Полупроводниковые резисторы

Терморезистор [1] — нелинейный полупроводниковый резистор, сопротивление которого сильно зависит от температуры. Терморезисторы выполняются из полупроводникового материала сложного состава с температурным коэффициентом до 6% на 1 К. Для работы в СВЧ-диапазоне применяют измерительные терморезцсторы (термисторы), позволяющие проводить измерения мощности от долей микроватта до нескольких милливатт. Параметры некоторых измерительных терморезисторов даны в табл. 4.3. Свойства терморезистора описывают две характеристики температурная к(Т)— зависимость сопротивления от температуры и вольт-амперная 11(1), Поскольку СВЧ-энергия в терморезисторе преобразуется в тепло- [c.121]

Диффузия примесей в монокристаллический материал является одной из основных технологических операций при создании полупроводниковых приборов. При помощи ди( к )узии формируются области с определенным типом проводимости и градиентом концентрации в различных участках пластины полупроводникового материала, создаются диодные и транзисторные структуры, резисторы и прочие элементы интегральных схем. [c.150]

Варисторы — нелинейные полупроводниковые резисторы объемного типа, сопротивление которых изменяется в зависимости от приложенного напряжения. Основной характеристикой является вольт-амперная, основными параметрами — коэффициент нелинейности, классификационные ток и напряжение, номинальная мощность рассеяния, температурный коэффициент тока (приводятся в справочниках). Варисторы имеют различное конструктивное оформление стержни, диски и т. д.), выполняются на основе карбида кремния или селена, покрываются защитными лаками. [c.13]

Радиационные пирометры используют зависимость потока теплового излучения (5.7) контролируемого объекта от его температуры (см. 5.3) и выполняются на основе различных первичных преобразователей батарей термопар, охлаждаемых полупроводниковых резисторов, пироэлектрических преобразователей, болометров и др. Они изготавливаются на современной элементной базе электроники и обладают большой чувствительностью, что позволяют измерять сравнительно низкие температуры. Помимо [c.190]

Полупроводниковые резисторы, предназначенные для регистрации потоков излучения, часто называют также фоторезисторами. К этому типу относятся резисторы серии ФСА, изготовленные на основе сернистого свинца, и позволяют преобразовывать потоки излучений видимого и инфракрасного диапазонов в изменение сопротивления. Постоянная времени этих фоторезисторов равна 40 МКС. Поскольку создавать свободные заряды могут кванты излучений с достаточной энергией, для- полупроводниковых терморезисторов, воспринимающих тепловое излучение, существует красная граница —наибольшая длина волны колебаний Як, выше которых падающее излучение не приводит к существенному изменению сопротивления. Терморезистор типа БКМ-2, являющийся болометром, предназначенным для регистрации малых потоков излучения, имеет большую длинноволновую границу за счет накопления энергии падающего излучения в виде теплоты и постоянную времени около 6 мс. Конструктивно в одном корпусе объединены два одинаковых терморезистора, включаемых в балансную или мостовую цепь, причем один из резисторов закрыт экраном от падаю- [c.182]

Среди них наибольшее распространение получили полупроводниковые резисторы, принцип действия которых основан ка изменении сопротивления полупроводниковых материалов под воздействием температуры, электрического напряжения и электромагнитного излучения. [c.12]

Фоторезисторы — полупроводниковые резисторы, изменение электрического сопротивления которых происходит под действием электромагнитного излучения. Светочувствительный элемент фоторезистора выполняется из полупроводниковых материалов на основе сернистого или селенистого свинца и кадмия в виде тонкой пленки на стеклянной подложке или прессованной таблетки. Основными характеристиками фоторезистора являются спектральная, люкс-амперная, вольт-амперная и частотная. К основным параметрам относятся кратность изменения сопротивления, темповой и световой фототок, номинальная мощность рассеяния, рабочее напряжение, постоянная времени и др. Фоторезисторы выпускаются в пластмассовых и металлических корпусах, а конструктивное исполнение некоторых типов позволяет устанавливать их в стандартные ламповые панели. [c.13]

В совмещенных ИМС (рис. 6), являющихся вариантом полупроводниковых, на кремниевой подложке создают полупроводниковые и тонкопленочные элементы. Достоинство этих схем состоит в том, что в твердом теле технологически трудно изготовлять резисторы заданного сопротивления, так как оно зависит не только от толщины легированного слоя полупроводника, но и от распределения удельного сопротивления по толщине. Доводка сопротивления до номинального значения после изготовления резистора также представляет значительные трудности. Полупроводниковые резисторы обладают заметной температурной зависимостью, что осложняет разработку ИМС. Кроме того, в твердом теле также весьма трудно создавать конденсаторы. [c.11]

Гальваническая развязка осуществляется по цепям питания - сетевым трансформатором, удовлетворяющим требованиям ГОСТ 22782.5-78. Ограничение напряжения и тока цепей питания преобразователя осуществляется применением полупроводниковых стабилизаторов тока. По цепям сигнализации - барьером искрозащиты, состоящим из резистора и стабилитрона. Перечисленные элементы залиты компаундом. Печатный монтаж электрических цепей влагомера, конструкция, электрический монтаж выполнены в соответствии с требованиями ГОСТ 22782.5-78. [c.63]

Германий и многие его соединения используются для изготовления полупроводниковых приборов (диодов, транзисторов, интегральных схем, тонкопленочных резисторов, фоторезисторов). Оксид германия(IV) ОеОг применяют для получения специального оптического стекла и стекловолокна. [c.185]

Электронные весовые устройства (рис. 8), встраиваемые непосредственно в технол. оборудование, состоят из одного или неск. силоизмерителей (датчиков) и электронного блока. В тензорезисторных датчиках деформации упругого измерит, элемента преобразуются в электрич. сигнал при помощи тензорезисторов с металлич. (проволочной или фольговой) решеткой из спец. сплава или в виде полосок из полупроводникового материала. Тензо-резисторы приклеены или приварены к упругим элементам так, что деформируются вместе с ними. При этом электрич. сопротивление тензорезисторов с металлич. решеткой изменяется на 2-3%, а полупроводниковых-на 100% и более. Предельные нагрузки составляют от долей килограмма до 100 т и более, относит, погрешность 0,02-1% от предельной нагрузки. [c.360]

На основе синтетических полупроводниковых монокристаллов алмаза уже в настоящее время возможно изготовление макетных образцов некоторых перспективных для электронной техники приборов и устройств. К ним относятся малогабаритный резистор объемно-поверхностного действия в щироком диапазоне сопротивлений с температурным его уходом не более 2 %, в интервале 210—670 К и рассеиваемой мощностью не менее 0,5 Вт малоинерционный термодатчик с температурным коэффициентом сопротивления до 200 Ом/градус в интервале от 210 до 670 К, устойчивый к агрессивным средам люминесцентный источник света с выходом, например, голубого свечения до 20 %, теплоотводящее устройство на основе монокристалла алмаза с пониженным содержанием азота и других ростовых дефектов для малогабаритных полупроводниковых приборов с эффективностью больщей по сравнению с медными теплоотводами. [c.462]

Болометры — специально выполненные резисторы из проводникового или полупроводникового материала, предназначенные для обнаружения и измерения чрезвычайно малых потоков мощности. По сравнению с другими терморезисторами болометры отличает более высокая стабильность характеристик (металлические болометры), но вместе с тем — пониженные температурные коэффициенты. Их так же, как СВЧ-диоды, изготавливают парами, причем располагают рядом и один из них экранируют от излучения. Болометры часто применяют с охлаждением до низких температур с целью увеличить их чувствительность и снизить погрешность измерений. [c.122]

Известно также о термисторах специальной конструкции - с косвенным подогревом. В таких термисторах имеется подогревная обмотка, изолированная от полупроводникового материала резистивного элемента. Если мощность, выделяемая в таком термисторе, мала, то его тепловой режим определяется температурой подогревателя, т.е. электрическим током в нем. Таким образом, имеется возможность изменять состояние термистора, не изменяя значение проходящего через него электрического тока. Такие термисторы используются в качестве переменных резисторов с электрическим управлением. [c.555]

Это один из наиболее распространенных элементов электросхем. Например, с помощью резисторов создаются необходимые режимы работы различных электровакуумных приборов в виде делителей напряжения для питания сеточных цепей радиоламп, в качестве анодных нагрузок и автоматического смещения, ограничителей тока газоразрядных приборов. Аналогичные функции выполняют резисторы в схемах с использованием полупроводниковых приборов. Резисторы также используются в виде шунтов и добавочных сопротивлений для расширения пределов измерения электроизмерительных приборов, служат составными элементами различных фильтров, применяются для регулирования тока и напряжения (реостат, потенциометр, делитель напряжения). Необходимое сопротивление резистора определяется в зависимости от его конкретного назначения в той или иной схеме и в подавляющем большинстве практических применений не выходит за пределы — 6 [c.6]

Полупроводниковые резисторы (датчики проникающих излуче ний) изготовляют на основе пленок из поликристаллических мате риалов — сульфида кадмия, селенида кадмия и др.— путем возгон ки в вакууме и осаждения полупроводниковой пленки на металли ческую подложку, которая является одним из выводов. Второй вы вод наносится поверх полупроводникового слоя также напылением в вакууме. Датчики проникающих излучений герметизируются эпо ксидной смолой (для приборов РГД-0 и РГД-1, регистрирующих рентгеновское и у-излучение) или путем помещения полупроводни ка в тонкий металлический корпус (приборы РГД-2 и ГД-Г1) В последнем случае обеспечивается надежная защита от светового и рентгеновского излучения и надежная регистрация у-излучения с квантами, имеющими большую энергию. [c.310]

Широко распространены теизорезисториые преобразователи тензодатчики), принцип действия которых основан на изменении электрического сопротивления при деформации проводника. Тензо-резисторы (проволочные, фольговые или полупроводниковые) изготовляют промышленным способом. Их наклеивают на упругий элемер<т при включении в определенную измерительную схему, например мостовую, тензорезисторы позволяют определять деформацию упругого элемента. Для определения коэффициента тензо-чувствительности выполняют выборочную градуировку тензорези-сторов данной партии. Тензодатчики (сочетание тензорезистора с упругим элементом) используют не только для измерения деформации детали, на которую они наклеены, но и в зависимости от конструкции для измерения перемещений, сил (давлений, напряжений), моментов в этих случаях обычно градуируют сам датчик. [c.21]

Термином технические средства обучения (ТСО) обычно обозначают аппаратуру и экранно-звуковые средства обучения. Такое широкое разнообразие компонентов понятия приводит к неясности самого содержания термина. В последние годы многие исследователи ТСО стали стремиться к более четкому разграничению компонентов этого понятия пособий и аппаратуры. Поэтому под ТСО (педагогической техникой) необходимо понимать сами технические устройства, аппаратуру. ТСО включают механические, электрические и электронные устройства, предназначенные для обеспечения учебного процесса. К ним относят киноаппаратуру, диапроекторы, графопроекторы, телеприемники, магнитофоны и видеомагнитофоны, лингафонное оборудование, ЭВМ и компьютерную технику, полупроводниковые приставки, некоторые диоды, резисторы, сопротивления и пр., предназначенные для демонстрационных приборов по химии. Ко всему изложенному приемлемо также понятие педагогическая техника . Для обучающих материалов и (юсобий, предназначенных для работы с ТСО, а также для учебных таблиц, диаграмм, рисунков и пр. употребляют термин аудиовизуальные средства . Этот термин показывает, что восприятие учебной информации, подаваемой с помощью этих ТСО, идет по слуховому (аудирование) и зрительному каналам. [c.45]

В последние годы развитие химического эксперимента происходит в направлении не только его соединения с педагогической техникой (проекционной аппаратурой), но и с электроникой в направлении максимального сокращения времени для подготовки демонстрационных и лабораторных опытов (про-цессоризация химического эксперимента) . В этом плане для сборки и конструирования приборов по химии применяются радиотехнические материалы (монтажные провода, пластмассы и пластики, металлы и сплавы) и полупроводниковые детали (диоды, транзисторы, конденсаторы, резисторы). Все это позво- [c.152]

