Внешнее дефектное число Def

Число т(к) при Х / (Г) назовем внешним дефектным числом линейного оператора Т. Таким образом, каждый замкнутый линейный оператор Г, для которого множество / (Г) не пусто, имеет одно или два внешних дефектных числа, которые могут оказаться одинаковыми. [c.121]

Внутри К (Г) также могут находиться точки регулярного типа оператора Г, но в них значения т(к) могут не совпадать с внешними дефектными числами. [c.121]

Высокая каталитическая активность, регулярная структура и способность к ионному обмену делают цеолиты уникальными объектами для изучения гетерогенного катализа. После переведения в соответствующие формы путем ионного обмена эти кристаллические алюмосиликаты по своей активности и селективности становятся значительно более эффективными катализаторами, чем аморфные алюмо-силика.ты Ц], хотя такую закономерность и нельзя распространять на все реакции [2]. Цеолиты являются кристаллическими веществами с развитой пористостью, поэтому их внутренняя поверхность определяется системой пор, которая регулярно повторяется в трехмерном пространстве. В этом отношении цеолиты выгодно отличаются от большинства других гетерогенных катализаторов, в том числе и кристаллических, где активные центры расположены главным образом на внешних гранях или в дефектных узлах решетки. Таким образом, данные, полученные рентгеноструктурным анализом или каким-либо спектроскопическим методом, в принципе можно использовать для определения структурных особенностей каталитически активных центров. (В действительности, однако, такие попытки успехом не увенчались [3], потому что методы рентгеновского анализа оказались слишком малочувствительными, чтобы можно было выявить локализацию активных центров.) Разнообразие каталитических свойств цеолитов объясняется прежде всего тем, что существует несколько различных типов кристаллических. каркасов и что методами регулируемого ионного обмена структурные особенности каркасов можно модифицировать. Для выяснения механизмов реакций особое значение имеет тот факт, что изменение структуры цеолитов непосредственно отражается на каталитических свойствах. [c.5]

Повышение темп-ры спекающихся твердых фаз, наличие в решетках последних большого числа дефектов ускоряют диффузию, а следовательно, и С. Газовая фаза также может в отдельных случаях влиять на С. Процесс С. вещества сильно ускоряется с ростом внешнего давления. При образовании твердых р-ров С. ускоряется, если валентность катиона добавки выше валентности катиона спекаемого окисла, а отношение ионных радиусов первого ко второму больше единицы. В присутствии жидкой фазы интенсивность С. определяется описанными свойствами твердых фаз, взаимодействием последних с жидкой фазой и в большой степени свойствами жидкой фазы. Действие жидкой фазы на С. заключается в стягивании зерен друг к другу капиллярными силами жидких шеек (см. рис., фиг. б), в перекристаллизации, т. е. растворении особенно мелких и дефектных кристаллов и зон контактов зерен с выделением более совершенных кристаллов в порах, где растворимость меньше, и в росте кристаллов. Главнейшим фактором, благоприятствующим С. с участием жидкой фазы, является наличие в расплаве большого числа групп, соответствующих до известной стенени строению спекаемой твердой фазы. Строение же расплава определяется (и на этой основе м. б. регулируемо для ускорения С.) его составом, а следовательно, энергией взаимодействия катионов с анионами кислорода. Благоприятными для С. являются также низкая вязкость жидкости, хорошая смачиваемость твердых фаз, достаточно большое поверхностное натяжение па границе растворяющейся твердой фазы и расплава и малое — на границе жидкость — газ. Движущей силой как твердофазового, так и жидкостного С. является избыточная поверхностная энергия системы, проявляющаяся в поверхностном натяжении, стремящемся сократить свободные поверхности. [c.494]

Рассмотрим один из способов определения показателей достоверности ад и 3д для первичной поверки, основанный на связи с показателями качества выпускаемой продукции. За показатель качества выпускаемой продукции принято максимально допустимое относительное число С дефектных средств измерений, которые ошибочно проходят контрольные испытания, включая первичную поверку, с положительным результатом. Возможность таких ошибочных решений связана с наличием ошибок измерительного контроля, воздействия неконтролируемых внешних факторов. Характеристикой качества изготовленных средств измерений, поступающих на выходной контроль из сборочных цехов, принимают относительное число Q дефектных средств измерений из всех изготовленных. При этом на предприятиях, выпускающих измерительную технику, под Q понимают дефектность лишь в отношении метрологических характеристик. [c.105]

При наличии в партии 3% (и менее) флаконов, не соответствующих требованиям технических условий по внешнему оформлению, упаковке и маркировке, бракуется фактически обнаруженное число дефектных единиц. [c.233]

Для проверки упаковки, маркировки и внешнего оформления клея потребитель просматривает 3% тарных мест от партии, но не менее трех мест. При обнаружении несоответствия упаковки, маркировки и внешнего оформления требованиям настоящих ТУ производится повторный отбор 3% мест от проверяемой партии для осмотра. При наличии более 3% туб, не соответствующих требованиям настоящих ТУ по внешнему оформлению, упаковке, маркировке, вся партия бракуется при наличии 3% или менее 3% бракуется только фактически обнаруженное число дефектных туб. [c.141]

Если внешнее поле регулярности односвязно, то во всех точках X (Г) дефектное число т (X) многообразия (Г—X/) одинаково, а в случае двусвязности это число т(к) постоянно в каждой из двух связных компонент области (Г). [c.121]

Пользуясь аналогом формул Неймана—Вишика [24(1) для области определения самосопряженного оператора, можно показать [43], что во всех точках X поля регулярности У-симметрического оператора А число т(Х) имеет одно ж го же значение, которое в дальнейшем называется дефектным числом оператора А и обозначается через Def А. Можно также показать [31 (8)], что если внешнее поле регулярности оператора А (или, более общим образом, его поле регулярности П(Л) [43]) не пусто, то он допускает У-само-сопряженные расширения, сохраняющие принадлежность полю регулярно заданной точки Х П(Л). В [26] установлено существование У-самосопряженного расширения любого У-симметрического оператора. [c.123]

Из общих теорем 43 и 44 вытекает следующее предложение относительно характера спектра У-самосопряженных расширений У-симметрического оператора А с конечным дефектным числом в его внешнем поле регулярности / (Л). Теорема 45. Если А есть J- uммempuчe кuй опе- [c.124]

Поскольку число структурных дефектов в решетках обычно сравнительно невелико, отклонения от стехиометрического состава, как правило, также весьма небольшие. В этом вопросе современная теория соединений нестехиометрического состава отличается от взглядов Бертолле. Он не придавал большого значения стехиометричности состава ионных соединений и трактовал их как произвольные твердые растворы. Современная точка зрения на бертоллиды состоит в том, что стехиометрический состав — это состав идеальной ионной решетки, а нестехиометрический состав определяется свойствами дефектной решетки сложных соединений и зависит от внешних условий — температуры, давления и состава пара, находящегося в равновесии с кристаллом. [c.278]

Способность к образованию комплексных соединений, свойственная всем переходным металлам, наиболее ярко проявляется у элементов УИ1В-группы, в частности у элементов триады железа. Помимо дефектности -оболочки, здесь немаловажную роль играет то, что атомные и ионные радиусы Ре, Со, N1 наименьшие среди За -элементов, в силу чего увеличивается поляризующее действие и образуются более прочные связи с лигандами. Помимо катионных аквакомплексов [Э(Н20)в]2+ и [Э(Н20)в] +, известны и аммиакаты с координационным числом 6 [Э(NHз)oI и [Э(NHз)в] +, а также смешанные акваамминокомплексы, например [Э (NHз)5 (НаО)]- . Устойчивость аммиачных комплексов Э(+2) увеличивается в ряду Ре—Со—N1. Это объясняется внешней 5р й( -гибридизацией с образованием высокоспиновых комплексов у всех трех элементов вследствие сравнительно слабого кристаллического поля, создаваемого лигандами NHз. При этом оставшиеся валентные электроны Э распределяются по -орбиталям в соответствии с правилом Гун-да [c.409]

Обычио окалина состоит из неск. слоев (фаз), к-рые образованы соед. различного хим. состава и кристаллич. строения. Эти слои последовательно располагаются от внутр. края окалины к внешнему по мере убывания в составе продукта элементов, поступающих из твердого тела. В каждом слое устанавливается граднент концентраций реагирующих в-в, поддерживающий их диффузию, а в тонких приграничных зонах между слоями осуществляются промежут. твердофазные р-ции, в результате к-рых изменяется кристаллич. решетка фаз. Наличие градиента концентраций означает отклонение состава каждой фазы от стехиометриче-ского А В и существование в кристаллич. решетке двух типов дефектов-вакансий, т.е. узлов, не занятых атомами (или ионами) элемента, содержащегося в недостатке, и меж-доузельных атомов (или ионов) элемента, содержащегося в избытке. Кристаллич. решетка фазы м. б. представлена ф-лами Ада 8В или А В . 5 (8-степень дефектности), к-рым соответствуют твердые р-ры вычитания или внедрения. Соответственно и диффузия происходит по двум механизмам путем обмена атомов с вакансиями и перемещения атомов по междоузлиям. В большинстве случаев Г. к. металлов элементы газовой среды образуют аниоииую подрешетку с дополнительно заполненными междоузлиями, металл — катионную подрешетку с большим числом вакансий. Типичный пример-образование в окалине железа твердого р-ра Ре ., (вюстита). [c.466]

При наличии очень небольших, но контролируемых количеств примесей в правильной кристаллической решетке, либо при небольшом избытке одного из компонентов твердого вещества, или же просто при наличии вакансий в кристаллической решетке образуются так называемые дефектные кристаллы. Каждый из таких дефектов— примесь, избыточный компонент или вакансия — обусловливает недостаток или избыток валентных электронов, необходимых для образования связи между частицами кристалла, и поэтому придает веществу новые свойства. Например, в кристалле элементарного кремния атом кремния может быть замещен атомом алюминия, что обусловливает недостаток в один электрон, поскольку атом алюминия имеет только три валентных электрона, а атомы кремния — четыре. Появление в решетке атома, которому недостает валентных электронов для образования должного числа ковалентных связей, приводит к образованию электронной вакансии, или так называемой дырки. При наложении на кристалл электрического потенциала дырка начинает мигрировать и в результате у кристалла появляется особый вид электропроводности подобные кристаллы называют полупроводниками. Если замещающий атом обладает избытком электронов, лишние электроны не принимают участия в образовании ковалентных связей и могут свободно перемещаться по кристаллу под влиянием приложенного внешнего потенциала. Такой полупроводник относится к п-типу (его проводимость обусловлена наличием свободных отрицательных зарядов, отрицательный по-английски negative), а полупроводники с недостатком электронов относятся к р-типу (их проводимость обусловлена наличием свободных положительных зарядов — дырок, положительный по-английски positive). Строение полупроводников этих типов схематически изображено на рис. 10.22. [c.183]

Дефектность структуры УНТ может ифать определяющую роль в регулировании ее свойств. Значительная часть многослойных нанотрубок имеет в сечении форму многоугольника, так что участки плоской поверхности соседствуют с участками поверхности с большой кривизной, содержащей края с высокой степенью -гибридизации углерода [8]. Эти края ограничивают поверхность, составленную из sp -гибридизованного углерода. Наличие sp дефектов приводит к искажению прямолинейной формы трубки и придает ей фору гармошки. Вообще, с ростом числа слоев происходит все большее отклонение формы нанотрубки от идеального цилиндра и в ряде случаев наблюдается многогранная форма внешней оболочки. Иногда поверхность УНТ покрыта тонким слоем аморфного углерода. Далее, для многослойных УНТ, полученных в дуговом разряде, характерно изменение расстояний между слоями от 0,34 до 0,68 нм. Это указывает на присутствие дефектов в нанотрубках, состоящих в отсутствии одного или нескольких слоев. [c.381]

Отбор среди таких мутантов — один из широко применяемых и эффективных методов получения и улучн1ения штаммов продуцентов первичных метаболитов. Из числа различных структурных аналогов этих веществ наиболее пригодны для селекционных целей те, которые действуют на регуляторные системы синтеза подобно природному метаболиту, но не могут выполнить основной функциональной роли этого метаболита в клетке. Так, аналог аминокислоты, добавленный к клеткам, находящимся в минимальной среде, имитирует избыток этой аминокислоты на уровне систем, контролирующих ее синтез (регуляторных ферментов и (или) регуляторных генов), но при этом пе может заменить аминокислоту в белках не способен включиться в белок или, включаясь, приводит к образованию дефектных белков, вызывая в обоих случаях голодание клетки по природной аминокислоте и останавливая рост. Добавление природной аминокислоты вместе с ее аналогом устраняет это голодание. В этих условиях клетка, прекратив синтез аминокислоты вследствие избытка последней и присутствия аналога, использует внешнюю аминокислоту для жизнедеятельности. [c.90]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология