Нитрид тантала удельное

При распылении тантала небольшая добавка азота к аргону приводит к образованию в пленке между узлами кристаллической решетки азота. При увеличении примеси азота образуются нитриды тантала. Добавление к основному газу небольшой порции реактивного газа (азота, кислорода, окиси углерода или метана) резко меняет электрические свойства напыляемых пленок. На рис. 1-6 показаны зависимости удельного сопротивления пленок, полученных катодным распылением тантала в атмосфере аргона (давление 1,5 мм рт. ст.) в зависимости от парциального давления реактивного газа. [c.21]

Выбор восстановителя (восстановительного реагента) и танталовых соединений в целях получения пленок нитрида тантала является основной проблемой. Во-первых, реагенты должны быть совместимыми с материалами и процессами КМОП технологии производства кремниевых ИМС, во-вторых, они должны реализовывать процесс осаждения пленок нитрида тантала при температуре не выше 350 С, в-третьих, пленки TaN должны обладать высокой проводимостью (низким значением удельного сопротивления), содержать минимальное количество примесей, особенно хлора, углерода и водорода, и иметь аморфную или нанокристаллическую структуру [49, 50]. [c.170]

Путем катодного распыления удается получать пленки тугоплавких металлов. Для получения нитридов тугоплавких металлов применяется разряд в смеси аргона с азотом, для получения карбидов — смесь аргона с метаном или аргона с окисью углерода. Поскольку такие металлы, как титан, тантал, цирконий и ниобий, являются хорошими газопоглотителями, то даже при распылении в атмосфере аргона без специальной добавки ре-а 1(тивного газа образуются пленки, удельное электрическое сопротивление которых больше, чем удельное сопротивление распыляемого металла. Эти пленки имеют такую же структуру, как и сам распыляемый металл, а растворенные в них атомы газов, не вытесняя атомов металла из кристаллической решетки, располагаются в промежутках между ее узлами. [c.21]

Тонкопленочные резисторы. Тонкопленочные резисторы относительно нечувствительны к шероховатости поверхности до тех пор, пока она не превышает толщины пленки. Материалами для подложек, используемых для этой цели, являются стекла, полированный плавленый кварц, кера-.мика и монокристаллические пластины. Сравнение нихромовых пленок, осажденных на спеченную керамику и стекло, показывает, что на более грубых поверхностях получаются пленки с большим сопротивлением на квадрат, меньшими температурными коэффициентами сопротивления и худшей стабильностью во время термического старения [16—18]. Подобно ведут себя кремниевые пленки, осажденные па только что приготовленную окись алюминия [19]. Данные, иллюстрирующие влияние шероховатости на удельное сопротивление нитрида тантала, приведены в табл. 7. Данные Брауна [20] и Коффмана и Тэнауера [21] в табл. 7 дают хорошее совпадение и показывают растущее влияние шероховатости поверхности на удельное сопротивление. Более детальное исследование на подложках с высоким отношением стеклообразной фазы к кристаллической позволило установить, что форма кристалла, отношение стеклянной матрицы к кристаллическому веществу и плотность кристаллитов оказывает более сильное влияние на поверхностное удельное сопротивление, чем шероховатость, измеренная профилографом [21]. [c.514]

Так как существование нптрпда состава ТаК считается наиболее вероятным, то и изученные свойства нитридов приписываются именно этому соединению. Нитрид тантала ТаЫ представляет собой кристаллическое вещество серого или черного цвета с металлическим блеском, удельного веса 14,1. Теплота образования этого соединения определена равной +58.1 ккал .моль. [c.368]

Так, карбид тантала (ТаС) плазменного происхождения спекается при Т — 1373 - - 2073 К, в то время как температура спекания промышленного порошка ТаС микронной фракции превышает 3273 К 2]. Установлено [2], что температура спекания нитрида алюминия (A1N) с удельной поверхностью 30 м /г на 300 К ниже, чем для A1N с удельной поверхностью 5 м /г. Еш,е больше понижается температура спекания для высокодиснерсного нитрида титана — на 500 -Ь 700 К [3. [c.633]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология