Диэлектрики, используемые для нанесения покрытий

Способы металлизации диэлектриком можно разделить на четыре вида механические, физические, химические и -)лектро-химические. Перечисленные способы применяют как самостоятельно, так и в различных сочетаниях. Чаще всего используют химико-гальваническую металлизацию, в которой на поверхность диэлектриков наносят металл сначала путем химического восстановления из растворов, а затем электрохимически. Большой интерес представляют новые электрохимические методы нанесения металлических покрытий непосредственно на диэлектрики, минуя стадию химического восстановления металлов. [c.96]

Составы растворов. Для химического серебрения чаще других используют растворы, приведенные в табл. 34. Наибольшее промышленное распространение из них получил раствор № 1. Восстановителем в нем может быть и глюкоза с концентрацией 5 г/л (при соотношении А к Б, равном 1 1). Раствор применяют при нанесении на диэлектрики электропроводного подслоя различного назначения, а такте самостоятельного покрытия в производстве зеркал и оптических приборов. Он обеспечивает получение покрытия в процессе однократной обработки поливом или погружением толш,иной 0,08 — 0,15 мкм. Для создания большей его толш,ины (до 0,4 — 0,5 мкм) операцию серебрения повторяют до 3 раз и более. Введение в раствор 10 г/л сахарина позволяет получить при однократной обработке покрытие толщиной до 0,25 мкм. Остальные растворы применяют главным образом в гальванопластике при нанесении электропроводного подслоя на модели из различных материалов (преимущественно из пластмасс) способами погружения (растворы № 2 — 4, табл. 34) и пневмораспыления (раствор № 5). Причем раствор № 2 используют также и для серебрения графитовых порошков, № 3 — пластмасс, омыляемых в щелочных растворах, а № 4 — моделей из воска и его композиций. Продолжительность работы раствора № 2 — 20 — 30 мин, толщина получаемого покрытия — 0,2 — 0,3 мкм. Для серебрения деталей из парафина используют серебрильный раствор состава, мл [c.93]

Химическое серебрение применяют при нанесении электропроводного подслоя или самостоятельного покрытия с малым удельным сопротивлением на детали нз пластмасс, стекла, керамики, других диэлектриков и нх сочетаний как между собой, так и с металлами. Его используют и прп получении отражающих поверхностей (преимущественно на прозрачных диэлектриках). Но высокая стоимость серебра, недостаточная прочность сцеплення с основой и миграция его по поверхности пластмасс, а также незначительная стабильность традиционных (аммиачных) растворов существенно ограничивают сферу применения химического серебрения. [c.59]

С деталями, имеющими электропроводный подслой, нужно обращаться очень осторожно, особенно при перемонтаже их на подвески для нанесения покрытий путем катодного восстановления. Во избежание перегрева электропроводного подслоя увеличивают площадь и количество контактных элементов подвески, осаждение электрохимического покрытия начинают при малой плотности тока (чаще всего при 0,2 —1,0 А/дм ). В качестве первого гальванического подслоя в большинстве случаев служит матовая медь, которая одновременно является буфером между диэлектриком и блестящим никелевым покрытием при резком изменении температуры. Она способствует также повышению прочности сцепления между электропроводным подслоем и последующим слоем покрытия. Хотя медь и имеет значительно меньший коэффициент линейного теплового расширения (1,7 10- °С), чем, например, пластмасса (АБС —8 10- полипропилен—6,3 10- °С), ее нагрев и расширение происходят быстрее. Это приводит к тому, что в каждом отдельном случае величины расширения или сжатия обоих материалов становятся почти равными. В качестве буферного подслоя используют и эластичные осадки матового или полублестящего никеля (коэффициент их линейного теплового расширения—1,3 10- /°С). Толщина буферного подслоя обычно не превышает 50 — 75 % общей толщины покрытия. [c.105]

Для нанесения покрытий из порошкообразных композиций можно использовать и электростатическое осаждение. В электрическом поле высокого напряжения псевдоожиженный порошок приобретает отрицательный заряд и осаждается на поверхности детали, заряженной положительно. Способность диэлектриков сохранять заряд после удаления электрического поля используется для получения рыхлого слоя [c.188]

Политетрафторэтилен (фторопласт) [—С 2—Ср2—]п —. термопласт, получаемый методом радикальной полимеризации тетрафторэтилена. Обладает исключительной химической стойкостью к кислотам, щелочам и окислителям. Прекрасный диэлектрик. Имеет очень широкие температурные пределы эксплуатации (от —270 до +260 °С) (при 400 °С разлагается с выделением фтора). Не растворяется в органических растворителях, не смачивается водой. Фторопласт используется как химически стойкий конструкционный материал в химической промышленности. Как лучший диэлектрик применяется в условиях, когда требуется сочетание электроизоляционных свойств с химической стойкостью. Кроме того, его используют для нанесения антифрикционных, гидрофобных и защитных покрытий. [c.367]

Щелочные растворы, наиболее часто применяемые для обезжиривания диэлектриков, приведены в табл. 9. Раствор № 1 используют для обработки полимерных материа-лов, а № 2 — преимущественно для неорганических ди-электриков. Обезжиривание стекла перед нанесением зеркальных серебряных покрытий часто производят смачиванием поверхности 1—3 %-м раствором едкого натра при температуре 18 — 25 °С. Многие диэлектрики обезжиривают готовыми моющими композициями на основе ПАВ, солей щелочных металлов и некоторых других соединений. [c.29]

Рассмотренный способ получения никелевых покрытий называется химическим никелированием. Этот способ широко используется в электронной и вычислительной технике, радиотехнике и автоматике, электротехнике для получения печатных схем, нанесения покрытий на поверхностях диэлектриков и полупроводников при изготовлении микросхем. Химическим способом получают также покрытия серебром, медью и палладием. [c.183]

Химическое никелирование и меднение часто применяют лишь для получения на диэлектриках тонкого электропроводного слоя металла. В таком случае природа металла играет второстепенную роль и решающее значение приобретает удобство процесса нанесения покрытия и обращения с покрытием на дальнейших стадиях металлизации, В настоящее время для декоративной металлизации пластмасс больше используют химическое никелирование. [c.80]

Для промышленного нанесения химико-гальванических покрытий на диэлектрики в большинстве случаев применяют такое же оборудование (автоматические или механизированные линии, ванны и др.), как и при химическом и электрохимическом получении покрытий на металлах. При этом основное оборудование — ванны изготовляют из химически стойких материалов, таких, как полипропилен, винипласт, полиэтилен, оргстекло, керамика, стекло, фарфор, коррозионностойкие стали, титан, фторопласт и др. Во многих случаях пользуются стальными ваннами, футерованными этими же материалами или поливинилхлоридным пластикатом, резиной, фторопластовым и иными покрытиями. Ванны обезжиривания в ш елочных растворах изготовляют из обычных низкоуглеродистых сталей, а ванны травления в хромовокислых растворах—из углеродистых или коррозионно-стойких сталей, футерованных преимуш е-ственно свинцом. Для нагрева ванн чаш е всего используют электрические или паровые нагреватели в корпусах из фарфора, титана, фторопласта. Другие конструктивные элементы или приспособления, погружаемые в растворы (электролиты), производят из тех же материалов, что и ванны. [c.144]

При получении многослойных покрытий большое значение имеет выбор химически инертного диэлектрика, который выполняет роль межслойной изоляции. В качестве такого материала чаще всего используется моноокись кремния SiO, однако при продолжительном отжиге нанесенного многослойного покрытия SiO вступает в реакцию с тонкой металлической пленкой. Моноокись кремния можно заменить фтористыми соединениями (фтористый магний, фтористый кальций). [c.168]

Как видно из последовательности операций дамасского процесса формирования медной металлизации (см. раздел 7.5), необходимо наносить зародышевый слой меди на топологический рельеф диэлектрика с НДП, покрытый пленкой барьерного материала. В ИМС с УТ 130 нм аспектное отношение этого рельефа АК = Ъ 1, и для нанесения зародышевого слоя меди используются процессы ФОГФ (PVD) [1]. Причем для гарантированного сплошного покрытия боковых стенок рельефа толшину зародышевого слоя увеличивают до 100 нм, что вызывает большое нависание пленки зародышевого слоя на верхних поверхностях рельефа и создает проблемы при дальнейшем заполнении рельефа медью методом электрохимического осаждения из раствора. [c.179]

