Дрейф параметров

Учитывая оценочный характер величины Сшш, определяемой с помощью критерия (3) при использовании ограниченного числа независимых измерений, а также возможный вклад случайной ошибки построения градуировочного графика, можно считать, что практически предел обнаружения ттш элемента устанавливается с относительной случайной ошибкой не менее чем 30%. По этой причине, а также в связи с возможным неучтенным временным дрейфом параметров метода анализа величину тщт следует характеризовать только одной значащей цифрой, сообщая иногда второй знак лишь для ориентировки. [c.20]

Отказ полупроводниковой аппаратуры от работы бывает двух принципиально различных видов отказ катастрофический и отказ в результате дрейфа параметров. [c.353]

Работа с запасом против технических условий в случае дрейфа параметров снижает вероятность выхода прибора из строя. В равной мере методы математической теории вероятности позволяют ориентироваться в вероятности отказа но, конечно, правы авторы доклада фирмы Боинг в том, что очень многие занимаются математическими манипуляциями с данными, стремясь получить точное значение интенсивности отказов. Но ведь, например, страхование жизни почти ничего не дает для увеличения долговечности человека, тогда как врачи и ученые, занимающиеся исследованиями рака, приносят очень большую поль.эу. Чтобы увеличить долговечность полупроводниковых приборов, мы должны изучить и понять каждый отказ и затем разработать методы снижения ... Такая программа требует очень больших средств. Но еще больше затраты при эксплуатации больших систем орун ия с применением малонадежных элементов [c.354]

Поэтому прежде всего должна быть установлена энергия активации процессов, оказывающих решающее влияние на дрейф параметров и приняты меры к затормаживанию нежелательных реакций или, напротив, к ускоренному приближению системы к состоянию равновесия во время производства прибора. [c.355]

О физико-химическом механизме дрейфа параметров пленок. В советской литературе имеется ряд публикаций, освещающих механизм изменения параметров пленок. Исследованию процессов старения вакуумных конденсатов посвящена работа [99]. В ней описаны разнообразные процессы, наблюдающиеся в пленках сплавов сульфида кадмия, в конденсатах серы и др., в частности изменения фазового состава, микротвердости, процессы рекристаллизации и т. и. [c.470]

Во введении мы указывали, что одним из важнейших факторов, срывающих нормальную работу полупроводниковой аппаратуры, является дрейф параметров прибора не только при его эксплуатации, но и при хранении. Устранение этого дефекта — проблема государственной важности, ибо нельзя допустить, чтобы ответственные виды продукции, опирающиеся на полупроводниковую аппаратуру, к моменту, когда ими надо воспользоваться, отказали [8], [9]. [c.451]

Работа с запасом против технических условий в случае дрейфа параметров снижает вероятность выхода прибора из строя. В равной мере методы математической теории вероятности позволяют ориентироваться в вероятности отказа но, конечно, правы авторы доклада фирмы Боинг в том, что очень многие занимаются математическими манипуляциями с данными, стремясь получить точное значение интенсивности отказов. Но ведь, например, страхование жизни почти ничего не дает для увеличения долговечности человека, тогда как врачи и ученые, занимающиеся исследованиями рака, приносят очень [c.452]

Ускорение испытаний за счет подъема температуры выдвигает непременное условие, чтобы уравнение реакции при этом осталось неизменным. В качестве примера рассмотрим случай, когда реакция, например коррозии, обусловливается парами воды. Поднимем температуру до 150° С (сушильный шкаф). Если ке будут приняты специальные меры по созданию постоянного давления водяного пара, деталь может полностью потерять воду и, несмотря на повышение температуры, скорость реакции с водой, являвшейся главной причиной дрейфа параметров в обычных условиях, будет практически сведена к нулю. [c.453]

Что такое интенсивность отказов вследствие дрейфа параметров и катастрофических отказов Каковы технические условия на интенсивность отказов в ракетных электронных системах США [c.454]

В дополнение к проблеме, удовлетворительная схема диагностики неполадок должна быть способна справиться с присутствием шумового фона измерений, а также с явлением дрейфа параметров. Диагностирование является задачей принятия статистического решения, во многом похожей на обнаружение сигнала на фоне шума. Когда сигнал слабый, трудно решить, видишь или не видишь его скорее, наблюдатель должен определить степень своей уверенности в том, что сигнал существует, а затем уже выносить решение, как поступить в зависимости от того, есть сигнал или его нет. Когда полученная информация неясна, должны приниматься к сведению другие виды информации, такие как вероятность, риск. Диагностическое решение (различимость, обнаружаемость) сводится к точности, с которой неполадка может быть идентифицирована в случае других возможных неполадок. [c.12]

Парным каналом называют такой аналитический канал, в котором конструктивно совмещены аналитический и мониторный оптические и счетные каналы, т. е. у них единые оптический канал и детектор, включая и усилительные схемы счетных каналов. Такой канал позволяет снизить требования не только к стабильности интенсивности первичного пучка лучей, но исключить также влияние дрейфа параметров детектора и вариации в работе уснлительно-дискриминаторных электросхем. Измерение интенсивностей аналитической пары выполняется одним и тем же детектором поочередно. Счет импульсов в счетном полуканале образца автоматически прекращается после набора заданного числа импульсов в счетном полу-канале стандарта. Чем выше частота чередования счета импульсов от образца и стандарта, тем меньше должны сказываться вариации интенсивностей. К числу недостатков системы парного канала можно отнести [c.209]

Другой случай. Много поработав, чтобы стабилизировать производство, наконец добиваются получения годных приборов. Но при храненпи приборы часто ухудшают свойства, а иногда приходят в негодность. Очевидно, что в них самопроизвольно протекает нежелательный процесс или процессы, т. е. химическая система, какой является прибор, не только не находп.лась в устойчивом состоянии, но и могла достаточно быстро изменяться. В теории надежности полупроводниковых приборов подобные процессы называются дрейфом параметров прибора. Это грозная опасность, борьба с которой обошлась фирмам США во много миллионов долларов. [c.15]

Во введении мы указывали, что одним из важнейших факторов, срывающих нормальную работу полупроводниковой аппаратуры, является дрейф параметров прибора не только при его эксплуатации, но и при хранении. Устранение этого дефекта — проблема государственной ваншости, ибо нельзя допустить, чтобы ответственные виды [c.352]

Другое дело дрейф параметров. Происходящий иной раз с не слишком большой скоростью дрейф параметров свидетельствует о лабильности системы. Он проявляется постепенно, иной раз — незаметно и может привести к отказу именно в ответственный момент. Так как в принципе полупроводниковая система в той или иной мере неравновесна, то очевидно, что дрейф параметров — прямое следствие кинетической активности этой системы, не находящейся в равновесии. Д.ЛЯ выхода прибора пз строя может быть достаточно, чтобы один активный или пассивный элемент одного прибора оказался лабильным. Если принять во внимание, что в ответственных системах имеются тысячи активных элементов, то обеспечение надежной работы аппаратуры в целом является важнеггшей и очень дорогостоящей задачей. [c.353]

Сокращение времени пспытани , конечно, выглядит Re( ь fa соблазнительно. Однако столь примитивный интегральный подход к проблеме химической и диффузионной кинетики процессов, влияющих на дрейф параметров, неудовлетворителен. Дело в том, что речь может идти об одновременном протекании нескольких процессов с разной энергией активации, причем, следовательно, тг температурная зависимость констант скорости разных реакций будет различной и влияние этих процессов на дрейф параметров может сказываться по-разному в одном случае решающим может быть влияние процесса, идущего с малой, в другом — с большой энергией активации. [c.355]

Хранении приборы часто ухудшают свойства, а иногда приходят в негодность. Очевидно, что в них самопроизвольно лротекает нежелательный процесс или процессы, т. е. химическая система, какой является прибор, не только не находилась в уетойчивом состоянии, но и могла достаточно быстро изменяться. В теории надежности полупроводниковых приборов подобные процессы называются дрейфом параметров прибора, о — грозная опасность, борьба с которой обошлась фирмам США во много миллионов долларов. [c.13]

В качестве примера положения дела обеспечения надежности полупроводниковой аппаратуры приведем опубликованные данные по оборонной промышленности США [9], [10]. Научные работы в этой области опираются на статистические методы, причем изучается интенсивность отказов приборов в процентах на 1000 часов работы. Согласно данным фон Алвена (корпорация ARIN ) [9, стр. 12] в результате дрейфа параметров средняя интенсивность отказов в 1961 г. по маломощным германиевым и кремниевым транзисторам и диодам колеблется в пределах от 0,02 до 0,5% (на 1000 часов). Проверка надежности приборов в пределах таких технических условий требовала хотя и больших, но терпимых (экономически оправдываемых) расходов в миллионах долларов. Но в 1962 г. в опубликованных фирмой Боинг данных по ракете Минитмен (доклад Виддич и Бартоломеу [10], стр. 423) сообщалось, что для наземного оборудования ракеты.содер-жащего 4000 электронных элементов, исходя из принципа современные системы оружия требуют высокой надежности , были введены технические условия интенсивности отказов отдельных элементов порядка [c.452]

Предложен [125] метод аттестационного анализа стандартных образцов воды на содержание 5 10 М Р с относительным стандартным отклонением 0,004. Для улучшения воспроизводимости и правильности результатов автор использовал ячейку без жидкостного соединения с фтор-селективным индикаторным электродом и -селективным электродом сравнения, антилога-рифмический преобразователь для прямого отсчета содержания Р -иона, метод стандартных добавок для устранения влияния дрейфа параметров электродов, градуировку по стандартным растворам, адекватным по составу анализируемым пробам, строгий контроль условий подготовки растворов, включая контроль температуры, подготовки электродов и времени проведения измерений. [c.131]

Работа на высокой частоте связана с необходимостью согласования импеданса сквида, значение которого 1 Ом, с высоким входным сопротивлением ( 100 кОм) обычно используемых низкошумящих полевых транзисторов. Согласование достигается подключением параллельно сквиду резонансного контура, который, имея добротность 2, трансформирует импеданс сквида, увеличивая его в 0 раз. Кроме того, напряжение на контуре в О раз выше, чем на сквиде ). Сигнал с контура усиливается и синхронно детектируется, т.е. выделяется лишь та его составляющая, которая находится в фазе с модулирующим полем, в результате чего ослабляются многие помехи. Для большей устойчивости системы в целом к различным возмущениям и дрейфу параметров сквида и электронной аппаратуры, как правило, применяется обратная связь. Суть ее состоит в том, что уси- [c.18]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология