Соединения полупроводниковые

Большинство соединений полупроводникового типа обладает значительной широтой области гомогенности, и преобладание вакансий по неметаллу делает их п-полупроводниками, а преобладание вакансий по металлическим атомам приводит к образованию полупроводников р-типа. Точные стехиометрические соотношения компонентов дают минимальное значение электрической проводимости. На рис. 208 схематически показано изменение электросопротивления ZnS в зависимости от наличия тех или иных вакансий. [c.435]

Во, многих схемах автоматических устройств защиты от коррозии подземных металлических сооружений используется параллельное соединение полупроводниковых диодов. Такое соединение диодов применяют в тех случаях, когда номинальный выпрямленный ток установки /н.у выше номинального тока одного вентиля. При параллельном соединении диодов разброс прямых ветвей их вольт-ампер-ных характеристик вызывает неравномерность распределения тока между параллельно включенными вентилями этому же часто способствует неодинаковое сопротивление монтажных соединений (провода, шины) в установке. [c.35]

Наиболее современные методы изготовления образцов сводят к минимуму ошибки, обусловленные вторым механизмом, однако вопрос о влиянии первого механизма на процесс проводимости в молекулярных кристаллах до сих пор остается трудноразрешимым. Полностью удовлетворительной модели проводимости для молекулярных кристаллов в настоящее время, по-видимому, не существует. Модель, рассматривающая перескок электронов, была выдвинута для твердых комплексов некоторых ароматических молекул с щелочными металлами и галогенами [355, 456, 957]. С незначительными изменениями эту модель можно использовать для чистых соединений. Полупроводниковый характер проводимости твердых органических материалов, по-видимому, часто связан с наличием я-электронных конфигураций в молекулах [7, 9, 269, 1076] к таким материалам относятся фталоцианины, красители и многие ароматические структуры, содержащие кислород, азот и другие элементы, а также углерод и водород. [c.109]

Если на оболочки кабелей должен быть наложен потенциал, превышающий /вкл, то в плечо устройства устанавливается необходимое количество последовательно соединенных полупроводниковых приборов. [c.79]

Реактивы, редкие и рассеянные металлы и их соединения, полупроводниковые материалы [c.50]

Люминофоры, в которых лю шнe цeнция связана с образованием и рекомбинацией разноименных зарядов (электронов и дырок), получили название рекомбинационных. Основой для них служат соединения полупроводникового типа. В этих люминофорах кристаллическая решетка основы является той средой, в которой развивается процесс люминесценции. Это дает возможность, изменяя состав основы, широко варьировать свойства люминофоров. Изменение ширины запрещенной зоны при использовании одного и того же активатора плавно в больших пределах Изменяет спектральный состав излучения. [c.5]

Способность неопределенных соединений полупроводникового типа увеличивать интервалы непрерывного изменения энергии химической связи при взаимодействии с атомами или молекулами дальтонидов за счет изменения электронных зарядов связей от нуля, т. е. от ван-дер-ваальсовой связи, до 2,5 (т-электронов, т. е. до усиленной полной ковалентной связи. Определенные соединения такой способностью не обладают электронные заряды связей в них изменяются в пределах 0,6 о-электрона, т. е. от ослабленной до усиленной ковалентной связи, или количественно от 1,8 до 2,4 э. Различие между определенными и неопределенными соединениями в этом отношении в свою очередь связано со способностью твердых тел астехиометрического состава к химическому взаимодействию, посредством электронного и дырочного газа. [c.394]

Все сказанное выше относится главным образом к простым реакциям, проходящим во внешней сфере координационных соединений. Теоретическое и экспериментальное изучение более аложных систем (реакции во внутренней сфере координадионных соединений, полупроводниковых электродов и т.п.) продолжается, и в настоящее время уже накоплено брльшое чиqлo данных по количественному и качественному описанию таких электродных реакций. [c.174]

Заметная фоточувствительность обнаружена у некоторых металлпч. электродов, свободных от поверхностных окислов и других химич. соединений полупроводникового характера, когда кванты света поглощаются поверхностными атомами металла к явлениям этого типа относится ускорение под действием света процесса выделения водорода на металлах. В простейшем случае фотоэффект рассматривается как эмиссия электронов пз металла в р-р, к-рая наступает прп пороговой частоте v [c.280]

На практике установлено, что органические молекулы с развитой сопряженной системой отвечают этому требованию. Некоторые из соединений, полупроводниковые свойства которых уже исследованы а также значения Ае и стго (проводимость при комнатной температуре) для них приведены ниже [c.62]

В последнее время уделяется большое внимание изучению органических соединений полупроводниковых материалов, в том числе фта-лоцианина и его металлических комплексов. Такие полупроводникозые материалы, как германий и крем1[ий, применяемые в электронной технике, имеют ряд существенных недостатков. Например, рабочая температура германиевых приборов из-за малой ширины запрещенной зоны германия (0,7 эв.) составляет 70°—80°С, у кремниевых же приборов мала подвижность носителей тока. [c.12]