Квазихимические реакции с участием дефектов

Принцип структурного разупорядочения. Если кристалл находится в равновесных условиях, то концентрации дефектов взаимосвязаны и квазихимическое приближение, основанное на применении закона действия масс, позволяет найти зависимость концентрации любого сорта дефектов от параметров состояния. В рамках подобных представлений удалось объяснить многие теплофизические, электрические, магнитные, оптические и механические свойства материалов, а также воздействовать на интенсивность процессов, протекающих с участием твердых фаз (структурные превращения, окисление металлов и сплавов, процессы спекания, гетерогенного катализа и твердофазные реакции). [c.167]

Уравнения (3.8) —(3.10), равно как и полученное в подразд. 2.4 для концентраций электронов проводимости и дырок в собственных полупроводниках уравнение (2.56), имеют вид, сходный с законом действующих масс для реакции образования соответствующих дефектов, что позволяет рассматривать установление равновесия в этих процессах аналогично установлению равновесия химических реакций. Такой подход к процессам с участием точечных дефектов в кристаллах называют квазихимическим, поскольку при этом в качестве реагентов рассматривают только отклонения от идеального бездефектного состояния кристаллической рещетки. Также по отнощению к нормальному зарядовому состоянию того или иного элемента (узла или междоузлия) рещетки рассматривают и заряды точечных дефектов. [c.121]

В предыдущем разделе химические потенциалы дефектов были вычислены в формализме относительных составляющих единиц. В данном разделе мы рассмотрим применимость закона действия масс к квазихимическим реакциям с участием дефектов в рамках обоих формализмов — как относительных составляющих единиц, так и структурных элементов. [c.65]

IX.1.1. Квазихимические реакции с участием дефектов [c.187]

Для кристаллов неметаллических соединений, обладающих преимущественно ковалентной связью, характерны в основном те же типы атомной разупорядоченности, что и для интерметаллических соединений, а именно дефекты Шоттки, Френкеля и антиструктурные дефекты. Однако здесь картина значительно усложняется из-за взаимодействия атомных дефектов с квазисвободными электронами и дырками, в результате которого атомные дефекты могут находиться как в нейтральной, так и в заряженной форме. Поэтому при вычислении равновесных концентраций дефектов в полупроводниковых соединениях необходимо учитывать все квазихимические реакции, протекающие с участием как нейтральных, так и заряженных дефектов, в том числе квазисвободных электронов и дырок. [c.115]