В современной технологии полупроводниковых приборов особое значение имеют методы химического воздействия на исходный кристалл кремния, которые позволяют формировать в нем разнородные области п- и р-типа, окисленные участки поверхности и т. п.), являющиеся активными и пассивными элементами структуры. К этим методам прежде всего относятся отмывка и травление, служащие для удаления с поверхности примесей и нарушенного слоя, вызванного механической обработкой, создания определенного рельефа на поверхности пластины и т. п. формированне стеклообразных пленок на основе 810а, полученных или методами термического окисления, или осаждением из газовой фазы в результате химической реакции. Важную роль в технологии играют методы эпитаксиального наращивания, позволяющие создавать слоистые монокристаллические структуры с разнообразными электрофизическими свойствами. Непременным этапом физико-химической обработки кристалла при изготовлении прибора служит диффузия примесей донорного и акцепторного типов, при П0М01ДИ которой формируются области эмиттера и базы в транзисторах, резисторы и другие элементы интегральной схемы. [c.96]

В пленочных и полупроводниковых микросхемах широко используются различные металлы и сплавы, у которых стабильность электрических характеристик сочетается со стойкостью их к химической и электрохимической коррозии. Для проводников и контактов используются металлы с высокой электрической проводимостью золото, серебро, медь и алюминий, причем последний чаще всего для внутрисхемных соединений. В качестве материалов для резистивных пленок преимущественное применение нашли тантал, нихром, хромосилицидные и другие сплавы на основе хрома и тантала. Одни из названных металлов являются коррозионно-стойкими вследствие их высоких окислительно-восстановительных потенциалов (Аи, Ад), другие — из-за самопроизвольного образования пассивирующих оксидных пленок на их поверхности (А1, N1, Сг, Та). Однако при контакте резисторов из этих металлов и алюминия невозможно избежать образования гальванопар Сг—А], Ы —А1 и др., которые чрезвычайно чувствительны к любого рода загрязнениям. Этими загрязнениями могут оказаться остаточная влага, следы кислорода и некоторые химические вещества, выделяющиеся из стенок корпуса и защитного покрытия при технологических операциях герметизации и защиты микросхем. В результате электрохимической коррозии алюминий в месте контакта разрушается, что в итоге приводит к разрыву электрической цепи. [c.281]

Недостатками механических выпрямителей являются вибрация, шум, значительное падение напряжения на них и трудность автоматизации настройки. Поэтому теперь они вытеснены полупроводниковыми выпрямителями, которые выполняются на максимальное выпрямлен-ное напряжение 80 кВ и ток до 2500 мА. Выпрямительные столбы состоят из цепочки последовательно включен ных вентилей, шунтированных резисторами для выравни-ван я падений напряжения на них. [c.388]

Радиоэлектронная аппаратура (РЭЛ) является основной частью радиоэлектронного комплекса. РЭА может быть конструктивно оформлена в виде составляющих комплекс блоков, стоек, шкафов, пультоБ или их комбинаций, а также может быть выполнена в виде отдельных устройств, не входящих в состав комплекса. В состав РЭА входит множество отдельных элементов, представляющих собой микросхемы, полупроводниковые или электронно-вакуумные диоды и триоды, резисторы, конденсаторы и прочие радиодетали или электромеханические узлы (электродвигатель, реле). [c.276]

Развитие полупроводниковой технологии позволило разработать и изготавливать серийно полупроводниковые приборы для регист рации ионизирующих излучений. Работа полупроводниковых при боров [1, 21] основана на внутреннем фотоэффекте, проявляющем ся в том, что при воздействии излучения изменяется удельная элек трическая проводимость полупроводникового вещества за счет из менения числа носителей зарядов (электронов или дырок), коли чество которых связано с интенсивностью излучения и его энергий Для регистрации ионизирующих излучений используют полупровод никовые резисторы с одним проводящим слоем и устройства с не сколькими слоями, имеющими различные типы проводимости. [c.310]

Получают 1П2О3 прокаливанием нитрата или гидроксида 1п, в виде пленок распылением индия в присут. О2, термич. разложением паров ацетилацетоната 1п и др. 1п20э основа прозрачных электропроводящих пленок (обычно легированных 8п02) на стекле, слюде, лавсане и др. материалах, используемых для изготовления жидкокристаллич, дисплеев, электродов фотопроводящих элементов, высокотемпературных топливных элементов, резисторов и др., в смеси с AgO материал электрич. контактов в радиотехнике и электронике компонент шихты спец. стекол, поглощающих тепловые нейтроны перспективный полупроводниковый материал. [c.231]

На совреме.чном этапе развития микроэлектроники используют два основных метода создания ИМС на монокристаллических подложках 1) локальное воздействие на микроучастки полупроводникового монокристалла с целью придания им свойств, соответствующих функциям микроэлемента (триода, резистора и т. д.), и их соединений — э го так называемые полупроводниковые ИМС [c.160]

Измерительный блок представляет собой двухкаскадный полупроводниковый усилитель возникаюп его в резисторе фототока, который вызывает срабатывание исполнительного реле, соединенного со схемой сигнализации или автоматического управления. Трансформатор служит для питания датчика и измерительного блока. [c.247]

Металлическая пленка МП выполняет роль сигнальной пластины, подключаемой к резистору нагрузки с которого снимается выходное напряжение. Полупроводниковый слой ПС является элементом, чувствительным к падающему инфракрасному излучению. Пленка МП и противоположная сторона полупроводникового слоя ЛС служат обкладками элементарных конденсаторов мишени. При падении иа мишень излучения и за счет ее появления в материале свободных носителей зарядов эти элементарные конденсаторы разряжаются и тем сильнее, Чем больше интенсивность облучения. В результате мишень в разных местах будет иметь различные потенциалы (потенциальный рельеф) в зависимости от интенсивности падающего излучения. Таким образом, мишеяь трубки определяет основные показатели видикона и в первую очередь длинноволновую границу ее спектральной характеристики Считывание потенциального рельефа на мишени производится электронным лучом, который формируется с помощью электронного прожектора ЭП (катод К, модулятор М. первый анод А ) и магнитного поля, созданного катушками К1 и К2. Отклонение электронного луча производится с помощью отклоняющей системы ОС в виде двух ортогональных пар катушек. Вдоль стенок колбы трубки КТ располагается второй анод Ла, ускоряю- [c.184]

Гибридные интегральные стабилизаторы выполняются с применением бес-корпусных интегральных микросхем и полупроводниковых приборов, размещенных на диэлектрической подложке, на которую методами тонкопленочной или толстопленочной технологии нанесены резисторы и соединительные проводники. На подложке размещаются также необходимые дискретные элементы - бескорпусные конденсаторы, переменные резисторы и др. ГИСН выполняются в виде законченных устройств на фиксированные уровни выходных напряжений, например 5 6 9 12 15 В. С использованием мощных бес-корпусных транзисторов и маломощных схем управления, выполненных по гибридно-пленочной технологии, изготовляются стабилизаторы, рассчитанные на большие токи, например, до 5 А. [c.135]

Типовая конструкция состоит из крышки , трубки 7 для подачи давления и керамической подложки 5 с толстопле ночными резисторами 6, подстраиваемыми лазером. На подложке 5 расположены один или два операционного усилителя 8, выполненных на отдельных полупроводниковых пластинах, и мембранный чувствительный элемент 4, изготовленный в виде отдельного элемента. [c.575]

Датчик погружного типа с дугообразным корпусом из нержавеющей стали (рис. 61). На одном конце корпуса закреплен фоторезистор типа ФСК-Г1, на другом — источник света 5 — лампа типа А-26. И то и другое закрыто хорошо отполированными стеклами с гидрофобным покрытием. Стекла, обработанные таким образом, долго не обрастают биопленкой и не загрязняются. Изменение оптической плотности среды между источником света и светоприемником вызывает изменение фототока и напряжения на нагрузочном сопротивлении фоторезистора. Сигнал, равный разности напряжения на резисторе, поступает на вход двухкаскадного полупроводникового усилителя (измерительный блок)- и вызывает срабатывание исполнительного реле, контакты которого вклю-ченд в схему сигнализации или управления приводом выпускной задвижки или насосов. [c.131]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология