Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Дислокации смешанная

Рис. 1-1. Дислокации. а — краевая б — винтовая в — смешанная АВ — линия дислокации Ь — вектор Бюргерса. Рис. 1-1. Дислокации. а — краевая б — винтовая в — смешанная АВ — <a href="/info/277034">линия дислокации</a> Ь — вектор Бюргерса.

Рис. 5. Линия ХУ представляет смешанную (или составную) дислокацию. Рис. 5. Линия ХУ представляет смешанную (или составную) дислокацию.
    Нередки случаи возникновения дислокаций смешанного типа — криволинейных. [c.175]

    Дислокационные линии, наблюдаемые с помощью просвечивающей электронной микроскопии, могут иметь самую разнообразную конформацию, зачастую сильно отличающуюся от прямолинейной 45]. Конформация дислокаций зависит от линейной плотности дислокационных перегибов, особенно характерных для дислокаций смешанного типа. В этом случае значения угла а мел<ду вектором Бюргерса и направлением оси дислокации заметно отличаются от данных табл. 15 [214]. [c.55]

    Дислокации относятся к линейным дефектам решетки, т. е. к несовершенствам, охватывающим в кристалле область, протяженность которой в одном направлении значительно превосходит размер атомов или ионов. По характеру искажений решетки дислокации делятся в чистом виде на краевые (линейные) и винтовые. В реальных кристаллах дислокации часто представляют собой сочетание краевой и винтовой дислокаций. Такие дислокации называются смешанными. Дислокации являются источником внутренних напряжений в кристаллических телах, они создают даже в свободном от внешних нагрузок кристалле поле деформаций и напряжений. [c.88]

    Направление вектора Бюргерса определяет геометрию дислокации, т. е. ее характер при чисто краевой дислокации вектор Бюргерса перпендикулярен, а при чисто винтовой параллелен линии дислокации. Для смешанной дислокации, имеющей как краевую. [c.91]

    Это и есть дислокация. Вектор сдвига д называется вектором Бюргерса. Если вектор Бюргерса перпендикулярен к линии дислокации, такая дислокация называется краевой (рис. 1-1, а). Если же он параллелен дислокации, дислокация называется винтовой (рис. 1-1,6). В случае винтовой дислокации атомные плоскости, перпендикулярные к линии дислокации, образуют единую непрерывную винтовую поверхность правого или левого закручивания. Ориентация вектора Бюргерса может быть и переменной вдоль дислокации, и тогда мы имеем смешанную дислокацию (рис. 1-1, в). [c.6]

    Часто образованию зародышей предшествуют продолжительные индукционные периоды, особенно длительные для некоторых смешанных квасцов [17]. В ряде случаев температурные коэффициенты индукционного периода и скорости роста близки между собой. Индукционные периоды можно прерывать различными путями. Возникновение их может быть связано с явлениями, предшествующими образованию зародышей.. Они могут представлять собой время, необходимое для образования областей разрушенной решетки при дислокациях, где появляются зародыши, или являться следствием медленности роста зародышей в первый период после их образования. Однако сведений о процессах в кристаллогидратах, предшествующих образованию зародышей, имеется мало и окончательных выводов сделать нельзя. [c.289]


    Если участок дислокации не перпендикулярен и не параллелен вектору Бюргерса, его называют сегментом смешанного типа. Дислокационные сегменты краевого, винтового и смешанного типов могут располагаться непрерывно вдоль некоторой кривой, образуя дислокационную линию. Линия дислокации не может просто оканчиваться внутри кристалла. Она должна выходить обоими концами на поверхность кристалла либо (как это обычно бывает в реальных случаях) представлять собой замкнутую дислокационную петлю. Очевидно, что вектор Бюргерса постоянен вдоль всей линии дислокации. [c.187]

    Бойко B. ., Гарбер Р.И. Математическое моделирование ядра смешанной дислокации // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение. 1974. Вып. 1(1). С. 25-29. [c.258]

    Вследствие структурного сродства между смешанным кристаллом и 0 -фазой определенная ориентация зародыша является преимущественной в области поля напряжений краевой дислокации. Если создать дислокации, например, путем пластической деформации монокристалла, то при последующей термической обработке происходит выделение с ориентацией, показанной на рис. 13.9. [c.301]

    Сдвиг, создавший смешанную дислокацию [c.318]

    Смешанная дислокация в простой кубической решетке. [c.319]

    Рассмотрим подробно движение дислокации. Пусть элементарный отрезок с 1 смешанной дислокации с вектором Бюргерса Ь движется в направлении дг. Объем, построенный на этих трех векторах  [c.325]

    Движение смешанной или краевой дислокации во всех плоскостях, кроме плоскости скольжения, должно быть связано с переносом массы, так как аУ Ф 0. Нанример, краевая дислокация (см. рис. 259 или 260) может двигаться в плоскости, не совпадающей с плоскостью скольжения, только если лишняя полуплоскость укорачивается или удлиняется. Положительная краевая дислокация сдвинется вверх, лишняя полуплоскость укоротится, если атомы с края полуплоскости уйдут в объем кристалла или к этому краю подойдут вакансии, тогда дислокация переползает на вышележащую плоскость скольжения. Наоборот, если к краю оборванной полуплоскости подойдут лишние внедренные атомы из объема кристалла, дислокация переползет ниже. Процесс переползания , [c.325]

    Кроме двух рассмотренных элементарных дислокаций, возможны смешанные дислокации с вектором Бюргерса В промежуточного направления между перпендикуляром и параллелью к дислокационной линии. Дислокации образуются при деформировании кристаллов под воздействием физических усилий, термической обработки и т. д. Как показано дальше, дислокации образуются в процессе выращивания кристаллов всегда, если не создавать особых условий. [c.27]

    Краевая и линейная дислокации — два простейших типа дислокаций. Существуют и сложные (смешанные) дислокации, которые могут быть разложены на линейные и винтовые. [c.337]

    Современные исследования уравнений динамики дефектов [33, 37, 38] обнаруживают заметное отличие ее полевых уравнений от полевых уравнений классических континуальных теорий для полевых уравнений динамики дефектов в отличие от классических континуальных теорий допускается наличие нетривиальной абелевой калибровочной группы. Абелева калибровочная группа динамики дефектов не только нетривиальна она оказывается гораздо богаче калибровочной группы классической электродинамики, так как в ней имеется не менее 27 независимых генераторов [38]. Такое богатство связано со взаимовлиянием трех различных явлений геометрического отклика тела на систему нагрузок, эволюцию дислокаций в теле и эволюции дисклинаций в теле. К сожалению, принятая формулировка динамики дефектов в трех пространственных 4- одном временном измерениях не позволяет в явном виде разделить эти три существенно различные аспекты теории. Аналогичная ситуация возникает при формулировке электродинамики в трех пространственных -Ь одном временном измерениях, когда полученные полевые уравнения дают смешанное описание различных эффектов. Так как формулировка электродинамики в четырехмерном пространстве — времени гораздо легче поддается анализу и систематизации, по аналогии можно надеяться, что соответствующая переформулировка динамики дефектов в четырехмерном пространстве — времени таклсе приведет к упрощениям и разделению динамических структур, входящих в динамическое описание. [c.136]

    Специфические особенности в формировании надмолекулярной структуры проявляются в покрытиях, полученных а стали. Высокая адгезия полиэфирных покрытий к стали (7—8 МПа) приводит к смешанному характеру отслаивания пленки. В слоях, граничащих с подложкой, обнаруживается круговая ориентация структурных элементов глобулярного типа с различным размером и плотностью упаковки в центре и на периферии. Такая структура сохраняется на расстоянии около 150 нм от поверхности подложки. Особый характер структурообразования в этом случае обусловлен тонкой структурой самой подложки. Методом двухступенчатых реплик с применением катодного травления в неоне [28], а также с использованием других методов [29] было обнаружено, что структурные элементы стали образуют сетку дислокаций. Расстояние между отдельными узлами этой сетки составляет около 100 нм. Размер структурных элементов и плотность их упаковки в преде- [c.25]


    Некоторые морфологические признаки наличие точечной вершины концентрически слоистое строение с характерными волнами плотности oбязafeльнoe образование ямки на вершине при избирательном травлении — указывают на существование дислокаций в ядре акцессорий второго типа. Результаты рентгенотопо-графнческих исследований специально подобранных и препарированных кристаллов свидетельствуют о том, что в вершине каждой конусовидной акцессории выходит дислокация смешанного [c.159]

