Роль двухмерных зародышей

Роль двухмерных зародышей [c.382]

Рассмотрение рис. 8 показывает, что образуемая системой бензольных колец плоская решетка и по конфигурации и по размерам сходна с плоскими решетками в кристаллическом бензоле. Это сопоставление наводит на мысль, что. взаимодействие между отдельными частицами бензола, выявляемое в кристаллическом бензоле при низких температурах, может играть не последнюю роль в элементарных актах катализа. В этом случав могут играть некоторую роль чисто кристаллохимические затруднения, связанные с образованием двухмерных зародышей. Рассмотрение каталитических актов как процессов кристаллизационного типа дает новые интересные возможности для интерпретации явлений гетерогенного катализа. [c.149]

Механизм роста нитевидных кристаллов Сирс связывает с особо большой ролью дислокаций [особенно винтовых дислокаций (см. 10.3.2)], которые расположены в направлении оси нитевидного кристалла. Таким образом, на свободной торцовой грани кристалл растет по спиралям, в то время как боковые грани усов растут только через образование плоских зародышей. Следовательно, для образования усов переохлаждение должно быть меньше критического, при котором происходит рост кристалла через двухмерные зародыши. Отсюда вытекает, что ограничивающими поверхностями усов являются основные грани роста, которые растут от плоских зародышей. В большинстве случаев они действительно наблюдаются экспериментально как ограничивающие элементы. Теоретически длина усов [c.333]

На рис. 117 изображена модель двухмерного зародыша, атомы которого представлены в виде кубиков. Как видно, атом, лежащий в середине, например отмеченный крестом, имеет больше связей со своими соседями, чем любой из атомов, расположенных на кромке. В этом смысле периметр двухмерного зародыша аналогичен поверхности зародыша объемного. Поэтому, определяя работу образования двухмерного зародыша, вместо площади граней нужно учитывать величину периметра и вместо поверхностного натяжения— краевое натяжение. Это не изменит наших выводов, и роль поляризации (или пересыщения) как фактора, уменьшающего работу и увеличивающего вероятность зарождения кристалла, будет иметь такое же значение. [c.477]

Фольмер, первым из ученых, привлек к объяснению роста кристаллов процессы адсорбции. Им были введены очень важные понятия о двух- и трехмерных зародышах критических размеров и об их роли в построении новой твердой фазы. Рост трехмерных зародышей происходит при образовании на их поверхности двухмерных зародышей, составляющих адсорбционный слой, который расположен на границе раздела твердой и жидкой фаз. [c.39]

До сих пор еще пе ясно, какой из вариантов является наиболее вероятным все же предпочтение, по-видимому, следует отдать двум иоследним. Существование адатомов (или адионов) было доказано рядом независимых методов, которые позволили также определить их концентрацию. Поверхностная диффузия частиц должна играть наибольшую роль в тех случаях, когда участки роста (дислокации, двухмерные зародыши) занимают лишь незначительную долю поверхности. Тогда, вследствие большого расстояния Ха, на которое должны переместиться адсорбированные частицы до места их включения в решетку, градиент концентрации Асив.с1х,1, а следовательно, и скорость поверхностной диффузии будут малы. Поверхностная диффузия может оказаться замедленной стадией при электроосаж-деыии металлов. Эти условия реализуются на бездефектных гранях (или гранях с малым числом дефектов) и в области низких поляризаций (малые илотности тока), когда число зародышей невелико. [c.342]

В случае, когда лимитирующей является кристаллохимическая стадия [уравнение (17)], с повышением температуры уменьшается размер критического двухмерного зародыша [см. уравнение (14)], а следовательно, и работа его образования, что также увеличивает скорость роста кристаллов. Кроме того, определенную роль при этом играет уменьшение гидратации ионов в растворе, резко ускоряющее переход вещества из полуупорядоченного слоя на грани кристалла. Это предположение 100 подтверждается исследованиями [160, 206—208], устанавливаю- [c.100]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология