Отказ полупроводниковой аппаратуры

Отказ полупроводниковой аппаратуры от работы бывает двух принципиально различных видов отказ катастрофический и отказ в результате дрейфа параметров. [c.353]

Таким образом, все повышающиеся требования к надежности полупроводниковой аппаратуры и ничтожность допустимых значений интенсивности отказов активных элементов электронных систем резко увеличивают значение проблем диффузионной и химической кинетики, повышения научного уровня исследований в этой области. [c.355]

Во введении мы указывали, что одним из важнейших факторов, срывающих нормальную работу полупроводниковой аппаратуры, является дрейф параметров прибора не только при его эксплуатации, но и при хранении. Устранение этого дефекта — проблема государственной важности, ибо нельзя допустить, чтобы ответственные виды продукции, опирающиеся на полупроводниковую аппаратуру, к моменту, когда ими надо воспользоваться, отказали [8], [9]. [c.451]

Таким образом, всё повышающиеся требования к надежности полупроводниковой аппаратуры и ничтожные значения допустимой интенсивности отказов активных элементов электронных систем резко увеличивают значение проблем химической и диффузионной кинетики, повышения научного уровня исследований по физико-химической теории надежности. [c.454]

В качестве примера положения дела обеспечения надежности полупроводниковой аппаратуры приведем опубликованные данные по оборонной промышленности США [9], [10]. Научные работы в этой области опираются на статистические методы, причем изучается интенсивность отказов приборов в процентах на 1000 часов работы. Согласно данным фон Алвена (корпорация ARIN ) [9, стр. 12] в результате дрейфа параметров средняя интенсивность отказов в 1961 г. по маломощным германиевым и кремниевым транзисторам и диодам колеблется в пределах от 0,02 до 0,5% (на 1000 часов). Проверка надежности приборов в пределах таких технических условий требовала хотя и больших, но терпимых (экономически оправдываемых) расходов в миллионах долларов. Но в 1962 г. в опубликованных фирмой Боинг данных по ракете Минитмен (доклад Виддич и Бартоломеу [10], стр. 423) сообщалось, что для наземного оборудования ракеты.содер-жащего 4000 электронных элементов, исходя из принципа современные системы оружия требуют высокой надежности , были введены технические условия интенсивности отказов отдельных элементов порядка [c.452]

Полупроводниковые приборы в стеклянных корпусах обычно сохраняют работоспособность после экспозиции прн высоком давлении, однако попытки повторного использования стемянных диодов из аппаратуры Алвина (их было несколько сотен) сопровождались очень большим числом отказов. В некоторых случаях вода проникала в стек-, лянные корпуса и при повышении температуры в процессе разогрева аппаратуры диоды разрывались. В других случаях стеклянные корпуса были повреждены в моменты перепада давления. Вибрации и термические напряжения при включении аппаратуры приводили к выходу таких диодов из строя. [c.481]

При конструировании испытательного оборудования необходимо учитывать специфику условий работы испытательного оборудования дополнительными требованиями к механической прочности, времени успокоения измерительных приборов, влияния температуры окружающей среды и других факторов. Так, при массовом выпуске производительность испытательного оборудования должна быть согласована с производительностью остального оборудования, и это исключает применение малостабильных источников питания, так как ручная корректировка режима испытания, обычно проводимая в лабораторных условиях, невозможна. Автоматизация процесса измерения также требует применения высокостабильных источников питания, в качестве которых очень широко используются различные типы стабилизирующих устройств. Для этих целей могут быть применены феррорезонансные стабилизаторы, различные виды магнитных усилителей, газовые стабилизаторы, различные электронные и полупроводниковые стабилизаторы тока и напряжения. Применение различных электронных и полупроводниковых схем стабилизации, кроме получения высокой стабильности в условиях изменения нагрузки и питающего напряжения сети, позволяет получить малое значение пульсации выходного напряжения (тока), а также решить целый ряд проблемных задач техники испытаний. Большое значение имеют механические и климатические испытания ламп. Надежность электронных ламп зависит от их способности противостоять различным механическим (удары, вибрации, ускорения и т. д.) и климатическим (температура, влажность, давление и т. д.) воздействиям, сохраняя заданные значения электрических параметров и не увеличивая число отказов аппаратуры. Механические испытания обычно проводятся после электрических и заключаются в определении изменений (по результатам электрических испытаний, которые могут проводиться как во время, так и после механических испытаний), происходящих в испытываемых лампах при различных механических воздействиях. Для обнаружения ослабления прочности конструктивных элементов лампы и выявления в ней различных посторонних частиц в условиях ударных нагрузок, тряски и вибраций проводятся испытания на вибропрочность. В зависимости от назначения ламп ТУ оговаривают условия испытаний. Один из видов испы- [c.224]

Другое дело дрейф параметров. Происходящий иной раз с не слишком большой скоростью дрейф параметров свидетельствует о лабильности системы. Он проявляется постепенно, иной раз — незаметно и может привести к отказу именно в ответственный момент. Так как в принципе полупроводниковая система в той или иной мере неравновесна, то очевидно, что дрейф параметров — прямое следствие кинетической активности этой системы, не находящейся в равновесии. Д.ЛЯ выхода прибора пз строя может быть достаточно, чтобы один активный или пассивный элемент одного прибора оказался лабильным. Если принять во внимание, что в ответственных системах имеются тысячи активных элементов, то обеспечение надежной работы аппаратуры в целом является важнеггшей и очень дорогостоящей задачей. [c.353]