Сложная вакуумная технология нанесения на прозрачную подложку покрытий из чередующихся слоев диэлектриков с различающимися показателями преломления сделала доступными полосовые, отрезающие и узкополосные фильтры (рис. 2.8). Так как фильтры изготовлены из диэлектрических материалов, то они не поглощают падающего излучения, а только отражают и пропускают его. Узкопо-лосшае фильтры можно изготовлять такими, что они будут иметь совсем узкую полосу пропускания и прекрасно отражать остальные частоты. Искусно изготовленный узкополосный фильтр на подложке в виде диска, в котором частота пропускаемого излучения изменяется по окружности непрерывно и одинаково, можно использовать в качестве монохроматора. В этом случае сканирование осущест- [c.31]

Раствор № 1 (раствор Майерса — Вейна) применяют для создания электропроводного подслоя на гладких поверхностях диэлектриков (преимущественно в гальванопластике). Присутствие в нем соли никеля способствует увеличению прочности сцепления покрытия со стеклом, углеродными волокнами и пластмассами, получению плотных однородных и светлых покрытий с содержанием никеля от 1 до 4 %. Раствор Л Ь 2 используют при нанесении электропроводных покрытий на пластмассы. Он содержит небольшие концентрации реагирующих веществ, отличается небольшой скоростью осаждения и высокой стабильностью [c.78]

Составы электролитов и режимы электролиза (табл. 40). При нанесении многослойных гальванических защит-но-декоративных покрытий на диэлектрики медь применяют главным образом в качестве первого подслоя. Кроме того, ее широко используют в качестве самостоятельного покрытия при декоративной отделке тонированием, оксидированием или химическим окрашиванием с последующей защитой лакированием (отделка под цвет золота, старой меди и др.), а также специального покрытия преимущественно в производстве печатных плат. Толстые (1 мм и более) медные осадки применяют в гальванопластике при получении копий с форм, изготовленных из иеэлек-тропроводных материалов. [c.107]

Тонкодисперсные металлические и керамические порошки плазменного происхождения применяют для интенсификации процессов спекания и соединения разнородных материалов, для улучшения качества изделий, получаемых ранее из порошков стандартной гранулометрии, получения материалов с особыми свойствами, например постоянных магнитов с высокой коэрцитивной силой, для дисперсионного упрочнения металлов и сплавов и для нанесения заш,итных покрытий. Однако область применения дисперсных и ультрадисперсных металлических и керамических материалов гораздо шире. Их используют в радиоэлектронике для производства магнитодиэлектри-ков и искусственных диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью, ферритов из высокодисперсных материалов, материалов с особыми полупроводниковыми свойствами. Кроме того, возрастают потребности в ультрадисперсных порошках для химического синтеза в качестве катализаторов и реагентов. Известно, в частности, что уменьшение размера частиц нитрида титана до 15 нм позволяет в 20 раз увеличить напряженность критического магнитного поля по сравнению с этим параметром для массивного образца того же состава [4]. С уменьшением размера частиц улучшаются механические свойства изделий, в том числе повышается прочность, увеличивается предел текучести, снижается порог хладоемкости [5. [c.633]

Эпитаксиальный рост не происходит и в том случае, если поверхность катода покрыта полупроводящими пленками масла, окисла, сульфидов и т. п. Это может иметь место при плохой предварительной обработке подложки, при загрязнении гальванической ванны или когда на таких металлах, как нержавеющая сталь, алюминий, титан и т. д. после их промывки вновь быстро образуются окисные пленки. Слабая адгезия электролитических осадков при неэпитаксиальном осаждении используется в гальванопластике с целью облегчения отделения осадка от подложки. При нанесении гальванических покрытий на полупроводники или диэлектрики важно обеспечить и механическое сцепление типа ласточкин хвост (по методике подготовки неметаллических подложек). Для легко пассивирующихся сплавов разработаны методики, подобные используемым при осаждении покрытий на нержавеющей стали и алюминии (см. выше). Иногда даже при применении специальных методов некоторое количество окислов сохраняется на поверхности и электролитическое покрытие закрепляется на подложке только на небольших участках эпитаксиального осаждения. В этом случае существует опасность получить отслаивание покрытия. Термические напряжения или даже сравнительно слабая шлифовка могут привести к отслоению на несцепленных участках границы раздела. Адгезию можно улучшить путем отжига детали после электроосаждения. При этом окисел, находящийся на границе раздела, растворяется в одном или обоих металлах или диффундирует к границам зерен, а сплавление металлов на границе раздела приводит к [c.343]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология