Транзистор основные типы

Таблица 1.12. Основные типы транзисторов и их возможная замена

В транзисторе п—р—п.-типа полярность батареи меняется на обратную, ток создается в основном электронами, все остальные рассуждения, приведенные выше, справедливы и для п—р—п-транзистора. [c.295]

В зависимости от преобладания физической структуры бесконтактные аппараты можно разделить на три класса полупроводниковые, магнитные и магнитно-полупроводниковые. В каждом из этих классов можно выделить функциональные группы аппаратов реле управления, регуляторы, датчики и т.д. Основными элементами бесконтактных полупроводниковых аппаратов управления являются релейные и импульсные усилители, выполненные на различных полупроводниковых приборах, главным образом на транзисторах и диодах (переключающих, туннельных и других типов). [c.150]

Существуют три основных вида полевых транзисторов, различающихся способом управления проводимостью канала. В транзисторах с управляемым р- -переходом (рис. 1.5, а) на слаболегированной полупроводниковой монокристаллической подложке исток, канал и сток образованы областью проводимости -типа. В средней части этой области между истоком и стоком создается область с противоположным типом проводимости и высокой концентрацией примеси (р -область). Под образовавшимся / - -переходом находится канал -типа. Для функционирования транзистора к затвору относительно истока прикладывается управляющее напряжение (рис. 1.4, в), смещающее р - -переход в обратном направлении (при канале -типа СЛ < 0). Напряжение сток-исток [/с, создающее ток через канал, должно обеспечивать обратное смещение всего р - -перехода ([/ > О для -канала). При этом обедненный носителями тока и выполняющий роль изоляционного слоя р" - -переход располагается в основном в области канала, поскольку толщина перехода с каждой стороны от границы раздела р - и -областей обратно пропорциональна концентрации в них примесей. В то же время толщина перехода, а значит, и проводимость канала, и ток через него зависят от величины С/,. Так происходит эффективное управление током стока с, протекающего через канал, с помощью малых изменений напряжения на затворе. Поскольку / - -переход остается закрытым, входное сопротивление между затвором и истоком полевого транзистора в отличие от биполярного, оказывается весьма большим (10 ... 10 Ом). [c.30]

В рассматриваемых типах потенциостатов имеется три усилителя основной постоянного тока выходной, регулирующий мощность стабилизирующий ток с преобразованием сигнала. Необходимую величину тока поляризации обеспечивает усилитель мощности, работающий на лампах и на транзисторах. [c.58]

Основной тип транзистора в схеме [c.32]

На основе тонких пленок монокристаллов соединений типа создают полевые транзисторы, смешанные диоды, светодиоды, фотокатоды, лазерные диоды и другие приборы. Арсенид галлия занимает ведущее положение среди бинарных соединений, пригодных для изготовления солнечных батарей. На его основе получены элементы с КПД до 22% (теоретический КПД — около 30%) и возможно получение элементов с КПД 23—24%. Вероятно, что к началу 90-х годов элементы солнечных батарей для космического использования будут изготовлять на основе арсенида галлия. Ниже приведены основные характеристики элементов солнечных батарей наземного применения [c.130]

Если к затвору относительно истока приложить напряжение fЛ, противоположное по знаку основным носителям полупроводника под затвором ( 7, < 0), то в поверхностном слое под диэлектриком будет индуцироваться заряд носителей тока того же типа, что и основные носители в данной области полупроводника (на рис. 1.5, б - дырки). Это приводит к увеличению поверхностной концентрации основных носителей, т.е. к обогащению ими поверхностного подзатворного слоя. При этом один из р-п-переходов, а следовательно, и транзистор остаются закрытыми. При подаче малого и, другой полярности ( 7з > 0) в поверхностном слое под затвором индуцируется сравнительно небольшой заряд неосновных носителей тока (электронов) для данной области полупроводника, а основные носители частично смещаются в глубь полупроводника. В итоге их поверхностная концентрация уменьшается, но остается большей, чем у неосновных носителей. В этом случае происходит обеднение поверхностного слоя основными носителями. Транзистор по-прежнему остается закрытым. При значениях 7,, больших некоторого порогового значения ( Щ > 1С ор1), поверхностная концентрация неосновных носителей становится больше концентрации ионов примеси (акцепторов). По этой причине поверхностный слой приобретает инверсное состояние - его тип проводимости становится противоположным проводимости остальной части подложки. Следовательно, между истоком и стоком индуцируется поверхностный канал и транзистор открывается. Чем больше 1 7,1 превышает 7пор1, тем больше ток стока / с- При этом напряжение затвора управляет током стока. [c.32]

Важнейшие области применения. Основная область применения индия — производство полупроводников. Как и галлий, он является акцепторной примесью, сообщающей германию и кремнию дырочный тип проводимости. Поэтому применяется для создания п—р-переходов. Широкому его применению благоприятствует то, что он легко смачивает поверхность германия и хорошо сплавляется с ним при низкой температуре. Фосфид, арсенид и антимонид индия — полупроводники, представляющие большой практический интерес. В частности, антимонид индия обладает исключительно большой подвижностью электронов. Это соединение используется для изготовления датчиков эффекта Холла в приборах для измерения магнитных полей и инфракрасных детекторов, так как он обладает фотопроводимостью в инфракрасной области [80]. Фосфид индия применяют для изготовления высокотемпературных транзисторов. Арсенид индия идет на изготовление низкотемпературных транзисторов, термисторов и оптических приборов [81]. [c.299]

Релейный блок состоит из следующих основных элементов конденсатор фильтра С1, блок предварительного усилителя, выполненный на операционном усилителе У01, выпрямитель УОЗ, сглаживающий фильтр R7, СЗ, диод У04 для обеспечения положительной обратной связи и исключения вибрации реле, выходной усилитель, выполненный на транзисторе УТ, выходное реле КЬ типа РП-О-УЗ, блок питания, выполненный с использованием трансформатора ТУ, выпрямителя сглаживающего конденсатора и стабилитрона У06. [c.90]

Известны два основных типа полупроводников. В нестехиометрических структурах типа 2 и 4 имеются свободные электроны, которые при наложении электрического поля могут перемещаться через кристаллическую решетку. Эти два типа структур относятся к полупроводникам обычного или п-типа. В структурах типа 1 и 3 катионы с избыточным положительным зарядом можно рассматривать 1как положительные дырки . Эти дырки даже в условиях обычного теплового возбуждения при наложении на кристалл электрического поля могут перемещаться по кристаллической решетке, и такие соединения называют полупроводниками с дырочной проводимостью, или полупроводниками р-типа. Полупроводники обоих типов используются для изготовления транзисторов, которые применяются в электронных схемах. [c.156]

Установки испытания электрических параметров, не имеющие совмещения по технологическому циклу с другими процессами изготовления, как уже указывалось ранее, и являющиеся самостоятельными, оборудуются специальными устройствами для предварительного подогрева испытываемых изделий. Обычно емкость (количе ство гнезд) предварительного подогрева устанавливается исходя из пропускной способности испытательной устат новки с целью обеспечения максимальной производительности оборудования. Устройство предварительного подогрева, кроме своей основной функции, несет дополнительную функцию отбраковки ламп, имеющих короткие замыкания или обрывы. Для обнаружения дефектных ламп по коротким замыканиям между электродами и защиты от них источников питания используются буфера кые лампы накаливания, газонаполненные сигнальные лампы (неоновые, сигнальные типа ТЛ и др.), различного рода предохранители, релейная защита, а также специальные системы индикации, выполненные на электронных схемах с применением транзисторов, ламп или тиратронов. Панель подогрева испытательной установки 252 [c.252]

Генератор на б—10 Мгц для возбуждения колебаний в кварцевой пластинке собран на трех транзисторах типа П414 и П416А по осцилляторной схеме Монтаж схемы генератора возбуждения выполнен печатным способом. Печатная плата заключена в закрытый экран из дуралюминия. На верхней торцовой стенке экрана расположены тумблер для подключения питающего напряжения и два высокочастотных разъема, один из которых служит для присоединения в схему кварцевой пластинки, находящейся в рабочей камере, а другой — для подачи выходного сигнала от кварцевого резонатора на вход измерителя частоты. В качестве последнего использован кварцевый частотомер-калибратор марки 41-5 с погрешностью измерения частоты при использовании основного кварцевого генератора, равной +5 -10 3//С за 15 суток, но не лучше +1 -10 fx dz (- — коэффициент кра гности сравниваемых частот по фигурам Лиссажу). Для повышения стабильности работы возбуждающего генератора последний был помещен в камеру водяного термостата, вода из которого одновременно используется и для температурной стабилизации кварцевой пластинки в рабочей камере с точностью Г. [c.161]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология