Транзистор проверка

Выборочные пространства, события, случайные велич(Гны и распределения вероятностей. Данные контроля качества можно описать, введя четыре основных понятия. Первым из них является выборочное пространство, которое представляет собой множество точек, соответствующих всем возможным исходам эксперимента. Например, при проверке 100 транзисторов выборочное пространство состоит из 101 точки Ро, Ри Рт, которые соответствуют О, 1,2,., 100 дефектным изделиям. [c.80]

Транзистор может быть проверен и с помощью тестера по шкале омметра (рис. 1.4, в). При проверке с помощью тестера ТТ-1 коэффициент усиления триода определяется по формуле [c.35]

Предположим, например, что 8 транзисторов подвергаются проверке До проведения эксперимента число дефектных транзисторов можно описать с помощью случайной величины / , выборочного пространства /- = 0, 1, 2,. .., 8 и биномиального распределения вероятностей [c.147]

Импульсный режим работы блока продолжается до прекращения подачи питания на зажим 21. Импульсное включение реле Р на 1,5 с через каждые 3 с обеспечивается выбором элементов схемы и настройкой посредством переменных резисторов С8 и С9. Тумблер ТВ1 используется для отключения блока при проверке мегаомметром сопротивления изоляции электрических цепей тепловоза во избежание пробоя транзисторов. [c.215]

В случае отказа каких-либо узлов установки проводят полную проверку устройства управления тиристорами, блоков стабилизированных выпрямителей и транзисторного усилителя, руководствуясь данными карты напряжений на электродах транзисторов блока управления ДУТ-АКХ, приведенными в табл. 11. Если повреждение устранить е удается, выполняют полную покаскадную проверку узлов блока управления установки, для чего вначале проверяют и испытывают все выпрямители, затем импульсное и усилительное устройство. [c.91]

Полупроводниковые элементы—транзисторы, диоды, селеновые вентили (выпрямители) — в электрических схемах работают при токе, напряжении и рассеиваемой мощности, значительно меньших, чем предельно допустимые значения. Тем самым исключается возможность выхода их из строя. Большинство полупроводниковых приборов имеет большой разброс параметров, поэтому установка их в схему без предварительной проверки не дает гарантии нормальной работы. [c.246]

Сопротивление м окончательно подбирают при настройке реле. При необходимости далее выполняют проверку теплового режима транзистора и выбор радиаторов [19]. [c.159]

После проведения эксперимента, заключающегося в проверке 8 транзисторов, оказалось, что три транзистора дефектны. Функция [c.147]

Для проверки большого количества мелких деталей, например транзисторов, метод иогружения деталей в радиоактивный газ, очевидно, более подходящ, чем их наполнение. Несколько сот деталей могут быть одновременно погружены в газ и посредством счетчика можно произвести быстрое определение активности каждой детали. Этот способ значительно труднее осуществить для более крупных деталей, объем которых превышает 10 мл в данном случае предварительное наполнение деталей, вероятно, предпочтительнее. [c.281]

Проверка режима отсечки выходного транзистора Т2. При насыщении Т1 и отсечке Т2 определяют а) ток 1 = /1(02) по формуле (34) б) запирающее напряжение i/i = / i/j(o2) напряжение на базе Т2и з = t/i — I /k3hiI- Для отсечки Т2 должно выполняться условие /бг > t 6oai где 1/о 2 0,06-т-0,12 В. Если неравенство не выполняется, задаются большим, достаточным значением и повторяют расчет, начиная с п. 4. [c.158]

Электронные регуляторы завода МЗТА, марок РП1 и КП1 системы ЭАУС-У, Киевского завода электроприборов РУ4 и РУ5, Челябинского завода Теплоприборов ВРУ, ИРМ, ЭР, поступившие в ремонт, проверяют покаскадно. Проверяют подачу электрического питания, напряжение на обмотках силовых трансформаторов, напряжения в характерных точках схемы, работу электронных ламп и транзисторов. Для проверки работы электронных усилителей приемлема методика, описанная выше (стр. 166). [c.219]

В качестве примера положения дела обеспечения надежности полупроводниковой аппаратуры приведем опубликованные данные по оборонной промышленности США [9], [10]. Научные работы в этой области опираются на статистические методы, причем изучается интенсивность отказов приборов в процентах на 1000 часов работы. Согласно данным фон Алвена (корпорация ARIN ) [9, стр. 12] в результате дрейфа параметров средняя интенсивность отказов в 1961 г. по маломощным германиевым и кремниевым транзисторам и диодам колеблется в пределах от 0,02 до 0,5% (на 1000 часов). Проверка надежности приборов в пределах таких технических условий требовала хотя и больших, но терпимых (экономически оправдываемых) расходов в миллионах долларов. Но в 1962 г. в опубликованных фирмой Боинг данных по ракете Минитмен (доклад Виддич и Бартоломеу [10], стр. 423) сообщалось, что для наземного оборудования ракеты.содер-жащего 4000 электронных элементов, исходя из принципа современные системы оружия требуют высокой надежности , были введены технические условия интенсивности отказов отдельных элементов порядка [c.452]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология