Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Ступени на поверхности образование

    Компрессор с дифференциальным- поршнем может иметь несколько ступеней сжатия, образованных поверхностью цилиндра и поршнем переменного (дифференциального) сечения. Соотношение между сечениями поршня зависит от степени сжатия в каждой ступени. [c.164]

    Нет принципиальных отличий и в механизме роста кристаллов из газовой фазы и, например, из раствора. Атомы, достраивающие кристалл, адсорбируются на его поверхности и быстро диффундируют по поверхности кристалла на большие расстояния до того, как они вновь испарятся или будут захвачены ступенями роста в том месте, где они образуют наибольшее число связей с кристаллом. Многократное повторение таких захватов адсорбированных атомов ступенями роста приводит к тому, что ступень роста за счет этого достраивания движется по поверхности кристалла до тех пор, пока она не достигнет грани кристалла. Когда это произойдет, ступень роста как таковая исчезает и, чтобы рост кристалла продолжался, необходимо образование новой ступени. Ее образование начинается с адсорбции или хемосорбции одиночного атома на поверхности и развивается присоединением к нему соседних атомов. Средний радиус зародыша г, с достижением которого такой островок начинает разрастаться, можно найти из условия, что вероятность присоединения атома равна вероятности его отрыва  [c.375]


    Таким образом, можно сделать вывод, что при наличии постоянно действующего источника ступеней скорость роста сдерживается адсорбцией атомов из пара и их диффузией к ступеням по поверхности. Когда ступень достигнет края кристалла, необходима новая ступень. Ее образование начинается с адсорбции или хемосорбции одиночного атома на поверхности и развивается путем присоединения к нему соседних атомов как к острову на кристаллической грани. Средний радиус зародыша г, с достижением которого такой островок начинает разрастаться, находят из условия, что вероятность присоединения атома равна вероятности его отрыва. Это дает [c.115]

    Скорость реакции пропорциональна поверхности контакта [7] между СаО и С, поэтому реакция протекает с очень высокой скоростью при использовании прессованных брикетов из порошкообразного сырья. Вторая ступень реакции образования карбида протекает по уравнению [c.190]

    Отсутствие или недостаточное количество охлаждающей воды, неисправность всасывающих пли нагнетательных клапанов в какой-либо ступени сжатия, образование накипи на рубашках цилиндров и трубках холодильников, загрязнение обдуваемой воздухом поверхности и некоторые другие аналогичные причины повышают температуру конца сжатия до величины, значительно большей, чем расчетная. [c.47]

    Поскольку хроматографическое разделение катионов металлов проводится при значениях к < 10 15, то логично допустить, что комплексообразование в хроматографической колонке протекает только по первой ступени с образованием протонированных комплексов состава 1 1 на поверхности и величина [Мк] " может быть выражена как [c.425]

    Сравнение реакционной способности ступенчатых поверхностей кристалла с реакционной способностью нанесенных Р1-катализаторов показывает, что структура полидисперсных частиц Р1 в катализаторе может быть с успехом воспроизведена ступенчатыми поверхностями. Установлено, что атомарные ступени играют определяющую роль при превращениях углеводородов, а также при диссоциации Н2 и других двухатомных молекул с большой энергией связи [237]. Показано, что реакция дегидрирования циклогексана до циклогексена не зависит от структуры поверхности монокристалла Р1 (структурно-нечувствительная реакция). В то же время реакции дегидрирования циклогексена и гидрогенолиза циклогексана структурно-чувствительны. В свете полученных результатов предложена [238] расширенная классификация реакций, зависящих от структуры поверхности металла. А именно, предложено отнести к особому классу реакции, скорость которых зависит от размера активных частиц катализатора или от плотности атомарных ступенек и выступов на них, и реакции, скорость которых зависит от вторичных изменений структуры поверхности катализатора (например, из-за образования в ходе реакции углеродистых отложений, а также других эффектов самоотравления). На основе проведенного анализа предложена модель каталитически активной поверхности Р1, учитывающая атомную структуру поверх- [c.165]


    Кристаллическая поверхность твердого тела неоднородна. На ней всегда имеются микроскопические участки, занятые химически активными группами атомов и так называемые поверхностные активные центры, служащие центрами адсорбции. Одной из причин их появления может служить выход разных кристаллических плоскостей на поверхность. Роль такого центра может играть также поверхностный атом основной кристаллической решетки со свободной связью. Появление активных центров может быть связано с неустранимыми дефектами поверхности, например с местом выхода на поверхность дислокаций, где кристаллическая решетка сильно возмущена и где в результате этого возникают очень активные поверхностные атомы. Причиной неоднородности поверхности могут стать способ и характер предварительной ее обработки, приводящей к образованию на монокристаллах ступеней, уступов, широких террас и других подобных дефектов, а также микроскопические примеси постороннего вещества, загрязняющего поверхность. [c.181]

    В первой дислокационной модели предполагается правильное распределение моноатомных ступеней на поверхности растущего кристалла, что проявляется в образовании гладкой поверхности. В действительности, однако, поверхность содержит множество дефектов, которые при росте приводят к возникновению шероховатой поверхности. Структура поверхности обусловливает двил<ение слоев и, следовательно, скорость роста. [c.274]

    Механизм возникновения усталости на воздухе связывают с образованием локализованных плоскостей скольжения в зернах металла при знакопеременной нагрузке, в результате чего на поверхности металла возникают ступени скольжения. Возможно, [c.162]

    Тронковые поршни первой и второй ступеней обычно выполняют с двумя уплотняющими кольцами, обращенными к плоскости сжатия, и двумя маслосъемными кольцами, предназначенными для удаления излишков масла, попадающего из картера при смазке разбрызгиванием. Избыток масла на поверхности цилиндра вызывает его перерасход, образование нагара на клапанах и в трубопроводах, отложение продуктов разложения масла в ресивере, что может явиться причиной взрывов в пневматических установках. [c.179]

    Сырье, поступающее на гидрокрекинг, не должно содержать высокомолекулярных конденсированных соединений, а также асфальтенов. Превращение этих соединений в условиях гидрокрекинга приводит к образованию кокса, который оседает на поверхности катализатора, что способствует быстрой дезактивации последнего. Содержание в небольших количествах этих соединений в вакуумных дистиллятах или деасфальтизатах, которые поступают на переработку, не имеет существенного значения. Если содержание коксообразующих соединений велико, то сырье подвергают гидрированию на 1-й ступени, а на 2-ю ступень подают облагороженное сырье. [c.258]

    Из рис. 6-46 видно, что минимальная толщина лент получается при отношении графита к серной кислоте 1 3, что связано, как отмечалось выше, с уровнем химического потенциала, обусловливающим образование МСС I ступени. Содержанием серной кислоты в реакционном объеме определяются изменения рентгеноструктурных характеристик расщепленных графитовых частичек (та бл. 6-23). Избыток серной кислоты, как видно из таблицы, приводит к разупорядочению структуры и, по-видимому, к нарастающему образованию графитовой окиси С40 Н , где у в интервале от 1,02 до 1,94 и от 0,46 до 1,97, а также к другим побочным реакциям фазового окисления. Особенно интенсивно этот процесс протекает при горячем окислении. Он связан с образованием ковалентных связей с ОН и О и конверсией углерода в СО2 [6-150]. Подобный же процесс может происходить и при переокислении азотной кислотой с образованием карбонильных групп на поверхности графитовых частичек [В-4]. [c.370]

    Тогда линия АВ представляет собой винтовую дислокацию, а в точках А W В возникают ступени, которые распространяются до кромки кристалла. При осаждении металла ступень, расположенная на верхней грани, продвигается направо, что вызывает образование у центра дислокации А новой ступени, перпендикулярной первоначальной, В конечном итоге продолжение роста развивает на поверхности кристалла спирали. Нижние слои распространяются по всей площади, утолщая кристалл, а верхние участвуют в спиралевидном росте. Таким образом, ступени, возникающие при винтовых дислокациях, дают начало неисчезающему спиральному [c.318]

    Долгое время не удавалось экспериментально подтвердить правильность соотношений (62.12) и (62.16). Это можно объяснить, во-первых, тем, что реальная структура поверхности кристалла оказывается гораздо более сложной, чем предполагалось в теории Фольмера и Эрдей-Груза. Так, на кристаллической поверхности электрода имеются ступени атомной высоты s, выступы, или кинки к, реберные вакансии I и дырки h (рис. 169). Во-вторых, поверхность электрода в ходе электроосаждения непрерывно изменяется, а потому меняется истинная плотность тока, а следовательно, и перенапряжение. В результате обычный метод снятия стационарных поляризационных кривых имеет ограниченные возможности. Наконец, на практике стадия образования зародышей не всегда оказывается наиболее медленной. В зависимости от природы металла и условий опыта процесс электрокристаллизации может лимитироваться диффузией реагирующих частиц к поверхности, химическими реакциями в объеме раствора и на поверхности электрода, стадией разряда, а также поверхностной диффузией разрядившегося иона (адатома) и встраиванием его в кристаллическую решетку. Поэтому количественная проверка изложенной теории оказалась возможной лишь после того, как в 50-х го- [c.331]


    Важной и до сих пор нерешенной проблемой является установление количественного соотношения между термодинамическим потенциалом фо (или потенциалом плотной части двойного слоя фй) и электрокинетическим потенциалом В зависимости от толщины слоя повышенной вязкости Д вблизи поверхности твердого тела электрокинетический потенциал может приближаться к значению потенциала адсорбционного слоя противоионов фй или быть меньше его. В некоторых случаях (например, для кварца), как было показано, в частности, в исследованиях Д. А. Фридрихсберга и М. П. Сидоровой, отличие электрокинетического потенциала от термодинамического может быть связано с гидратацией ( набуханием ) поверхности твердого тела и образованием трудно деформируемого гелеобразного слоя, на который приходится часть падения потенциала. Различие ф - и -потенциалов может быть также связано с микрошероховатостью поверхности твердого тела — наличием на ней ступеней роста, выходов дислокаций и других дефектов (см. гл. IV). [c.191]

    Механизм реакции дегидрирования с отщеплением одной молекулы водорода легко себе представить как процесс, обратный гидрированию во всех стадиях, и в данном случае промежуточной ступенью является образование адсорбированного радикала (полугидрированное состояние). Согласно мультиплетной теории в процессе дегидрогенизации циклогексана, молекула последнего ориентирована определенным образом по отношению к секстету атомов катализатора. Три молекулы водорода отщепляются последовательно, причем шестичленное кольцо не десорбируется с поверхности до тех пор, пока не отщепятся все три молекулы водорода. Обратный процесс — гидрирование бензола — протекает таким же-образом. [c.233]

    Оказалось, что большинство правил для повышения эффективности колонки, выведенных для проявительной хроматографии ПернелЛом и др. (5], применимо к проточной хроматографии, за одним исключением. Очень большие скорости потока способствуют размытию ступеней и образованию наклонных плато. Была исследована причина этого явления. Важно то обстоятельство, что в случае больших поверхностей даже при распределительных колонках имеет, по-видимому, место измеримая адсорбция на твердом носителе. На чистой колонке, когда первый компонент пробы (первая ступень ) в разбавленном потоке газа-носителя приходит в соприкосновение с поверхностью адсорбента, часть вещества сорбируется. Однако, когда появляется второй компонент (возникает вторая ступень), сорбирующийся обычно более сильно, происходит вытеснение первого компонента из адсорбента. Десорбция этого небольшого количества первого компонента приводит к появлению на ступенчатой кривой пика на плато первого компонента, как раз перед образованием второй ступени. Подобный эффект усложняет дифференциальную запись кривой. [c.127]

    Просвечивающая электронная микроскопия [221] показала, что на ранней стадии осаждения родия на поверхности (111) серебра происходит образование дискретных ориентированных пирамид. В этом случае их распределение на поверхности имеет случайный характер. Однако при осаждении кристаллитов золота даже на моноатомных ступенях каменной соли неоднократно наблюдалось предпочтительное осаждение. Это явление будет обсуждаться в данном обзоре в качестве примера использования метода делинеаризации поверхностных ступеней (рис. 23). Предпочтительное образование центров кристаллизации на ступенях поверхности может возникнуть как для ориентированных, так и для неориентированных осадков в последнем случае ориентация кристаллитов на ступенях оказывается такой же, как и в том случае, когда зарождение центров кристаллизации на поверхности носит случайный характер. Иногда при осаждении металлического пара на другом металле возникают осложнения, вызванные образованием сплава. Если медь осаждается на золоте при комнатной температуре, то образуется тонкий слой сплава медь — золото [226]. Лишь после осаждения других, новых слоев меди можно методом электронной дифракции определить параметры решетки меди. [c.184]

    Главная особенность дихалькогенидов переходных металлов-анизотропия поверхностных, электрохимичесвих и других свойств, обусловленная слоистым характером кристаллической решетки. Как уже отмечено в разд. 4.3.2, поверхности, параллельные слоям плотно упакованных атомов (так называемые ван-дер-ваальсовы поверхности) отличаются наименьшей плотностью дефектов и близким к идеальному электрохимическим поведением. Напротив, поверхности, образованные под углом к слоям, имеют большое число дефектов (ступеней), которые являются центрами рекомбинации. Поэтому электроды со ступенчатыми поверхностями имеют посредственные фотоэлектрохимические характеристики. К тому же на ступенях обычно повышена специфическая адсорбция ионов [209], и это приводит к увеличению скачка потенциала в слое Гельмгольца и, как следствие, к закреплению уровня Ферми на поверхности, что снижает фотопотенциал (см. разд. 4.3.2). [c.150]

    Ускорение ползучести в условиях действия адсорбционноактивных сред отмечалось неоднократно. В работе [261] рассматривается один из возможных механизмов влияния снижения свободной поверхностной энергии на некоторые механические характеристики твердых тел, в том числе и на скорость ползучести. Сущность механизма заключается в том, что свободная поверхность, наряду с межзеренной, рассматривается как основной источник точечных дефектов (вакансий) в объеме поликристалла. Мощность этого источника зависит от равновесной концентрации С - изломов на поверхностных ступенях атомарной высоты. Элементарный акт образования вакансии на поверхности заключается в переходе атома твердого тела на излом атомарной ступени. Следовательно, поток вакансий с поверхности кристалла в его объем должен возрастать при уменьшении поверхностной энергии о в соответствии с выражением 1п (—с1кТ). [c.90]

    На всасыванпи первой ступени компрессора синтез-газа эксплуатируется четырехвентиляторный ABO с горизонтальным расположением на напорной ступени вентилятора одноходовых трехрядных теплообменных секций. Привод четырехлопастных вентиляторов осуществляется через клиноременную передачу от электродвигателя мощностью 22 кВт. Для регулирования температуры газа на выходе ABO в боковых стенках всасывающей камеры вентилятора расположены жалюзийные решетки, обеспечивающие сокращение расхода воздуха при понижении температуры газа ниже расчетного значения (28 °С). Для этой же цели предназначены жалюзи, расположенные между группами вентиляторов, что позволяет осуществлять рециркуляцию горячего воздуха с выхода теплообменных секций на всасывание вентиляторов. Рециркуляция горячего воздуха будет тем интенсивнее, чем плотнее закрыты жалюзи в верхней части аппарата. Тепло-обменные секции наклонены по ходу движения синтез-газа, поэтому при конденсации водяных паров исключена возможность образования пленки флегмы и обеспечивается равномерность теплопередачи по поверхности. ABO имеет коэффициент теплопередачи 30,5 Вт/(м2 К) при расчетном тепловом потоке 7,6 МВт. [c.17]

    Правилами определено, что смазка воздушных компрессоров и применяемые сорта масла должны соответствовать тробованням завода-изготовителя либо рекомендации специализированных организаций. Для смазки цилиндров н сальников газовых компрессоров должны применяться масла с температурой вспышки не менее чем на 20 °С выше температуры нагнетаемого газа. Количество смазки для каждого типа компрессора строго ограничивается (в г/м смазываемой поверхности) и поддерживается на заданном уровне. Уменьшение разложения смазки и образования нагара достигается также тем, что после каждой ступени сжатия воздух (газ) проходит через промежуточные холодильники, конденсирующие пары смазочного масла и через маслоотделители, выделяющие конденсат масла из потока газа. [c.312]

    Если исходить из того, что ступени независимо от их числа должны обеспечивать достаточно высокую степень обессоливания, например 90%-нук )и что после каждой ступени в нефти остается 0,1% воды, то и в этом случае необходимо подавать на каждую ступень всего по 0,9% воды. На практике, однако, как уже указывалось, воды требуется гораздо больше. Это объясняется необходимостью образования возможно большей межфазной поверхности и уменьшения расстояния между смежными капельками воды, поскольку при этом увеличивается вероятность столкновения и слияния капелек соленой и пресной воды. О количестве воды, необходимой для обеспечения требуемого контакта между отдельными капельками, можно судить, исходя из того, что среднее расстояние между смежными поверхностями капелек не должно превышать одного-двух их диаметров. При такой плотности распределения капелек каждой из них при перемешивании эмульсии довольно трудно. тротиснуться между двумя другими, не задевая их. Из формулы (31) следует, что для создания столь высокой плотности капелек требуется 3—9% воды. Обычно подают 4—6% воды на ступень, в среднем фактическая подача воды составляет около 5% на ступень. [c.63]

    Подача реагента-деэмульгатора в нефтяную эмульсию осуществлялась в нефтяной трубопровод перед сепараторами второй ступени. При такой подаче реагента эффективность обработки эмульсии резко увеличивается. Это происходит благодаря тому, что в момент разгазирования нефти происходит полное обновление поверхностей раздела на каплях эмульгированной воды, а присутствие в разгазированной нефти деэмульгатора препятствует образованию на них защитных слоев стабилизатора. Кроме того, при разгазировании происходит интенсивное перемешивание нефти с реагентом-деэмульгатором. [c.197]

    Процесс осуществляется при высокой температуре 480-560°С, давлении 0,1-0,2 МПа и в присутствии порошкообразного коксового теплоносителя. В реакторе сырье коксуется на поверхности теплоносителя, нагретого до 600°С. Образующиеся при этом пары охлаждаются в парциальном конденсаторе (скруббере), и сконденсировавшаяся их часть вместе с коксовой пылью возвращается в реактор, а пары более легких фракций поступают на ректификацию. Полученный кокс направляют из реактора в коксонафеватель, откуда мелкие частицы вновь возвращаются в реактор, а крупные выводятся из процесса. Порошкообразный кокс может быть реализован как товарный продукт (выход на сырье при переработке гудрона около 20% мае.) или подвергнут парокислородной газификации с образованием низкокалорийного топливного газа. При двухступенчатой газификации на первой ступени осуществляется паровая газификация и образуется сннтез-газ, используемый для дальнейших синтезов. [c.187]

    I ступени соответственно) представляют собой интервалы передачи заряда в МСС, сопровождающиеся окислением углеродной матрицы и восстановлением H2SO4 до HS0J. Конечное плато EF является областью переокисления, в которой, кроме упомянутых выше, протекает ряд побочных реакций образование пе-роксисульфатов и ковалентных С-0 связей, которые вызывают перестройку углеродной решетки. Точка F соответствует началу выделения кислорода. Угол наклона кривой по мере снижения ступени внедрения уменьшается вследствие увеличения поверхности раздела между внедряемым веществом и углеродными плоскостями. Удельная поверхность одного графитового слоя равна 31200 м /моль или 2600 м /г [6-85]. [c.304]

    Несомненным для всех случаев образования МСС УВ является снижение электросопротивления. Особенно это относится к МСС У В с АзГб. Было установлено [6-79], что углеродное волокно, выращенное из газовой или паровой фазы при пиролизе метана и паров бензола на поверхности с никелевым катализатором, дает возможность получать МСС УВ, устойчивое на воздухе. При этом более чем на порядок снижается электросопротивление. Аналогичные результаты получены при внедрении АзГб в графитированное УВ на основе ПАН-волокна с образованием МСС УВ И ступени СхбАзГа. [c.319]

    Виброизмельчение. Скорость образования МСС повышается с уменьшением толщины графитовой чешуйки [6-147]. Кроме то го, образование трещин между слоями в чешуйках при измельчении позволяет в дальнейшем заполнить их внедряемым веществом и в последующем разделить их на отдельные диски, толщина которых снижается с уменьшением ступени внедрения МСС. Толщина чешуйки является главным фактором, определяющим ступень внедрения, а после разложения МСС толщину расщепления. Чем меньше толщина чешуйки после виброич-мельчения, тем меньше этот размер после разложения МСС. Это подтверждено до удельной поверхности графитовых частичек 430 м /г. [c.367]

    Ванны размещают в отдельном изолированном помещении, в котором установлена сильная агнетательно-вытяжная вентиляционная установка.. В ваннах выделяется кислород, а в последней ступени — водород. С этим связано образование в помещении кислотного тумана. Для борьбы с ним поверхность раствора в баках заливают минеральным маслом. [c.190]

    Как предполагалось, на поверхности кристалла имеются лишь ступени атомной высоты, т. е. микроступени. Нередко происходит процесс концентрирования и укрупнения микроступеней, приводящий к образованию видимых макроступеней (иногда толщиной более 100 нм). [c.319]

    Как предполагалось, на поверхности кристалла имеются лишь ступени атомной высоты, т. е. микроступени. Нередко происходит процесс концентрирования и укрупнения микроступеней, приводящий к образованию видимых макроступеней (иногда толщиной более 1000 А). Механизм роста макроступеней изучался в работах П. Д. Данкова, К. М. Горбуновой и сотр. Из макроступеней развиваются макроспирали, обнаружение которых в микроскоп служит доказательством роли винтовых дислокаций в процессах роста кристаллов. [c.334]

    Р. Каишев, Е. Будевский и сотрудники показали, что уравнения (УИ1.101) и (УП1.Ю2) выполняются только при особых условиях проведения электрокристаллизации (монокристаллические бездислока-ционные грани, электролиз с использованием импульсов тока или потенциала определенной длительности и формы). На реальных элект-)одах стадия образования зародышей не является лимитирующей. 3 зависимости от условий скорость электроосаждения определяется диффузией ионов к поверхности электрода, стадией разряда ионов, поверхностной диффузией разрядившегося иона (такой ион называют адионом или адатомом) или стадией встраивания адиона в кристаллическую решетку. Особую роль в процессах электрокристаллизации играет наличие винтовых дислокаций, ступеней атомной высоты и макроступеней. Часто при электрокристаллизации используют не простые, а комплексные элактролиты. В таких условиях могут оказаться медленными химические стадии диссоциации комплексных ионов, предшествующие процессу осаждения металла. [c.208]

    Если при атмосферном давлении или еще меньшем и при температуре порядка 900...1000 °С рассмотреть систему парообразный углерод—алмаз — графит, то изобарно-изотермические потенциалы их будут уменьшаться в таком же порядке. Значит, в атнх условиях из парообразного углерода должен выкристаллизоваться трафит, но с учетом правила ступеней может образоваться с какой-то степенью вероятности и алмаз. Чтобы происходило образование алмаза, следует осаждать атомы углерода на поверхность кристалла алмаза. При этом они будут находиться под влиянием силового поля кристаллической решетки, стремящейся продолжить ту укладку атомов, которая имеет место в кристаллах, находящихся в реакционной зоне. Иными словами, подложка вынуждает новые атомы углерода располагаться а определенном порядке — так называемый эпитаксиальный синтез. Практически эпитаксиальный синтез алмаза осуществляют разложением углеродсодержащих газов (метан, ацетилен и др.) при указанных выше давлениях и температурах над слоем мелких кристаллов алмаза. В этом случае происходит наращивание алмазных слоев на затравочных кристаллах. Опыты [c.141]

    Основные виды адсорбции по энергетике взаимодействия были уже рассмотрены выше (гл. 5), но адсорбент-катализатор нас интересовал лишь с точки зрения снижения энергии активации реакций, идущих в газовой среде. Здесь мы рассмотрим механизм адсорбции на границе раздела фаз. Значительная неуравновешенность частиц, образующих поверхность раздела, создает свободную энергию поверхности, которая распределена неравномерно, особенно на границе раздела газ (или жидкий раствор) —твердое тело, так как граница раздела со стороны газа или жидкой фазы в силу своей подвижности в большей степени подвержена релаксаци.ч. На границе раздела твердой фазы наряду с участками высокой активности наблюдаются участки малой активности. Так, например, наиболее активные участки металлических поверхностей — скопления вакансий, выходы краевых или винтовых дислокаций, наличие примесных атомов и ступеней, образующихся на кристаллической поверхности (см. гл. 4). Нарушения кристаллической структуры особенно характерны для тонкораздробленных кристаллов, обладающих высокой активностью. Такого типа кристаллы и используются в качестве катализатора после осаждения их на какой-нибудь инертной подложке. Образование на поверхности кристаллов центров различен активости схематически показано на рис. 117. [c.216]


Смотреть страницы где упоминается термин Ступени на поверхности образование: [c.266]    [c.194]    [c.318]    [c.21]    [c.299]    [c.238]    [c.302]    [c.149]    [c.333]    [c.247]   
Кинетика и механизм кристаллизации (1971) -- [ c.175 , c.176 ]




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Ступени на поверхности

Ступень

Ступень ступени



© 2024 chem21.info Реклама на сайте