    Гетерогенным называют катализ на поверхности твердых тел, находящихся в контакте с реагирующими веществами в газовой фазе или в растворах. Основные теоретические положения, необходимые для понимания сущности гетерогенного катализа, уже изложены в гл. 14 в связи с обсуждением роли адсорбции в гетерогенных реакциях. При проведении реакции на поверхности твердых тел последняя играет вполне определенную роль благодаря адсорбции на поверхности понижается энергия активации катализируемой реакции. До настоящего времени еще не существует удовлетворительной количественной теории катализа. В любой каталитической реакции важнейшее значение имеет структура поверхности. Катализ протекает не на всей поверхности твердого тела, а главным образом на активных центрах (дислокациях, ребрах кристаллов и других дефектах кристаллов). Кроме того, известно, что каталитическая активность зависит от кристаллографической плоскости, — кристаллы, ориентированные в некоторых определенных направлениях, обладают максимальной активностью. Большое значение в гетерогенном катализе имеют смешанные катализаторы. Примером могут служить почти все известные газовые реакции, используемые в химических технологических процессах (синтез аммиака, синтез 50з, гидрирование угля по Бергиусу или Фишеру— Тропшу, окисление аммиака по Оствальду и многие другие). [c.196]

    За небольшим исключением поликристаллические материалы металлургического происхождения С обычной дислокационной структурой имеют относительно низкий уровень (гр 1 %) демпфирования и потому не могут быть использованы для защиты от шумов и вибраций. Однако, используя специальные приемы достигнутые в микрометаллургии, можно создать такие структуры в микрокристаллах, демпфирующая способность которых будет на 2—3 порядка выше. Так, например, уровень внутреннего трения в НК меди при 300 К может меняться от 5-10 (г з = 0,3% плотность дислокаций мала) до 5-10" (г = 30%). В последнем случае НК содержит большое количество смешанных 60-град дислокаций с вектором Бюргерса Ь = а/2 [101], расположенных вдоль оси роста высокий уровень демпфирования этих НК сохраняется до —1100 К- [c.505]

    Влияние дислокаций изучали также Бломберген и Роуланд [106] в холоднообработанной меди (резонанс от Си и Си ), а Роуланд исследовал влияние сплавления А1 — Zn на резонанс [107]. Оцука и Кавамура [108] изучали резонанс в КЬ Na в смешанных кристаллах Na l—NaBr и Вг в смешанных кристаллах КВг—NaBr и определили плотность дислокаций в этих веществах. [c.45]

    ДИСЛОКАЦИИ (от лат. dis... — приставка, означающая разделение, разъединение, и lo us — место)— линейные дефекты кристаллической решетки, вдоль и вблизи к-рых нарушено правильное расположение атомных плоскостей. Д. в непрерывной упругой среде теоретически исследовал итал. ученый В. Вольтерра в 1907. Различают два осн. вида Д.— краевые и винтовые. Если правильное расположение атомных плоскостей в кристалле нарушено тем, что одна из них обрывается вдоль некоторой прямой, эта линия наз. краевой Д. Она образуется, если разрезать кристалл по части AB D плоскости РР, ограниченной прямой АВ (рис., а на с. 366), сдвинуть верхнюю часть относительно нижней на одно межатомное расстояние Ъ в направлении нормали к АВ и воссоединить на противоположных краях разреза атомы, ставшие после сдвига ближайшими соседями. Оставшаяся лишней полуплоскость обрывается вдоль краевой Д., а на боковой поверхности кристалла возникает ступенька D шириной Ь. Вектор сдвига Ь, равный вектору трансляции решетки, наз. вектором Бюргерса. Если вектор Бюргерса параллелен краю надреза АВ, получается винтовая дислокация (в плоскости PiPj разрез и сдвиг на величину вектора Бюргерса осуществлены лишь на участке, ограниченном кривой EFG). Угол <р между вектором Бюргерса и вектором касательной к границе сдвига it) непрерывно изменяется от характерного для краевой Д. значения 90° в точке Е до значения 0° в точке G, где Д. имеет винтовую ориентацию. На промежуточных участках граница сдвига представляет собой смешанную дислокацию. Плоскость, проходящая через вектор Бюргерса и вектор касательной к линии дислокации, наз. плоскостью скольжения дислокации. Область вблизи края незавершенного сдвига, где межатомные расстояния значи- [c.365]

    Изоморфизм в материалах— свойство атомов (ионов) одного вещества входить в кристаллическую решетку другого вещества, не вызывая ее из.мепения. В результате И. образуются однофазные системы, представляющие собой твердые растворы (смешанные кристаллы, соединения переменного состава, изоморфные смеси). В той или иной системе атомы различных элементов образуют общую кристаллическую решетку, не изменяющуюся нри нек-ром изменении соотношения компонентов, и дают соединения, часто не удовлетворяющие стехиометрическим ф-лам. Добавка примесных атомов вызывает появление вакансий, междоузель-пых атомов, дислокаций и др. дефектов кристаллической решетки, влияющих на распределение этих атомов, что проявляется в уменьшении интенсивности интерференционных линий на рентгенограммах [c.485]

Рис. 2. Поверхности псевдорешетки, нормальные к вектору Бургерса в том случае, когда дислокация имеет смешанный краевой и винтовой характер (преобладает краевая компонента с одним только витком винтовой компоненты). Узлы псевдорешетки находятся на пересечениях этих поверхностей с двумя другими семействами плоскостей, в данном случае с горизонтальной и вертикальной плоскостями. Рис. 2. Поверхности псевдорешетки, нормальные к <a href="/info/1612994">вектору Бургерса</a> в том случае, когда дислокация имеет смешанный краевой и <a href="/info/1908178">винтовой характер</a> (преобладает краевая компонента с одним только витком винтовой компоненты). Узлы псевдорешетки находятся на пересечениях этих поверхностей с двумя <a href="/info/1875324">другими семействами</a> плоскостей, в данном случае с горизонтальной и вертикальной плоскостями.
    Кроме того, в любой реакции с участием твердых тел, даже для монокристаллов, приходится считаться с неоднородностью. Это — различие свойств атомов и ионов, расположенных на вершинах, ребрах и гранях кристаллов, различия свойств атомов и ионов граней с разными индексами, наконец, различия, обусловленные дефектами — вакансиями, между-узельными атомами и ионами, дислокациями, ионами с аномальной валентностью, примесными центрами, растворенными в кристаллах или адсорбированными на их поверхности. Но реальные катализаторы всегда поликри-сталличны. Обычно это пористые тела, состоящие из большого числа отдельных гранул. Часто при этом они двух- и трехфазны. Последнее справедливо для всех нанесенных и смешанных катализаторов, а таких большинство. Благодаря этому появляются новые физико-химические источники неоднородности межкристаллитные границы, межфазовые границы, дополнительные твердые растворы и промежуточные фазы. К этому добавляются различия в доступности и в кривизне поверхности, в порах и капиллярах различных размеров. [c.11]

    Для определения энергии и размеров ядра двойникующей дислокации исследовалась зависимость энергии в цилиндре, содержащем дислокацию, от его 1 диуса аналогично тому, как это делается для полных дислокаций (см. [118]). Результаты представлены на рис. 2,11. В векторах Бюргерса двойникующей дислокации радиус ее ядра составляет Л,5Ь (около 4 А). Энергия ядра двойникующей дислокации равна 1 эВ на период идентичности, или 0,091 эВ/атом (5,87-10 эрг/см), что значительно меньше, чем для полной смешанной дислокации. Согласно континуальной теории дислокаций, тшгенс угла наклона графика на рис. 2.11 должен быть про-порцион иен >, т.е. для полной дислокации он должен быть в 9 раз больше. Рисунок показывает, что указанная зависимость действительно имеет место.  [c.43]

    Дислокации часто бывают смешапного или составного типа. Это означает, что они содержат винтовую и краевую компоненты. На рис. 5 Х представляет собой смешанную дислокацию, на которой можно выделить как чистые винтовые, так и чистые краевые компоненты. В силу топологических причин [12] дислокация должна проходить через весь кристалл (оканчиваясь на свободной поверхности) или, наоборот, образовывать полностью замкнутую петлю внутри кристалла. [c.215]

    Olio справедливо только для таких малоугловых границ, которые построены из чисто краевых или винтовых дислокаций. Для смешанных дислокаций соотношение (10.16) должно быть соответственно модифицировано. Выражение (10.16) можно проверить экспериментальным определением расстояния D. Расстояние между дислокациями можно узнать, например, с помощью травления поверхности с малоугловой границей зерен, так как при определенных условиях имеется соответствие между точками выхода дислокаций и фигурами травления (см. 15.2.3). [c.229]

    Винтовые дислокации бывают правые и левые, причем направление вращения играет ту же роль, что и знак у краевых дислокаций две правые или две левые винтовые дислокации взаимно отталкиваются, правая и левая — притягиваются. Таким образом, и винтовая, и краевая дислокации — это границы между сдвинутой и несдвинутой частями кристалла, причем краевая дислокация перпендикулярна вектору сдвига, а винтовая — параллельна ему. В реальном кристалле область сдвига может быть ограничена более сложной, в общем случае криволинейной, границей АС (рис. 265), или смешанной дислокацией. На рис. 266 показана схема расположения атомов в области смешанной дислокации, причем выделены краевая (АА ) и винтовая (С С) компоненты. [c.317]

    Для краевых и смешанных дислокаций, у которых вектор Бюргерса Ь не параллелен линии дислокаций Л, скольжение происходит в плоскости, ожреде-ляемой векторами Ь и 1 выражение (5.7) равно нулю, если лежит в одной плоскости с векторами Ь и с 1. Очевидно, плоскость скольжения краевой или смешанной дислокации есть та плоскость, в которой лежат дислокация и ее вектор Бюргерса. [c.325]

    По поводу природы разрушения предлагались и рассматривались различные механизмы разрушения. Так, применительно к полимерам был предложен и чисто межмолекулярный механизм (для высокоэластической области) [175, 191, 862, 877, 878], и смешанный механизм с преобладанием процесса межмолекулярных перегруппировок для стеклообразного состояния [875, 879], и механизм с ведущей ролью разрывов самих молекул [78, 197]. По отношению к неорганическим телам кристаллического строения были предложены следующие механизмы разрушения ва-кансионный — движение и втекание вакансий в устья трещин разрущения [133, 134], дислокационный механизм — зарождение трещин путем слияния дислокаций с последующим ростом трещин также посредством сброса в них новых дислокаций [928, [c.450]

    Роль напряжений в развитии межкристаллитной коррозии. Напряжения в микрообъемах границ зерен, по-видимому, не играют роли самостоятельного фактора, вызывающего склонность к межкристаллитной коррозии. Границы зерен, как наиболее напряженные участки, существуют и при температурах гомогенизации (в том числе при температурах около точки нулевой адсорбции). Любая длительность пребывания при этих температурах не приводит к появлению склонности к коррозии. Напряжения сдвигают потенциал аустенитных сталей в электроотрицательную сторону приблизительно на 0,02В, в том числе и при а Оо.г. Известно, что величина электроотрицательности границ, склонных к коррозии, достигает 0,2—0,6В по сравнению с телом того же зерна. Следовательно, не только напряжения вызывают анодность границ, но и сопровождающие их явления адсорбция, обеднение или пересыщение приграничного металла и образование на границах новых фаз. Этим процессам способствует сток дислокаций и вакансий к границам вместе с их атмосферами , реактивная диффузия и миграция зерен. Напряжения 1 рода не вызывают склонности к межкристаллитной и ножевой коррозии. Тем не менее нельзя их не учитывать при коррозии реального сварного изделия, так как они могут вызвать переход межкристаллитного разрушения в коррозионное растрескивание или в разрушение смешанного характера. [c.143]

    Краевые дислокации, расположенные перпендикулярно поверхности фольги ( торчковые дислокации), в положении кристалла, близком к отражающему, видны в виде двух лепестков — темного и светлого. Соотношение контраста зависит от положения кристалла, но направление розетки не изменяется, поскольку оно связано с ориентацией вектора Бюргерса. Вектор Бюргерса винтовых торчковых дислокаций оказывается параллельным оси зоны всех отражающих плоскостей, сели первичный электронный пучок, как обычно, перпендикулярен поверхности фольги, т. е. г Ь = 0. Однако эти дислокации также дают розетку контраста, но в отличие от краевых дислокаций направление розетки винтовых дислокаций меняется с изменением действующего отражения (направление розетки перпендикулярно нормали к отражающей плоскости). Если дислокация является смешанной, то могут быть вид-ны обе пары розеток. В табл. 1 и 2 приведены произведения векторов г Ь для полных (табл. 1) и частичных (табл. 2) дислокаций в г. ц. к. решетке. [c.289]


Смотреть страницы где упоминается термин Дислокации смешанная: [c.19]    [c.175]    [c.281]    [c.363]    [c.25]    [c.367]    [c.77]    [c.257]    [c.107]    [c.17]    [c.258]    [c.318]    [c.477]   
Физическая химия силикатов и других тугоплавких соединений (1988) -- [ c.88 ]




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Дислокация



© 2025 chem21.info Реклама на сайте