Дислокация линейная

По В. П. Батракову (1962 г.), интенсивной линейной локализованной коррозии вследствие приложенных извне или внутренних напряжений подвержены границы зерен или блочных структур, своеобразные группировки атомов по кристаллографическим плоскостям, дислокации и другие искажения кристаллической решетки, находящиеся в активном состоянии. [c.335]

Для объяснения этих экспериментальных фактов необходимо отказаться от предположения, что все дислокации в двойнике движутся либо вязко, либо термоактивируемо. Механизм торможения дислокаций на разных участках границы будет различным, если расстояние между препятствиями, преодолеваемыми путем термической активации, больше среднего расстояния между соседними дислокациями. В кальците такая ситуация реализуется при наличии на границе сидячих дислокаций, линейная плотность которых на границе обычно невелика [234]. Кроме того, распределение скоростей у(х) на границе может приводить к наличию на разных участках границы либо термоактивируемого, либо над-барьерного движения дислокаций. [c.120]

Рентгеноструктурные и микроскопические исследования моно-и поликристаллов природного графита позволяют обнаружить в них ряд отклонений от идеальной упаковки атомов в гексагональной решетке графита (рис. 5-5) в виде линейных дефектов в основном дислокационной природы. Дислокационная структура графита определяется следующими сочетаниями направлений линейных дислокаций (ЛД) и векторов Бюргерса (ВБ) [1-3] [c.239]

Линейные (одномерные) и поверхностные (двумерные) дефекты— это дислокации (линейная, краевая, винтовая и др.), границы блоков, зерен, двойников, доменов. Они являются определяющими в процессах кристаллизации, пластической деформации, зародышеобразования и диффузии. [c.33]

Дислокации-линейные дефекты в кристаллах, образующиеся в результате их роста или пластической деформации. [c.57]

Для бездислокационных граней между стационарной скоростью распространения ступени роста и перенапряжением при небольших т] существует линейная зависимость [=kL , где Ь — длина растущей ступени. Для кристаллов с винтовой дислокацией была найдена линейная зависимость между током и г) , которая объясняется тем, что при спиральном росте общая длина L спирального фронта обратно пропорциональна расстоянию между последовательными витками спирали и, следовательно, пропорциональна перенапряжению. Зная эти зависимости, можно приготовить поверхности с точно известной плотностью ступеней роста. Согласно импедансным измерениям на таких поверхностях плотность тока обмена пропорциональна длине ступеней. Это означает, что осаждение адатомов на ступенях является более быстрым процессом, чем осаждение на кристаллической плоскости, а найденная плотность тока обмена, составляющая 600 А/см , характеризует обмен между адатомами в местах роста и ионами в растворе. С другой стороны, импедансные измерения на идеально гладких поверхностях позволили определить ток обмена адатомов на кристаллической плоскости с ионами раствора, который оказался равным всего 0,06 А/см . Таким образом, при электрокристаллизации серебра из концентрированных растворов осуществляется преимущественно механизм непосредственного вхождения адатомов в места роста, вклад же поверхностной диффузии даже при наивысшей плотности ступеней не превышает нескольких процентов. [c.327]

В настоящее время достоверно установлено, что процессы деформации и разрушения связаны с эволюцией таких структурных элементов твердых тел как вакансии и дислокации, которые воспринимаются как точеные и линейные дефекты, а также дефектов, связанных с внедрением чужеродных атомов. Многократно экспериментально подтверждено, что любому разрушению предшествует пластическая деформация [88,89], элементарным актом которой является перемещение дислокаций в соседнее положение [90]. [c.143]

Кроме линейных в графите наблюдаются краевые и винтовые дислокации, межслоевые нарушения дислокационного характера, а также вакансии атомов, скапливающиеся в петли. Их образование связано с взаимодействием краевых и винтовых дислокаций. [c.239]

Линейные дефекты. Линейные дефекты, или дислокации, относятся к наиболее хорошо изученным дефектам кристаллической [c.175]

Дислокацией называется линейное несовершенство, образующее внутри кристалла границу зоны сдвига. [c.175]

Схематически образование линейной дислокации можно представить как частичный сдвиг одной половины кристалла относительно второй неподвижной половины на одно или несколько атомных расстояний (рис. 107). Деформация сжатия в направлении сдвига приводит к тому, что нарушается связь между атомами в каком-либо ряду внутри кристалла. В результате в кристалле возникает как бы лишняя полуплоскость. [c.175]

Дислокация в этом случае имеет линейную протяженность (линия АВ, см. рис. 107) и поэтому называется линейной. Линия дислокации располагается перпендикулярно к направлению сдвига. Вокруг дислокации образуется область наиболее деформированной напряженной части кристалла. [c.175]

Р и с. 107. Линейная дислокация в кристалле [c.176]

Сравнение рис. Х1У.5 и XIV. 10 показывает, что линейные несовершенства, возникающие при этом, являются дислокациями. Как указывалось, вокруг дислокаций возникают поля упругих напряжений. Расчет энергии упругой деформации позволяет оценить зависимость энергии границ от угла поворота зерен. [c.281]

В работе [74] предпринята попытка объяснить влияние механической деформации медного электрода на его анодную и катодную поляризацию в водном растворе Си304 с позиций теории перенапряжения кристаллизации при условии, что лимитирующей стадией реакций является поверхностная диффузия ад-ионов, параметры которой зависят от расстояния между ступеньками роста, т. е. от плотности дислокаций. С учетом того, что плотность дислокаций линейно связана со степенью пластической деформации, получена прямая пропорциональная зависимость скорости реакции от корня квадратного из степени деформации. Эта зависимость приближенно соответствует результатам опытов и несколько нарушается при больших деформациях. К сожалению, в этой работе не измеряли величину механического напряжения, а поскольку в случае меди деформационное упрочнение может подчиняться параболическому закону [41 ], можно объяснить результаты опытов [74 ] без привлечения теории замедленной стадии поверхностной диффузии. [c.89]

Известно, что кристаллы металлов имеют дефекты. К ним относятся вакансии, т. е. пустые (незанятые атомом) места в узлах кристаллической решетки, а также смещения, обусловл н-Ные сдвигом атома из узла в межузлие. С повышением температуры количество вакансий и смещений увеличивается. Металлы содержат также примеси инородных атомов, вызывающие искажения кристаллической решетки. К наиболее Важным дефектам кристахшической решетки следует отНести дислокации (линейные дефекты, имеющие значительно большую протяженность в одном измерении по отношению к любому другому, перпендикулярному к нему). Они бывают краевыми, винтовыми, смещенными и др. , [c.11]

Дислокации (линейные Д.) бывают двух видов краевые и винтовые. Краевая дислокация представляет собой край атомной плоскости, к-рая обрывается внутри кристалла, не доходя до его пов-сти. Движение дислокаций в кристаллах ответственно за процессы их пластич. деформации. Пластич. сдвиг в кристалле осуществляется не одновременным перемещением всех атомов (ионов), лежащих в данной плоскости (что потребовало бы весьма значит, напряжений), а последоват перемещением краевой дислокации от одной группы атомов к другой. В результате дислокация (граница зоны сдвига) выходит на пов-сть кристалла - происходит элементарный пластич. сдвиг вектор Ь фис. 2), длина к-рого равна величине сдвига, наз. вектором Бюргере а плоскость, проходящая через этот вектор и линию дисло- [c.30]

Выше мы описалп два крайних случая дислокаций линейной и винтовой. Реальные случаи, как правило, представляют собою комбинацию этих двух идеальных случаев. При этом образуется криволинейная дислокация с произвольными кривыми поверхностями скольжения. Описать такую дислокацию в каждом конкрег-ном случае часто бывает трудно. Однако отдельные ее части обычно удается свести к описанным выше идеальным случаям. [c.261]

Послойное травление. Протравленную поверхность кристалла с образовавшимися на ней фигурами травления фотографируют и после этого сполировывают с нее тонкий слой так, чтобы при этом не нарушалась дислокационная структура поверхности. Механическая полировка здесь непригодна, потому что при механической шлифовке или полировке создаются новые дислокации применять можно лишь химическую или ионную полировку. После полировки производят повторное травление той же поверхности тем же травителем и сравнивают полученную картину с предыдущей. Так как дислокация — линейный дефект, протяженный в глубь кристалла, то новые фигуры травления должны оказаться практически на тех же местах, где они были раньше, если они действительно отвечают выходам дислокаций. Если же фигуры травления соответствуют не дислокациям, а поверхностным или каким-либо другим дефектам, то новое расположение фигур травления не повторяет старое. [c.350]

Линейные дефекты структуры называются дислокациями. Простейший вид днслокации — краевая дислокация. Она представляет собой край одной из атомных плоскостей, обрывающейся внутри кристалла. Дислокации возникают как в процессе роста кристаллов, так и при местных механических, тепловых и других воздействиях на кристаллы (см., например, рис. 142, а, б на стр. 538). На рис. 02 изображена краевая дислокация (линия АВ), возникшая в результате сдвига части кристалла по плоскости АВСО в направлении, указанном стрелкой. [c.163]

Посторонние примеси имеют тенденцию собираться у линейных дислокаций и дырок по границам зерен. Роль этих сегрегаций в процессе электрохимической коррозии металлов может быть различной увеличение растворимости металла, облегчение образования питтингов в местах скопления дислокаций (субграницах), изменение характера коррозионного разрушения. [c.327]

Прочность металлов в среднем на два порядка меньше теоретической прочности бездефектного кристалла сТтеор (сгтеор 0,1 Е). Такое различие обусловлено тем, что термодинамически вероятно наличие в металле достаточно высокой плотности дефектов кристаллического строения еще до деформации. Пластичность - как свойство подвергаться остаточному формоизменению - реализуется при деформации путем скольжения (трансляционного и зернограничного) и двойникования структурных элементов. Причем процесс скольжения не является результатом одновременного смещения атомов соседей. Процесс скольжения осуществляется путем последовательного смещения отдельных групп атомов в областях с искаженной решеткой. Нарушение кристаллической ре-ше йси означает, что их атомы выведены из положения минимума потенциальной энергии. Поэтому для их смещения требуется меньше энергии и напряжения. Наиболее распространенными дефектами кристаллической решетки являются линейные дефекты - дислокации (винтовые и краевые). Под действием приложенных напряжений про- [c.77]

ГЧ УЛьпые кристаллы. Кристаллы, состоящие из соверщенно оди-нaк JBыx элементарных ячеек, называются идеальными. Образующиеся в реальных условиях кристаллы могут несколько отличаться от кристаллов идеальных. Реальные кристаллы построены из некоторого числа блоков правильного кристаллического строения, расположенных приблизительно параллельно друг другу, ио все же несколько дезориентированных. Это явление называется мозаичностью структуры кристаллов, которая ведет к возникновению дислокаций, т. е. линейных, а также поверхностных и объемных дефектов структуры, образующихся 1з процессе роста кристаллов или же при пластической деформации. Помимо дислокаций в реальных кристаллах образуются также участки неупорядоченности, локализованные обычно около отдельных узлов решетки, — так называемые плоские дефекты. [c.72]

Разница во времени до разрушения при статическом разрушении и циклическом объясняется явлением саморазогрева при циклических нагрузках [92]. Такая реакция твердых тел на периодическое дискретное воздействие указывает на колебательные явления, лежащие в основе существования и движения дислокаций. Выделение энергии при движении дислокаций в виде тепла способствует перераспределению ее в системе и включению в движение дополнительного количества дислокации или их скоплений. Передача тепловой энергии электронами значительно эффективнее, чем передача волн деформации фононами, поэтому процессы разрушения термически активируемы. Именно в этом можно усмотреть различия между ползучестью, ма1юцикловой и термоусталостью, а также объяснить фактическое невыполнение линейного закона суммирования. [c.144]

Не менее важное значение для получения надежных картин травления имеет правильная обработка поверхности образца. Обычно кристаллы шлифуются и механически полируются, однако иногда уместна электролитическая полировка. Для выявления дислокаций в поликристаллических образцах карбида ниобия шлиф обрабатывался после химического травления в ванне с раствором [пН2504 + тНЫ0з + рНР]. Полученные ямки, плотность которых 10 см-2, образовывали характерные субграницы. При многократном травлении их расположение практически не изменялось. Часто П0 виду и расположению ямок травления можно определить направление дислокационных линий. Так, при исследовании поликристаллических образцов природного кварца методом гидротермального травления были обнаружены плоскодонные и пирамидальные ямки. Плоскодонные ямки соответствовали промежуточному положению дислокаций. Применяя послойное травление, можно определить пространственное распределение линейных дефектов. [c.160]

Более крупный линейный дефект кристаллической решетки — дислокация (от позднелат. ШосаНо — смешение, перемещение). Это линейное несовершенство [c.172]

Кроме рассмотренного типа движения дислокаций (скольжения), возможны и другие типы перемещения этого дефекта. Так, при диффузионном движении дислокации к краю экстраплоскости могут присоединяться новые атомы (например, из числа дислоцированных или ближайших соседей) илн вакансии. Это будет означать, что экстраплоскость будет удлиняться или сокращаться, что приведет к переползанию дислокаций в другую плоскость скольжения. Этот тип движения дислокаций, имеющий место для линейных дислокаций, как и всякий диффузионный процесс, происходит при повышенных температурах и не связан со сдвиговыми напряжениями. [c.279]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология