Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Варистор

Рис. 40. Структурная схема устройства автоматического источника тока (а), вольт-амперная характеристика варистора, входящего в преобразователь сигнала рассогласования (б) и принципиальная схема Рис. 40. <a href="/info/24140">Структурная схема</a> <a href="/info/185659">устройства автоматического</a> <a href="/info/2473">источника тока</a> (а), <a href="/info/28034">вольт-амперная характеристика</a> варистора, входящего в преобразователь сигнала рассогласования (б) и принципиальная схема

    СВОЙСТВ. Так, халькогенидные стекла благодаря прозрачности в ИК-области спектра, высокому сопротивлению и фоточувствительности применяют для изготовления электрофотографических пластин. У аморфных полупроводников ярко выражен эффект электрического переключения из высокоомного состояния в низкоомное и обратно, что позволяет создавать элементы со временем срабатывания 10 си менее. Полупроводниковые материалы применяют, в частности, при изготовлении варисто-ров — активных нелинейных сопротивлений, электрические характеристики которых зависят от напряженности электрического поля [76]. Варисторы практически безынерционны и симметричны — при перемене полярности остаются симметричными. [c.248]

    Варисторы — нелинейные полупроводниковые резисторы объемного типа, сопротивление которых изменяется в зависимости от приложенного напряжения. Основной характеристикой является вольт-амперная, основными параметрами — коэффициент нелинейности, классификационные ток и напряжение, номинальная мощность рассеяния, температурный коэффициент тока (приводятся в справочниках). Варисторы имеют различное конструктивное оформление стержни, диски и т. д.), выполняются на основе карбида кремния или селена, покрываются защитными лаками. [c.13]

    Из карбида кремния изготовляют нелинейные сопротивления (варисторы), т. е. приборы, значение омического сопротивления которых зависит от приложенной к ним напряженности электрического поля. Диоды и транзисторы, изготовленные из Si , могут работать при высокой температуре. Тонкие слои Si хорошо защищают р—п-переходы приборов. Термопара из Si и В4С развивает большую термО ЭДС даже при очень высокой температуре. Сформированная смесь из карборунда, кремния и глицерина и обожженная при 1500° в атмосфере азота называется силитом. Это прочное и химически стойкое, вещество. Силит хорошо проводит электрический ток, поэтому его применяют для нагрева электропечей выше 1000 С. [c.363]

    Далее приведены сведения о разработке висмутовых полупроводниковых материалов, в том числе об использовании их при изготовлении варисторов. [c.248]

    Основной принцип ТК ограничителей перенапряжений состоит в том, что исправные приборы характеризуются слабым нагревом. Увлажнение кварцевого песка и нарушение герметичности вызывает локальные перегревы на поверхности покрышки. Соответственно, в месте расположения пробитого варистора температура снижается. [c.304]

    Тонкая, особо чистая керамика (оксиды алюминия и циркония, нитриды кремния и алюминия, карбид кремния, пьезокерамика, ферриты и пр.) является традиционным материалом в электронике. Из нее изготовляют конденсаторы, термисторы, варисторы, диэлектрические подложки и корпуса интегральных схем, корпуса дискретных приборов и пр. [c.130]


    Широкое распространение в общем и специальном машиностроении нашел карбид кремния — тугоплавкое соединение со связями ковалентного типа, устойчивое к действию высоких температур, отличающееся высокой твердостью. Особые электрические характеристики позволяют использовать его в виде нагревательных элементов, варисторов и т. п. Карбид кремния находит применение и в машиностроении вследствие его высокой твердости и теплофизических характеристик. [c.328]

    Варисторы. Система параметров. — Взамен ОСТ 11 468.006—77 [c.296]

Рис. 2,39. Вольт-амперные характеристики варисторов, выполненных на карбиде кремния и органическом связующем при различных размерах кристаллов проводящего компонента Рис. 2,39. <a href="/info/28034">Вольт-амперные характеристики</a> варисторов, выполненных на <a href="/info/1867">карбиде кремния</a> и <a href="/info/133081">органическом связующем</a> при <a href="/info/500679">различных размерах</a> кристаллов проводящего компонента
    Различные изделия из электропроводящих полимерных материалов (нелинейные приборы-варисторы, транспортные ленты, пленки, катки, пластины, упаковочный материал) выпускаются фирмами США, ФРГ, Англии и Франции, их параметры близки к параметрам описанных выше изделий. [c.128]

    Карбид кремния известен давно, он производится в промышленности и используется в качестве абразивного материала, огнеупорного материала для нагревательных элементов, работающих при высоких температурах (силит), для нелинейных резисторов (варисторов). Большое число работ посвящено технологии изготовления и различным применениям промышленного материала с неконтролируемыми физическими свойствами. Работы по получению карбида кремния полупроводниковой чистоты, исследованию его свойств и возможных современных применений начали развиваться около 10 лет тому назад. Однако сведения о физических свойствах карбида кремния мекее полные и точные, чем для германия, кремния и соединений [c.444]

    ТазОз-промежут. продукт в произ-ве Та, танталатов двойные оксиды Та(У) и 8г используют как варисторы. Та и Ва-термоэмиссионные материалы (ВавТазОц) Та и Ва или РЬ-сегнетоэлектршси. Та и Са-катализаторы в орг. синтезе. [c.496]

    Для технического применения варисторы изготовляют в виде дисков и других форм из порошкообразных материалов. Для связывания зерен используют глину, жидкое стекло, легкоплавкое стекло, ультрафарфор, кремнийорганические лаки и искусственные смолы. Материал со связкой подвергают обжигу, а затем наносят электроды. Увеличение электропроводности варисторов при возрастании напряженности электрического поля объясняют электронной эмиссией из острых граней зерен, микронагревом контактирующих точек, увеличением проводимости оксидных пленок и возрастанием тока через р—и-переходы между зернами. Применяют варисторы для стабилизации напряжения, искрогашения на контактах, в качестве регуляторов числа оборотов двигателей, громкости звука и т.п. [c.248]

    Приготовление варисторов с использованием соединений висмута осуществляли в [90] следующим образом смешивание добавок, содержащих В120з, с основным компонентом 2пО встряхивание смеси обжиг охлаждение в нейтральной или слабо восстановительной атмосфере в определенном температурном интервале, предпочтительно 900—600 °С. [c.250]

    Фазовые превращения и микроструктура в ходе эволющ1и при спекании В1—Мп химически допированного 2пО порошка исследованы в [91]. Допирование имело целью улучшить спекание варисторов, распределение добавок и электрические характеристики. Исследование распределения добавок позволило идентифицировать несколько 81- или Мп-обогащенных фаз, которые кристаллизуются, плавятся или растворяются в ходе спекания. Эти превращения Офаничивают либо увеличивают гомогенность распределения Мп в керамике. [c.250]

    Вольт-амперные характеристики пористого ZnO-варистора с различным содержанием В120з измерены на воздухе и в смесях Н2 — воздух в интервале температур от комнатной до 600 °С. Вольт-амперные характеристики оставались неизменными в присутствии Н2, однако спад напряжения отчетливо смещался в область более низких электрических полей в интервале 400—600 °С. Спад напряжения уменьшался с увеличением концентрации Н2 в воздухе. Оптимальное количество В120з для наибольшего снижения напряжения составляло 1,0 мол. %. Таким образом, ZnO-варистор может быть использован как новый тип водородного сенсора. Подтверждена важная роль избытка ионов кислорода на фаницах зерен ZnO-ZnO в формировании барьера Шоттки, так же как и в Н2-сенсорном механизме действия варисторов [255]. [c.279]

    Кроме постоянных и переменных резисторов, основным назначением которых является создание заданного сопротивления электрической цепи, существуют резисторы, обладающие зависимостью изменения величины сопротивления от различных факторов и используемые в связи с этим в качестве датчиков-преобразователей. К ним относятся фоторезисторы, терморезисторы (термисторы), тензорезнсторы, варисторы и др. [c.12]


    Из полупроводниковых карбидов наибольший интерес представляют карбиды кремния и бора. Карбид кремния применяется для изготовления нелинейных полупроводниковых сопротивлени й-варисторов, электропроводность которых сильно растет от напряженности электрического поля. На этом основано применение их в грозовых разрядниках. Технический карбид кремния является материалом с неконтролируемыми электрофизическими свойствами. [c.226]

    Полупроводниковые материалы, изменяющие свое электросопротивление в зависимости от напряженности электрич. поля, получили название варисторов, или нелинейных полупроводниковых сопротивлени1г (НПС). Варисторы используются в качестве разрядников, для защиты изоляции электрич. установок, в телефонных устройствах и т. д. Материалами для варисторов служат порошки Si . [c.125]

    Вариационный принцип квантовой механики 616 Варистор 249 Вентиляторы 845 Вермикулит 915 Вестан 137 [c.573]

    Одним ИЗ перспективных направлений использования электропроводящих полимерных материалов является выполнение на их основе пленочных нелинейных приборов — варисторов. Технология выполнения пленочных варисторов на основе электропроводящих полимеров описана в [8]. Плёночные варисторы предназначены для использования в электролюминесцентных устройствах, в схемах размагничивания приемников цветного телевидения, в схемах защиты от перена пряжений и искрообразования, автоматического регулирования. Ь рабочем диапазоне напряжений соотношение между током и напряжением аппроксимируется выражением I=BU , где В — постоянная — коэффициент нелинейности (рис. 2,39). [c.125]

    Хотя явление термоэлектричества и ряд Зеебека известны с 1822 г. (причем в этом ряду фигурировали и вещества, позже оказавшиеся полупроводниками), но лишь в 1929 г. А. Ф. Иоффе впервые указал на особую перспективность повышения к. п. д. термоэлектрогенератора на полупроводниках. Таким образом, к 1930 г. значение полупроводников для техники только начинало вырисовываться. Потребовалось создание современной теории твердого тела—теории реального кристалла и квантовой статистики, бурное развитие химии особочистых веществ (в связи с требованиями атомной энергетики), активный рост (на базе применения полупроводников) производства фотосопротивлений, фотоэлементов, термисторов, выпрямителей тока, варисторов, термоэлектрогенераторов и др. и, наконец, открытие транзистора (1947), чтобы оолупроводниковая электроника заняла ее современное место в новой технике радиоэлектронике, телемеханике, вычислительной технике, электровозостроении, атомной энергетике, ракетной технике, освоении космоса и т. д. [c.9]


Смотреть страницы где упоминается термин Варистор: [c.549]    [c.519]    [c.304]    [c.304]    [c.15]    [c.775]    [c.435]    [c.206]    [c.556]    [c.157]    [c.12]    [c.442]   
Электрооборудование электровакуумного производства (1977) -- [ c.13 ]




ПОИСК







© 2024 chem21.info Реклама на сайте