Дефекты в кристаллах чистых простых веществ

Дефекты в кристаллах чистых простых веществ [c.237]

Р и с. х.6. Температурная зависимость концентрации дефектов в кристалле чистого простого вещества, в котором вакансии могут захватывать по два электрона. [c.247]

Точечные дефекты, связанные с примесными атомами. До сих пор мы рассматривали дефекты, получающиеся в идеально чистых кристаллах простых веществ и индивидуальных химических соединениях. Но это лишь предельная абстракция, таковых веществ в действительности не существует. Каждое вещество содержит то или иное количество примесей, т. е. атомов постороннего вещества. [c.258]

Р и с. Х1.6. Концентрация дефектов в кристалле простого вещества как функция рр прп постоянной температуре. В чистом кристалле п р, Р — донор (а) = [c.261]

С теоретической точки зрения чистое вещество представляет собой физически и химически однородное простое вещество или химическое соединение, состоящее из одного определенного вида атомов, молекул, или определенного набора ионов, обладающее особым, присущим только этому веществу комплексом свойств. К кристаллическим веществам применимо следующее положение химическая чистота те1у1 выше, чем меньше число физических нарушений в кристаллах (дислокаций, вакансий, границ зерен и т.д.), так как химические примеси преимущественно скапливаются в области физических дефектов. [c.63]

Остановимся на частном случае — распределении примесного атома Р между кристаллом простого вещества, состоящим из атомов М, и его расплавом. Задача заключается в нахождении линий ликвидуса и солидуса для простой бинарной системы М — Р и соотношения между ними, т. е. коэффициента распределения примеси. Эта задача уже обсуждалась в разделе III.5. Для германия с примесями доноров и акцепторов было обнаружено, что описание через распределяющиеся между двумя фазами атомы Р приводит к неожиданно большим значениям энтропии примеси в твердом теле, которые предположительно были приписаны различиям в колебательных спектрах Р в М и Р в собственном (чистом) кристалле. Однако для того, чтобы правильно описать распределение примеси между фазалш, необходимо принимать во внимание точное состояние примесных атомов в кристалле, т. е. знать, находятся ли они в нейтральной или ионизированной форме, в виде простых дефектов, или ассоциатов, в каких местах решетки расположены и т. д. Кроме того, нужно учитывать, какой области отвечает состояние системы [121. Указанные [c.271]

На основании приведенной выше классификации механизмов внедрения, казалось бы, можно сделать вывод о том, что для данной примеси в данной основной решетке тип образующегося твердого раствора является всегда определенным. Однако это не так. Как первоначально было показано, для сульфида кадмия [11, 12], содержащего примесь Ga, In, l или Ag, механизм внедрения может изменяться в зависимости от условий приготовления. Так, в системе dS + Ga в сульфирующих условиях внедрение атомов примеси сопровождается образованием вакансий, тогда как в восстановительных условиях наблюдается внедрение по механизму контролируемых электронных дефектов. Позже подобное явление было обнаружено для PbS [13], РЬТе [14] и dTe [15]. Такое изменение механизма внедрения легко объяснимо [16]. В разделе XI.2.3 уже говорилось, что механизм внедрения атомов примеси в кристалл простого вещества зависит от того, являются ли они однократными или многократными донорами или акцепторами, а также от типа собственных заряженных дефектов, определяющих условие нейтральности для чистого основного кристалла. Это положение выполняется и в случае соединения. Однако здесь имеется существенное отличие. В простом твердом веи естве тип преобладающих заряженных собственных дефектов обычно является вполне [c.423]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология