Полевые транзисторы исток

Существуют три основных вида полевых транзисторов, различающихся способом управления проводимостью канала. В транзисторах с управляемым р- -переходом (рис. 1.5, а) на слаболегированной полупроводниковой монокристаллической подложке исток, канал и сток образованы областью проводимости -типа. В средней части этой области между истоком и стоком создается область с противоположным типом проводимости и высокой концентрацией примеси (р -область). Под образовавшимся / - -переходом находится канал -типа. Для функционирования транзистора к затвору относительно истока прикладывается управляющее напряжение (рис. 1.4, в), смещающее р - -переход в обратном направлении (при канале -типа СЛ < 0). Напряжение сток-исток [/с, создающее ток через канал, должно обеспечивать обратное смещение всего р - -перехода ([/ > О для -канала). При этом обедненный носителями тока и выполняющий роль изоляционного слоя р" - -переход располагается в основном в области канала, поскольку толщина перехода с каждой стороны от границы раздела р - и -областей обратно пропорциональна концентрации в них примесей. В то же время толщина перехода, а значит, и проводимость канала, и ток через него зависят от величины С/,. Так происходит эффективное управление током стока с, протекающего через канал, с помощью малых изменений напряжения на затворе. Поскольку / - -переход остается закрытым, входное сопротивление между затвором и истоком полевого транзистора в отличие от биполярного, оказывается весьма большим (10 ... 10 Ом). [c.30]

Как было показано выше (см. раздел 1.2.2), полупроводниковой основой полевых транзисторов служит подложка из кристаллического кремния /7-типа, отделенная от металлического проводника (затвора) слоем тонкого ( 100 нм) диэлектрика (обычно БЮг). Эта конструкция усложнена двумя дополнительными кремниевыми элементами w-типа, называемыми истоком и стоком. Электрическая цепь создается за счет металлических контактов со стоком и истоком и позволяет измерять электропроводность поверхностного слоя кремниевой подложки. [c.218]

Если к металлическому проводнику приложить положительный потенциал, то положительно заряженные дырки в кремнии будут смещаться от границы раздела кремний/диэлектрик и на поверхности кремниевой подложки возникнет отрицательный заряд. Пока величина приложенного напряжения меньше порогового значения U , электрический ток не протекает от стока к истоку. Если же f/з больше порогового значения, то образуется поверхностный инверсионный слой, в котором кремний / -типа превращается в кремний и-типа. Теперь ток может течь от стока к истоку, Контроль за током стока /с является основой работы полевого транзистора. [c.218]

Если приложить дополнительное напряжение 11з между затвором и подложкой, то в п-канале между п-областями кремния образуется электрическое поле, так что между стоком и истоком протекает ток /си- Величина тока определяется напряжением. Конечно, чтобы получить ток, необходимо минимальное напряжение. Благодаря высокому сопротивлению между затвором и подложкой входной ток пренебрежимо мал. Высокое сопротивление полевого транзистора делает его подходящим входным устройством для pH- и иономе-ров, а также для усиления сигнала в обычных вольтметрах. Влияние напряжения сток-исток существует из-за изменений электрических характеристик транзистора (рис. 7.7-5). [c.501]

Кроме биполярных транзисторов существуют и находят применение полевые (униполярные) транзисторы (рис. 1.5, в). В таких транзисторах управляемый ток через канал между стоком (с) и истоком (и) создается носителями заряда только одного типа (электронами или дырками), а управление током осуществляется электрическим полем, создаваемым управляющим напряжением между затвором (з) и истоком (п - подложка). [c.30]

Недостатком этой схемы является то, что она не компенсирует суммарное омическое сопротивление в цепи ячейки. Это ухудшает степень компенсации емкостного тока из-за неконтролируемости сдвига фазы Аф пропорхщонально ЛСд о), а следовательно, пропорционально возрастает не-скомпенсированная составляющая емкостного тока, ограничивающая чувствительность. Для устранения этого недостатка в устройство включают дополнительно операционный усилитель 13, индикатор нуля 11 и управляемый делитель (рис. 55, е). Напряжение смещения инвертируется операционным усилителем 13, охваченным отрицательной обратной связью, и подается на полевой транзистор 12. Это напряжение соответствует минимальному сопротивлению сток/исток В этом случае коэффициент положительной обратной связи (ПОС)а практически равен нулю [c.93]

Многие полимеры без примесей или при небольшом их количестве являются полупроводниками. Это свойство стимулировало попытки как промышленных, так и научных исследовательских групп использовать такие материалы в полупроводниковых приборах и, в частности, в полевых транзисторах. В качестве слоя полупроводника между электродами истока и стока полевого транзистора требуется пленка микронной толщины. Такая пленка может быть получена методом центрифугирования. Она покрывает раствором исходного полимера подложку, обладающую требуемой формой электрода. Затем для превращения пленки в проводящий полимер выполняется тепловая обработка в потоке газообразной легирующей примеси. Совершенствование метода позволяет достичь в полимерных полевых транзисторах подвижности носителей заряда 10 см /В-с. Полимерные светодиоды изготавливают из коньюгированных полимеров, используя в качестве излучаемого слоя, например, полифениленвинилен. Светодиоды на основе полимеров могут быть конкурентоспособны в дисплеях благодаря потенциальной простоте и низкой стоимости. [c.434]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология