределение атомов в объеме комплекса (в том числе и перераспределения атомов, приводящие к образованию двухфазной структуры) не приводит к изменению объема комплекса по сравнению с тем, который он занимал до фазового превращения. В результате мы приходим к выводу, что на больших расстояниях от границ комплекса поле упругих напряжений можно положить равным нулю. Последнее связано с тем обстоятельством, что на больших расстояниях можно пренебречь внутренней неоднородностью комплекса и рассматривать его как когерентное включение, имеющее ту же кристаллическую решетку, что и окружающая его матрица. Такое включение, естественно, не создает внутренних напряжений. [c.263]

Изменение габитуса при изменении пересыщения [c.349]

Изменение габитуса происходит не только в случае водных растворов. Оно имеет место также и при работе со спиртовыми растворами. Объяснение этого явления пока твердо еще не установлено. По Керну, структура пересыщенного раствора должна отличаться от структуры насыщенного раствора. Если пересыщение растет, концентрация растворителя в растворе уменьшается, так что на поверхности раздела кристалл — раствор происходит десольватация. Эта десольватация более легко идет на гранях с небольшим электростатическим полем и затруднена на гранях с большим электростатическим полем. Такое явление способствует увеличению ско- [c.349]

Изменение габитуса при замене растворителя [c.350]

Замена растворителя часто приводит к изменению габитуса, особенно-если имеет место сильное взаимодействие между молекулами растворителя и растворенного вещества. Ряд опытов по изучению этого явления был проделан Уэллсом [73]. [c.350]

Изменение габитуса при добавлении примесей [c.351]

III, 1). Результаты, получающиеся при растворении в полости, могут быть объяснены только действием адсорбированного слоя, которое, по-видимому, обусловливает также изменения габитуса и при росте. [c.352]

Изменение габитуса объясняют обычно исходя из предположения, что добавленные вещества адсорбируются на кристаллических гранях, в результате чего происходит уменьшение скорости роста. Адсорбированная примесь может включаться, а может и не включаться в кристалл. Возможны два вида включений частицы примеси адсорбируются индивидуально или, в другом случае, образуют маленькие кристаллы в основном кристалле, что в целом приводит к аномальным смешанным кристаллам (см. работы Ионсена [37] и Зейферта [63—65]). Во втором случае все маленькие кристаллы ориентированы одинаково Нейхауз [55] показал, что между элементарными ячейками двух веществ существуют простые геометрические соотношения. Бакли [7, стр. 245] показал, что включение примеси не является необходимым условием для модифицирования габитуса. Зейферт [65, стр. 258] был первым, кто обратил внимание на возможность уменьшения скорости [c.351]

Если проследить за изменением габитуса при использовании разных растворителей (см. раздел 111,2), то нетрудно заметить, что одинаковые изменения часто вызывают растворители, которые близки химически например, различные амины оказывают на йодоформ одинаковое действие. Это может свидетельствовать о хорошем пространственном соответствии при укладке молекул примеси на развивающейся грани. [c.352]

В заключение отметим, что кроме диффузионных фазовых превращений существует довольно обширная группа бездиффузи-оппых фазовых превращений, идущих без изменения состава (полиморфные и мартенситные превращения). Теоретический анализ структуры, образующейся в результате бездиффузионного фазового превращения, был впервые предложен в работах [222, 223]. В них развит геометрический подход, который позволил установить габитус и морфологию мартенситных кристаллов. Шаг вперед был сделан в работах [162, 214, 224], в которых явно учтены внутренние напряжения, возникающие при когерентном сопряжении фаз. В [162, 214, 224] показано, что бездиффузионные фазовые превращения также приводят к образованию упругих доменов. Процесс доменизации здесь, как и во всех рассмотренных выше случаях, обусловлен релаксацией внутренних напряжений при фазовых превращениях. [c.299]

Изменения габитуса при модифицировании процесса роста [c.354]

Установлено также, что влияние затравки может быть компенсировано за счет изменения ее ориентации. Если применять для разращивания аметиста в щелочных средах затравки базисной ориентации ограниченной площади, то после выклинивания быстрорастущей пирамиды <с> за счет нарастания граней основных ромбоэдров можно получать однородные кристаллы бипирамидального габитуса, головки которых могут служить заго-.товками ювелирных камней, полностью соответствующих по морфологическим и физическим характеристикам естественным аметистам. Таким путем полностью устраняется влияние несовершенств поверхностного слоя, поскольку базисные плоскости протравливаются в достаточной мере даже в калиевых средах. Нередко трещины в синтетическом аметисте возникают непосред-186 [c.186]

Муллит I, синтезированный из каолинита, был подразделен на муллитообразную фазу и муллит призматический. Моментом появления муллитообразной фазы авторы [10] считают 950 °С. Габитус кристаллов муллитоподобной фазы изометрический и короткостолбчатый. Повышение температуры ведет к увеличению размеров кристаллов, изменению их габитуса и превращению в призматический муллит. [c.145]

Если адсорбция специфична, отравляются грани только некоторых простых форм, и резко меняется габитус. Так, кристаллы КН2РО4, растущие из чистых растворов короткопризматическими, с примесями ионов тяжелых металлов дают кристаллы вытянутого, игольчатого габитуса, поскольку рост граней призмы полностью заторможен, а на грани дипирамиды воздействие примесей сказывается слабо. Одновременное наличие таких примесей приводит к выклиниванию кристаллов (см. ниже). Если адсорбция неспецифична, могут измениться существенно скорости роста всех граней приблизительно на одно и то же значение, что также будет сопровождаться изменением облика кристаллов. [c.50]

Суито и Уеда установили, что превращение метастабильной а-модификации фталоцианина меди в устойчивую р-модифика-цию имеет место при помещении свежеполученного препарата в органические жидкости — бензол, пиридин и др В таких суспензиях вначале мелкие хлопьевидные частицы вырастают в лентовидные, хорошо образованные кристаллы, причем изменяется также структура решетки фталоцианина (фото 50). Изучение кинетики процесса позволило установить значительную температурную зависимость скорости превращения, а также высказать предположение, что в начальной стадии происходит рост кристаллов без изменения их решетки. Далее авторы применили метод микродифракции к изучению плотообразных участков параллельно ориентированных удлиненных кристаллов р-фталоциапина меди [51, 52]. Это позволило показать, что ось кристалла совпадает с осью Ь элементарной решетки, и определить габитус лентовидных кристаллов, который, как отмечалось ранее [11, 12], может быть двояким. Что касается кристаллов фталоцианина меди, образующихся в микроскопе благодаря возгонке под действием электронного пучка, то они мало чем отличаются от а-модификации. [c.200]

Клебер [46, 47] сравнил уменьшение удельной свободной энергии поверхности /-граней и К-граней, обусловленное адсорбцией молекул растворителя. Он показал, что разность между величинами ДОр. и Ao максимальна, когда концентрация растворителя не слишком велика и не слишком мала . Наибольшие изменения габитуса происходят при этой максимальной разности. Если уменьшение поверхностной свободной энергии одинаково для обоих типов граней, габитус почти не изменяется. По Странскому [72], уменьшение свободной энергии поверхности определяется соотношением [c.350]

Линденберг [51] изучал изменение габитуса кристаллов п-нитроанили-на, п-нитросалола, бензойной кислоты и фталевой кислоты. Кристаллы п-нитроанилина относятся к моноклинной сингонии и из большинства растворителей образуются в виде длинных игл [010] с формами 101 и 101 , оканчивающимися формами 110 и 111 . Часто форма O l доминирует, давая пластинчатый габитус. Если растворителями служаг анилин, о-толуидин и ж-толуидин, то кристаллы растут также в виде пластинок 101 , у которых следующая по значимости форма 100 , тогда как форма 101 или отсутствует, или незначительна. [c.350]

Каковы же структурные соотношения граней, которые появляются у того или иного кристалла, если при его росте в растворе содержится определенная примесь Банн [8] и Керн [39, 40] нашли геометрические отношения между кристаллическими структурами примеси и основного вещества. Эти отношения проявляются в эпитаксии (ориентированном нарастании). Элементарные петли параллельных плоскостей решеток двух веществ имеют при этом размеры, которые дают приблизительно простое отношение. Линденберг [51 ] предложил ту же гипотезу для объяснения изменений габитуса, обусловленных применением разных растворителей. Если считать, как это делал Уэллс 73], что растворитель также является примесью, то можно объяснить многие изменения габитуса, допуская существование эпитаксических отношений между растущими гранями и плотно упакованной гранью кристаллической структуры примеси. При этом адсорбированную примесь следует рассматривать как кристаллическую пленку. [c.352]

Общий термодинамический подход к изменению габитуса был дан Близнаковым [1—3]. Адсорбция приводит к уменьшению свободной энергии поверхности, поэтому условие Гиббса для равновесной формы теперь можно записать в следующем виде [c.352]

При кристаллизации из метанола главной была форма 211 , которая не является формой f-граней. Как оказалось, соединение Hg( N)2 образовывало с метанолом сольват. Была определена кристаллическая структура сольвата, и оказалось возможным дать структурное толкование изменения габитуса. Наиболее развитая грань сольвата хорошо подходит к грани (211) [c.358]

Если считать сам растворитель примесью, то можно провести аналогию между рассмотренным изменением габитуса и двумя другими случаями, объяснение которых было предложено лишь недавно. Этими случаями являются взаимное воздействие на изменение габитуса кристаллов мочевины и Na l, которое изучали Палм и Мак-Гиллаври [92], и взаимное воз- [c.358]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология