Дислокация криволинейная

Нередки случаи возникновения дислокаций смешанного типа — криволинейных. [c.175]

Значительно сложнее расчет упругих полей вокруг прямолинейной краевой дислокации (в отличие от винтовой, чисто краевая дислокация может быть криволинейной, если линия дислокации лежит в плоскости, перпендикулярной вектору Ь). Пусть ось z по-прежнему направлена по оси дислокации, а ось х — вдоль вектора Бюргерса [c.262]

Краевая и винтовая дислокации являются прямолинейными. При данном векторе сдвига область сдвига внутри кристалла может быть ограничена произвольной плоской кривой (криволинейная дислокация, рис. 4.20), а также являться не плоскостью, а поверхностью, каждая точка которой параллельна вектору сдвига. [c.224]

Выше мы описалп два крайних случая дислокаций линейной и винтовой. Реальные случаи, как правило, представляют собою комбинацию этих двух идеальных случаев. При этом образуется криволинейная дислокация с произвольными кривыми поверхностями скольжения. Описать такую дислокацию в каждом конкрег-ном случае часто бывает трудно. Однако отдельные ее части обычно удается свести к описанным выше идеальным случаям. [c.261]

Мощность дислокации измеряется длиной ее вектора Бургерса. Геометрия дислокации полностью характеризуется ее вектором Бургерса и ее положением. Винтовая дислокация лежит параллельно ее вектору Бургерса. Краевая дислокация лежит под прямым углом к ее вектору Бургерса. Криволинейная дислокация может варьировать по характеру между краевой и винтовой дислокациями вдоль своей длины, но ее вектор Бургерса остается неизменным. Соответственно дислокационная линия никогда не может закончиться в кристалле. Она может закончиться на свободной поверхности, замкнуться на себя или соединиться с другими дислокациями. [c.15]

Винтовые дислокации бывают правые и левые, причем направление вращения играет ту же роль, что и знак у краевых дислокаций две правые или две левые винтовые дислокации взаимно отталкиваются, правая и левая — притягиваются. Таким образом, и винтовая, и краевая дислокации — это границы между сдвинутой и несдвинутой частями кристалла, причем краевая дислокация перпендикулярна вектору сдвига, а винтовая — параллельна ему. В реальном кристалле область сдвига может быть ограничена более сложной, в общем случае криволинейной, границей АС (рис. 265), или смешанной дислокацией. На рис. 266 показана схема расположения атомов в области смешанной дислокации, причем выделены краевая (АА ) и винтовая (С С) компоненты. [c.317]

Возникновение ступеней. Поскольку, как показано в начале предыдущего раздела, скорость роста кристалла должна зависеть в первую очередь от скорости образования новых слоев, нам необходимо рассмотреть, как можно получить правильную скорость образования слоев. Эта скорость будет в то же время равна скорости распространения слоев, вычисленной выше. Для этого предположим, что эшелон ст5шеней обусловлен ростом и распространением спиральной ступени. Такая ступень образуется благодаря винтовой дислокации, как описано в разделе 1 .11. При движении ступеней спираль, очевидно, будет вращаться, и это создает эшелон ступеней, исходящих из центра спирали. Ступени, конечно, будут криволинейными, но это не повлияет на качественные рассуждения предыдущего раздела, которые приложимы как к прямолинейным, так и к криволинейным ступеням. При таком спиральном механизме происходит автоматическое образование ступеней со скоростью, равной скорости их распространения. [c.175]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология