Фоторезиста рисунки в слое проколы

Нижний предел по толщине обнаруживается тогда, когда фоторезист избыточно разбавлен, в результате чего в покрытии образуются разрывы. В более толстых пленках, толщиной 1—2 мкм, при травлении и образовании проколов создается дополнительная защита за счет некоторого уменьшения разрешающей способности и образования зернистости в слое фоторезиста. Такие пленки обычно получают нанесением двух тонких покрытий, одно поверх другого. В покрытиях фоторезиста AZ-1350 при увеличении толщины резко уменьшается разрешающая способность. Более подробно этот вопрос рассматривается в разд. ЗД, 1). Толщина покрытия фоторезистов фирмы Кодак должна составлять около 1/3 ширины самой тонкой линии рисунка [55]. [c.599]

Основными факторами, которые определяют качество вытравленных рисунков в тонких пленках, являются разрешение и точность рисунка в (защитном) покрытии фоторезиста, степень подрезания (подтравливания) в процессе травления и наличие проколов разрывов в полимерном защитном слое. В дальнейшем и будут рассмотрены этн вопросы. [c.614]

Фоторезист может экспонироваться любым источником света, имеющим достаточную мощность в области спектра, близкой к ультрафиолетовой. Большие по площади источники света применяются редко и только в случае использования подложек больших размеров. Свет от таких источников — рассеянный и не позволяет выявить мелкие детали рисунка, поэтому он применим только для разрешения широких линий (от 50 мкм до 0.5 мм). Рисунки с тонкими линиями экспонируются точечным источником света, например, от угольной дуги, лампы с высоким давлением, заполненной парами ртути, ксеноновой импульсной лампы, которые создают поток почти коллимированного света, если они находятся на достаточном удалении от подложки. Коллиматорные линзы необходимо отрегулировать эмпирически, потому что если свет отколлимирован тщательным образом, то он разрешает мельчайшие дефекты в защитном рельефе даже серебра, образуя таким образом островки или проколы в слое фоторезиста [62]. Однородность интенсивности света вдоль всей поверхности подложки получается лучше, если точечный источник удален на достаточно большое расстояние, чем в том случае, когда применяются коллиматорные линзы, особенно если эти линзы меньше рабочего поля изображения и если отсутствует апертура, которая перекрывает периферийные участки светового пучка [91]. [c.600]

Дефекты в фотошаблоне и проникновение травителя. Еще одним критерием качества вытравливаемых рисунков является сложность защитного рельефа в слое фоторезиста. При отсутствии ошибок в конструкции чертежей и без учета легко обнаруживае.мых больших дефектов, трещины в вытравленном рисунке могут возникать по двум причинам. Первая — наличие микродефектов в стеклянных фотошаблонах вторая — неудовлетворительная стойкость полимерного защитного рельефа к проникновению травителя под защитный слой. Фотошаблоны на основе стеклянных фотопластин очень восприимчивы к образованию небольших дефектов как в процессе их производства, так и в процессе их эксплуатации. Такими дефектами могут быть — некачественное покрытие эмульсией, наличие проколов, царапин, частичек пыли, волокон на поверхности покрытия. На сформированном слое поли.мерного рельефа такие дефекты являются причиной, приводящей к локально.му изменению контрастности изображения. Характер дефектов, образующихся в тонкопленочном рисунке в результате дефектов уже и.меющихся в фотошаблоне, зависит еще и от типа используемого фоторезиста и от природы материала пленкн, которая подвергается травлению. Детально этот вопрос рассматривался Плаффом с сотрудника.ми [129]. Основные выводы по образованию, развитию дефектов можно сделать по данным, представленным на рис. 13 и в табл. 11. [c.620]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология