Транзистор кремниевые

Изменение коэффициента усиления достигается сменой числа каскадов усиления. Для обеспечения постоянной температуры в усилителе применены кремниевые транзисторы типа 2Т306Г и 2Т315Б с малыми обратными токами. [c.23]

Большое число применений фоторезистов кратко описано в разд. 8.5. Одно из важнейших приложений они находят в производстве электронных интегральных схем, где резисты используются для обозначения участков нанесения покрытия на кремниевой подложке, на которых в последующем образуются сопротивления, конденсаторы, диоды и транзисторы готовой схемы, а также металлические проводники, соединяющие между собой элементы, изолирующие и пассивирующие слои. В процессе производства сложной схемы может быть несколько десятков стадий переноса изображения, травления, легирования или других операций. Каждая стадия должна выполняться в пространстве с точностью не хуже сотен нанометров. Для получения необходимой точности используются фотографические методы, хотя УФ-излучение может быть дополнено более коротковолновыми рентгеновскими лучами, пучками электронов или ионов в случае необходимости размещения большого числа компонентов в малом пространстве. Применяемые в настоящее время фоторезисты в основном построены на полимерных системах. Те, которые используются в полупроводниковой промышленности, представляют собой улучшенные варианты фоторезистов для приготовления фотопластинок. В этом разделе будут описаны три типичные системы фоторезистов. [c.256]

Примесные полупроводники р-типа (рис. А.62, е). Внесение примесных атомов, способных быть акцепторами электронов, приводит к тому, что примесные энергетические термы находятся несколько выше валентной зоны О. Вследствие переноса электронов из валентной зоны на уровни атомов-акцепторов в валентной зоне становится возможной дырочная проводимость . (Комбинации германиевых и кремниевых полупроводников с р- и л-проводимостью применяются в транзисторах.) [c.143]

Промышленность начала выпускать. полупроводниковые приборы нового вида — полевые транзисторы. Входное сопротивление такого транзистора с изолированным затвором до 10 Ом [12]. Их преимущество перед электронными лампами — малые габариты и низкое потребление энергии. Однако параметры полевых транзисторов зависят от температуры окружающей среды. Максимальное изменение тока насыщения у кремниевых полевых приборов составляет приблизительно [c.37]

Как было показано выше (см. раздел 1.2.2), полупроводниковой основой полевых транзисторов служит подложка из кристаллического кремния /7-типа, отделенная от металлического проводника (затвора) слоем тонкого ( 100 нм) диэлектрика (обычно БЮг). Эта конструкция усложнена двумя дополнительными кремниевыми элементами w-типа, называемыми истоком и стоком. Электрическая цепь создается за счет металлических контактов со стоком и истоком и позволяет измерять электропроводность поверхностного слоя кремниевой подложки. [c.218]

Прибор, схема которого приведена на рис. У.15, состоит из задаюш его генератора, собранного на транзисторах и Та по схеме мультивибратора, формирователя прямоугольных импульсов на транзисторе Тд, усилителя мош ности на транзисторе Т4 и ограничителя амплитуды на кремниевом диоде Д2. Па выходе генератора включен делитель напряжения 1 10 и 1 100. [c.157]

Если к металлическому проводнику приложить положительный потенциал, то положительно заряженные дырки в кремнии будут смещаться от границы раздела кремний/диэлектрик и на поверхности кремниевой подложки возникнет отрицательный заряд. Пока величина приложенного напряжения меньше порогового значения U , электрический ток не протекает от стока к истоку. Если же f/з больше порогового значения, то образуется поверхностный инверсионный слой, в котором кремний / -типа превращается в кремний и-типа. Теперь ток может течь от стока к истоку, Контроль за током стока /с является основой работы полевого транзистора. [c.218]

Входное выпрямленное напряжение подается с выпрямителя, собранного по мостовой схеме через регулирующий строенный транзистор на выход стабилизатора. Например, при увеличении выходного напряжения в результате увеличения напряжения сети или уменьшения сопротивления нагрузки напряжение на эмиттере транзистора Т1 не изменится, так как в его цепь включен кремниевый стабилитрон. [c.389]

Сейчас полупроводниковая техника находится на уровне производства, соответствующем 64 кбит разрабатываются микро ЭВМ, в которых на кремниевой пластине размером не более кончика пальца умещается до нескольких сотен тысяч транзисторов. В недалеком будущем предполагается перейти на уровень 1 Мбит. В развитие та ких сверхбольших интегральных схем (СБИС) огромный вклад сделает прогресс в области химии фтора. [c.232]

Под натиском кремния, арсенида галлия и других полупроводников германий утратил положение главного полупроводникового материала. В 1968 году в США, например, производилось уже намного больше кремниевых транзисторов, чем германиевых. [c.116]

К бесконтактным элементам цепей управления автоматических катодных станций и усиленных электродренажей относят кремниевые и германиевые выпрямительные диоды малой мощности, транзисторы, магнитные усилители управления, а также схемы транзисторных и комбинированных магнитно-транзисторных усилителей предварительных каскадов усиления указанных устройств. [c.56]

У приборов, разработанных до 1964 г., выпуск которых продолжается, условные обозначения состоят из двух или трех элементов. Первый элемент — буква Д—для диодов, П — для плоских транзисторов второй элемент показывает область применения приборов плоскостные германиевые диоды — 301—400, плоскостные кремниевые— 201—300, мощные германиевые низкочастотные транзисторы — 201—300, мощные кремниевые низкочастотные транзисторы — 301—400 и стабилитроны — 801— 900. [c.57]

Проведенные исследования показали, что для различных типов маломощных кремниевых транзисторов, обладающих очень небольшим обратным током коллекторных переходов, величина управляющего напряжения не превышает 400 мв и достаточно постоянна. Так как [c.112]

Для питания двух первых каскадов транзисторного усилителя (транзисторы Т1 и Гг) используется отдельный стабилизированный выпрямитель В]. Для стабилизации выходного напряжения на указанном выпрямителе используется опорный кремниевый диод В2. Выпрямительный мост 81 подключен к обмотке вспомогательного трансформатора Трх. Это выпрямитель обеспечивает получение стабилизированного напряжения постоянного тока величиной 8 в при токе до 25 ма. [c.95]

Выходное напряжение при изменении напряжения сети или тока нагрузки автоматически поддерживается изменением индуктивности дросселя Др1, включенного последовательно с первичной обмоткой силового трансформатора (рис. 11.25). Индуктивность, а следовательно, и сопротивление дросселя зависят от тока подмагничивания, протекающего по обмотке II. Управление током подмагничивания дросселя осуществляется тремя транзисторами. На транзисторе собран усилитель постоянного тока Tg и Т , — регулирующие транзисторы. Источником опорного напряжения служит кремниевый стабилитрон Д5. [c.70]

Точное согласование термических коэффициентов расширения особенно необходимо в случаях, если на тонкопленочной подложке имеются полупроводниковые чипы, сделанные из различных материалов. Хорошо известными примерами являются кремниевый транзистор или микросхема. Смонтированные на керамических или стеклянных держателях. Итак, при изменении температуры структуры разность в коэффициентах термического [c.527]

Совмещение путем визуального наблюдения, изображения по отражению вторичных электронов контрольного рисунка на подложке, покрытой слоем резиста, представляет собой определенные трудности. Прежде всего, при попытке разместить контрольные отметки возможно превышение максимальной дозы облучения. Делались попытки использовать другие методы совмещения, в которых используются фотоэлектрические сигналы от различных участков транзисторов с полевым эффектом или напряжение, противоположное создающемуся смещением кремниевой структуры п-типа с диффузионными областями р-типа [151]. Точность совмещения менее критична при изготовлении транзисторных структур, состоящих из узких линий пересекающихся под прямыми углами 151], Сообщают, что [c.644]

Тиристоры. В последние годы наряду с транзисторами находят все большее применение управляемые полупроводниковые кремниевые вентили, называемые тиристорами. Они имеют три электрода — анод, катод и управляющий электрод. Название тиристор происходит от греческого слова тира — дверь. Это связано с тем, что тиристор при включении его под напряжение не пропускает ток между основными электродами до тех пор, пока он не будет открыт подачей к нему дополнительного управляющего тока через управляющий электрод. [c.28]

Наиболее массовыми видами микросхем, производимых по кремниевой КМОП технологии, т.е. на основе полевых МОП (металл—окисел—полупроводник) или МДП (металл—диэлектрик-полупроводник) транзисторов, являются [c.8]

Изготовление полевых МОП транзисторов на растянутых слоях Si и сжатых слоях Si, Ge повышает быстродействие и качество КМОП ИМС без высоких затрат, связанных с уменьшением топологических размеров. Более того, увеличенная подвижность носителей в напряженных слоях Si и Si Ge компенсирует уменьшение подвижности носителей в каналах обычных кремниевых полевых МОП транзисторов при уменьшении толщины подзатворного диэлектрика [31]. [c.112]

Точ1Ю так же можно сказать, что человеческая деятельность, которая приводит к столь впечатляющему упорядочению окружающего нас мира-1юлученне мета.члической меди из беспорядочно рассеянной медной руды получение из песка кремниевых транзисторов для радиоприемников получение бумаги, на которой [c.178]

Применяя методы диффузии в фотолитографии, можно получать в определенных местах р—п-переходы. В сочетании этих методов с методами эпитаксиального наращивания тонких пленок различных веществ, а также наращивания электролитическим методом металлов и травления по рисунку открываются широкие возможности изготовления различных узлов твердосхемных и пленочных устройств. Такими методами удается на одном полупроводниковом кристалле получать схемы, содержащие несколько транзисторов или диодов с необходимыми емкостными и резистивными элементами. Емкостные эле-гленты схем могут конструироваться не только на основе р—п-переходов, но и на основе диэлектрических слоев на поверхности кремниевых пластин. Об использовании фотолитографии для изготовления мозаичных люминесцентных телеэкранов см. далее ( 9). [c.360]

Новые приборы имеют полупроводниковые стабилизаторы напряжения (рис. 5), где последовательно с выпрямителем соединены два параллельных транзистора П4В. Выходное напряжение стабилизатора сравнивается с перепадом в апряжения на кремниевом стабилитроне Д808, напряжение ошибки подается в полупроводниковый усилитель постоянного тока. Выходной ток управляет сопротивлением регулирующих мощных транзисторов П4В. Стабилизатор обеспечивает напряжение +24 в, максимальный ток 0,4 а, стабильность +0,03% при изменении сетевого-напряжения +10%. Стабилизатор устраняет даже самые быстрые изменения сетевого напряжения. [c.380]

Монокрнсталлический кремний используют в электронике — для схем на кремниевых диодах и транзисторах, не требуюш,их мощных батарей питания и безотказно работающих в условиях больших ускорений и повышенных температур. [c.212]

Первые два каскада УПТ питаются от стабилизированного выпрямителя, выполненного по мостовой схеме на четырех диодах типа Д226 (Дд—Ди)- Он имеет параметрический стабилизатор напряжения, собранный на кремниевом стабилитроне Д808 (Д19), стабилизирующем и нагрузочном резисторах и д. Величина стабилизированного напряжения постоянного тока, снимаемого с резистора находится в пределах 7—8 в (в зависимости от параметров стабилитрона Д19). Выпрямитель снабжен ЬС фильтром, выполненным на дросселе ДР и электролитических конденсаторах С5ИС7. Плюс выпрямленного напряжения подводят к эмиттеру транзистора Г] и коллектору транзистора Гг (через резистор / и). Минус напряжения питания подключен к эмиттеру транзистора Гг и через его цепь эмиттер — база к коллектору транзистора Г]. [c.104]

В отличие от аналогичных электрозащитных устройств в сигнальной цепи АКХ помимо обычного источника опорного напряжения, обеспечивающего получение обратной характеристики устройства управления (т. е. нарастание тока в исполнительной цепи при снижении сигнального напряжения), имеется второй дополнительный источник э.д.с. Он необходим для установки рабочих точек транзисторов Тх и Тг и осуществления первичного запуска схемы управления АКС. Этот источник представляет собой обычный нестабллизированный. выпрямитель, питающийся от одной из вторичных обмоток силового трансформатора. Выпрямитель выполнен по мостовой схеме на четырех кремниевых диодах типа Д226 (Дв—Дз) К выходу выпрямителя подключен конденсатор С4 и делитель напряжения Н7, с помощью которого выходное напряжение второго источника э.д.с. можно регулировать в пределах О—б в. Полярность подключения его к сигнальной цепи такова, что при снижении напряжения, снимаемого с потенциометра Ну (например, при падении напряжения в сети переменного тока), происходит нарастание тока на выходе УПТ. Таким образом, второй вспомогательный источник э.д.с., включаемый последовательно с сигнальным напряжением, поступающим на вход усилителя с защищаемого сооружения и электрода сравнения, выполняет одновременно роль следящего устройства, устраняющего нестабильность источников питания установки. Он обеспечивает автоматическую компенсацию выходного напряжения АКС, обусловленную различными колебаниями напряжения в сети переменного тока. [c.105]

Транзисторы Г[ и Гг питаются от мостового выпрямителя, собранного на четырех диодах Д226 (Д4—Д ), подключенных к обмотке III трансформатора ТР3. Стабилизация выпрямленного напряжения осуществляется, двумя кремниевыми стабилитронами Дз и Ди (Д808 и Д813). [c.113]

Обратные ветви ВАХ Си1п5е2 — У аналогичны некоторым кремниевым н германиевым точечно-контактным диодам, что представляет интерес для изготовления высоковольтных диодов и транзисторов на основе Си1п5е2. [c.333]

Рис. 27-7, Стандартные обозначения ПТ а —ПТ с каналом п-типа б — ПТ с каналом р-типа в — МДП-транзистор с каналом п-типа г — МДП-транзистор с каналом р-типа В — обозначает присоединб( ие к основе кремниевого слоя.

В качестве примера положения дела обеспечения надежности полупроводниковой аппаратуры приведем опубликованные данные по оборонной промышленности США [9], [10]. Научные работы в этой области опираются на статистические методы, причем изучается интенсивность отказов приборов в процентах на 1000 часов работы. Согласно данным фон Алвена (корпорация ARIN ) [9, стр. 12] в результате дрейфа параметров средняя интенсивность отказов в 1961 г. по маломощным германиевым и кремниевым транзисторам и диодам колеблется в пределах от 0,02 до 0,5% (на 1000 часов). Проверка надежности приборов в пределах таких технических условий требовала хотя и больших, но терпимых (экономически оправдываемых) расходов в миллионах долларов. Но в 1962 г. в опубликованных фирмой Боинг данных по ракете Минитмен (доклад Виддич и Бартоломеу [10], стр. 423) сообщалось, что для наземного оборудования ракеты.содер-жащего 4000 электронных элементов, исходя из принципа современные системы оружия требуют высокой надежности , были введены технические условия интенсивности отказов отдельных элементов порядка [c.452]

Метод струйного электрохимического травления н осаждения металла нашел свое применение и при изготовлении других типов высокочастотных транзисторов микросплавного , микросплавного с диффузионной базой , поверхностно-вплавного кремниевого транзистора , технетрона и др. [c.160]

Струйное электрохимическое травление находит применение и в технологии изготовления кремниевых транзисторов, например кремниевых поверхностно-вплавньис триодов . В отличие от германия, для струйного травления кремния могут быть использованы только электролиты, содержащие в качестве компонентов плавиковую кислоту и ее соли. Шмидт и Кейпер рекомендуют для травления кремния электролит, содержащий 30 см 48%-ной HF и 8,4 г NaF на 1 л воды (/=70° С). Авторы подчеркивают, что при травлении кремния п-типа необходимо интенсивно освещать место травления в их опытах на поверхности кремния площадью 1 мм концен трировался свет лампы мощностью 1 кет. [c.161]

Первоначальным импульсом к развитию процессов ХОГФ эпитаксиальных пленок кремния и германия послужила необходимость улучшения характеристик биполярных кремниевых и германиевых транзисторов. Впоследствии кремниевые эпитаксиальные структуры (монокристаллическая кремниевая подложка с одним или несколькими эпитаксиальными слоями, отличающимися типом проводимости и удельным сопротивлением (степенью легирования)) оказались незаменимыми дпя производства высококачественных микропроцессоров и устройств памяти по КМОП технологии. Эпитаксиальные структуры позволяют получать [28, 29] [c.107]

Применение. Основным потребителем Г., как полупроводника, являются радио- и электротехника, где его используют для изготовления кристаллич. выпрямителей (диодов) и усилителей (транзисторов), к-рые нашли широкое применение в радиоприемниках, счетно-решающих устройствах, телевидении, радиолокации, электролизе и т. д. Монокристаллич. Г. может быть использован для дозиметрии радиоактивных излучений и в качестве преобразователя световой эпергии в электрическую. Однако для солиечногс> света германиевые фотоэлементы имеют значительно более низкий кпд, чем кремниевые. Подобно нек-рым другим полупроводникам, Г. применяют для изготовления термометров сопротивления термо.метры с германиевым мостом весьма устойчивы при темн-рах, близких к абсолютному нулю. Одной из важных областей применения Г. является инфракрасная техника, поскольку он способен пропускать инфракрасное излучение. Высокий показатель преломления Г., по сравнению с Na l, обусловливает меньшую кривизну оптич. поверхностей. Инфракрасная оптика из Г., благодаря коррозионной устойчивости последнего, невосприимчива к атмосферным и темп-рным [c.431]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология