Кривые падения потенциала

Рис. 42. Двойной электрический слой /—по Гельмгольцу, //—по Гуи,///—по Штерну вверху—расположение ионов, внизу—кривые падения потенциала

Рнс. 94. Схема двойного электрического слоя д — расположение заряда б — кривая падения потенциала [c.315]

Ионную оболочку мицеллы можно рассматривать с позиции теории сильных электролитов. Согласно этой теории в растворе каждый ион окружен ионной атмосферой, радиус которой зависит от ионной силы раствора, которая равна сумме концентраций всех ионов, умноженной на квадрат их валентности (ЕС г ). С увеличением ионной силы ионная атмосфера сжимается и радиус ее уменьшается. Если отнести эти представления к мицелле гидрозоля, то, очевидно, присутствие избытка электролита в золе также вызовет сжатие диффузного слоя. Кривая падения потенциала поля пройдет ниже первоначальной, и электрокинетический потенциал уменьшится, что и наблюдается обычно при коагуляции электролитов (рис. 6). Однако не надо думать, что причиной коагуляции является уменьшение электрокинетического потенциала и связанное о этим ослабление электростатических сил отталкивания. Это снижение электрокинетического потенциала указывает только на происходящие перемещения в структуре двойного электрического слоя. Коагуляция обычно наступает при некотором критическом значении дзета-потенциала, большей частью не равном нулю. При сжатии диффузного слоя до размеров адсорбционного электрокинетический потенциал становится равным нулю наступает так назы- [c.44]

Рис. 122. Схема двойного электрического слоя а — по Гельмгольцу б — по Гуи в - по Штерну вверху — расположение ионов внизу кривые падения потенциала — термодинамический потенциал 5 электрокннетический потенциал

Согласно современным представлениям, двойной электрический слой — это образующийся на границе двух фаз тонкий поверхностный слой из пространственно разделенных электрических заря.шв противоположного знака (потенциалобразующих ионов и противоионов). ДЭС следует рассматривать как единую систему, в целом нейтральную, так как сумма зарядов противоионов равна заряду твердой поверхности (внутренней обкладки ДЭС). В образовании ДЭС могут участвовать не только ионы, но и дипольные молекулы. Внешняя обкладка ДЭС (слой противоионов) состоит из двух частей плотной и диффузной. Теория диффузной части разработана и обоснована более полно, плотной части — менее полно. Общая теория ДЭС пока отсутствует. Исторически в ходе изучения ДЭС было предложено несколько его моделей, которым отвечает различный характер кривых падения потенциала и расположения противоионов. [c.403]

Рис. 40. Схема двойного слоя а—расположение зарядов б—кривая падения потенциала.

Рис. 2. Схема двойного слоя а — расположение б—кривая падения потенциала

I — поверхность твердого тела 2 — граница перемещения жидкости 3 — кривая падения потенциала. [c.191]

Рис. 1. Схема двойного слоя по Гельмольцу. а — расположение зарядов б — кривая падения потенциала