Процесс травления

Травление германия. Кислотный травитель СР-4 обладает полирующим действием. В состав его входят азотная, плавиковая, уксусная кислоты и бром. Первые два компонента — окислитель и комплексообразователь. Процесс травления описывается суммарным уравнением [c.104]

Кинетика процессов травления. Травление рассматривают как многостадийный процесс, включающий следующие этапы 1) диффузия реагента к поверхности 2) адсорбция реагента 3) поверхностная реакция 4) десорбция продуктов взаимодействия 5) диффузия продуктов реакции от поверхности. [c.101]

Кроме СР-4 при производстве полупроводниковых германиевых приборов часто используют травители, содержащие перекись водорода и плавиковую кислоту (пергидролевый травитель.) Травление происходит за счет образования фторокомплексов германия (Н Ог — окислитель, НР — комплексообразователь). Травитель является полирующим и характеризуется небольшой скоростью травления. Близкими свойствами обладает щелочной пергидролевый травитель. Реакция, описывающая процесс травления, может быть представлена одним из уравнений [c.104]

Необходимо отметить, что процессы очистки, определяющие в значительной степени качество покрытия, имеют особенно большое значение в процессах вакуумной металлизации.. Состояние поверхности металла в первые моменты осаждения покрытия определяет качество его адгезии, пористость, хрупкость и когезионную прочность. Применяемые химические и электрохимические процессы не обеспечивают достаточной степени очистки и имеют другие недостатки, в частности, требуют больших количеств технической воды, которая большей частью затем сбрасывается в сток. Поэтому весьма перспективны новые методы, например электронно-лучевая обработка и ионная бомбардировка. При ионной бомбардировке поверхность металла почти не разогревается, в то время как при электронно-лучевой обработке поверхность металла нагревается до высоких температур. При помощи ионной бомбардировки очистка поверхности происходит значительно быстрее, чем при традиционных методах химической или электрохимической обработки, кроме того, она может заменить процесс травления. [c.83]

Ингибитором называется вещество, при добавлении которого в среду, где находится металл, значительно уменьшается скорость коррозии металла. Ингибиторы применяют главным образом в системах, работающих с постоянным или мало обновляемым объемом раствора, например в некоторых химических аппаратах, системах охлаждения, парогенераторах и т. п. Особенно большое применение находят замедлители в процессах травления металлов для удаления с поверхности окалины или ржавчины. [c.222]

Перед заливом растворов охлаждающие полости отсоединяют от водопроводов, заглушают все отверстия, кроме верхнего, через которое производят заливку растворов и удаление выделяющихся газов. После окончания процесса травления раствор сливают, полости промывают проточной водой и производят нейтрализацию и пассивирование 2%-иым раствором кальцинированной соды или тринатрийфосфатом. [c.154]

Химический способ. Этот способ очистки представляет собой процесс травления металлической поверхности кислотами, кислыми солями, щелочами или травильными пастами. Травление мелких изделий проводится в ваннах или струйных камерах. Крупногабаритные аппараты очищают от ржавчины путем налива в аппарат травильного раствора или смачивания в три-че-тыре приема (с интервалом 1,5—2 ч) поверхности раствором либо травильной пастой, состоящей из водных растворов кислот и инфузорной земли. [c.466]

Процесс травления включает следующие операции обезжиривание в растворах щелочи или соды при /=80—90 °С промывку горячей водой травление 20%-ным раствором серной, фосфорной или азотной кислоты при /=70—80°С холодную промывку нейтрализацию остатков кислоты 10%-ным раствором кальцинированной соды горячую промывку сушку. [c.466]

При ЭХО металлов выделяют отделочные процессы травление, полирование, жидкостно-абразивная обработка и удаление заусенцев. Обработка осуществляется при относительно больших межэлектродных промежутках (десятки мм). [c.680]

Бромистый водород окисляется азотной кислотой снова до свободного брома. Таким образом, достаточно небольшого количества брома, чтобы в процессе травления сохранялась необходимая концентрация МОг- [c.104]

Если окружить кристалл очень тонким слоем травителя, то концентрация молекул в этом слое, а потому и скорость процесса травления будут довольно быстро уменьшаться. Спустя некоторое время травление вообще прекратится, так как все молекулы травителя вступят в реакцию и их концентрация станет равной нулю. Точно такой же процесс происходит и при большом объеме травителя, однако в этом случае обедненный слой вблизи поверхности кристалла пополняется новыми молекулами, приходящими за счет диффузии из толщи раствора. Суммарная скорость диффузион- [c.107]

Особенности и границы применимости метода. Травление применяется а) для удаления поверхностного слоя, нарушенного абразивной обработкой, или для уменьшения толщины образцов, придания им необходимого рельефа б) для очистки поверхности в) как подготовительный этап для металлографического исследования. При этом в процессе травления увеличивается контраст между неоднородными участками поверхности, что позволяет определить фазовый состав слитка, степень его однородности и выявить макро- и микродефекты. [c.100]

Поскольку скорость травления пропорциональна количеству удаленного материала в единицу времени, то график Ар/ = /(т) характеризует изменение скорости в процессе травления. [c.106]

Применение ингибиторов (травильных присадок) коррозии дает возможность улучшить процесс травления. Использование ингибиторов позволяет уменьшить расход кислоты и потери металла при травлении, предохранить металл от водородной хрупкости и улучшить условия труда. Защита металлов ингибиторами обусловливается их адсорбцией на поверхности металла, в результате чего повышается перенапряжение для водорода и затрудняется его выделение. С повышением температуры защитное действие ингибиторов падает. [c.166]

При одностороннем анодном вытравливании рисунка печатных плат в нейтральных растворах существует опасность нарушения электрического контакта токоподвода с вытравливаемыми участками в конце процесса травления следствием этого является неполное удаление металла с инертной подложки платы. Это затруднение может быть преодолено при использовании для анодного травления раствора с окислителями, реагирующими с вытравливаемым металлом. В этом случае процесс травления металла будет протекать параллельно за счет как анодного, так и химического процессов. В конечный период процесса вытравливание небольших оставшихся участков металла на плате, потерявших электрический контакт с токоподводом, пройдет путем их взаимодействия с раствором. Подобный смешанный метод травления позволяет интенсифицировать процесс, так как химическое травление, имеющее электрохимическую природу, протекает с катодным контролем, обладая большими резервами по анодной стадии. [c.254]

Полезный процесс при регенерации является обратным для процесса травления [c.256]

Кинетика и механизм диффузионных процессов представляют огромный интерес для полупроводниковой электроники, техники квантовых оптических генераторов, процессов изготовления микроминиатюрных устройств, твердых и пленочных схем. Изготовление активных элементов полупроводниковых схем и р—/г-переходов (см. гл. IX) основано на диффузии легирующих примесей в полупроводниковый монокристалл из газа или расплава. Этот процесс сводится к налета-нию молекул (атомов) из газовой фазы и к диффузии их внутрь кристалла. Второй процесс медленнее первого. А так как диффузия примесей протекает по уравнениям первого порядка, то весь процесс псевдо-мономолекулярный. Таков же характер процесса травления полупроводника, если диффузионная стадия самая медленная. В этих случаях особую роль играет закон анизотропии кристаллов (см. гл. IV), так как диффузия в кристаллах идет с разной скоростью в разных направлениях. Скорость роста кристаллов, скорость окисления кислородом, скорость травления зависят от того, какая грань подвергается воздействию. Например, доказано 178], что различные грани кристаллов вольфрама обладают разной активностью по отношению [c.49]

При обработке рекомендуется механически воздействовать на очищаемую поверхность щетками, а после обработки промывать в растворе нитрита натрия (3-5 г/л) при температуре 328-333 К и сушить. Время выдержки от 5 до 50 мин. Процесс травления значительно ускоряется (в три-пять раз) при использовании ультразвуковых колебаний. [c.106]

Жидкие растворы играют громадную роль в жизнедеятельности организмов. Они находят самое различное применение в практике в технологии получения полупроводников и полупроводниковых приборов, в очистке веществ, в гальванических процессах получения и очистки металлов, в работе химических источников тока, в процессах травления металлов и полупроводников и т. д. Для нас особое значение будут иметь водные растворы электролитов. Но и неводные растворы играют большую роль в теории и практике. Неводные растворители применяют для обезжиривания и для удаления всяких органических загрязнений с поверхности полупроводников и металлов перед их травлением, перед осаждением покрытий и т. д. Такими растворителями являются спирты, ацетон, трихлорэтилен и др. В природе, в лабораториях, в заводской практике постоянно приходится иметь дело с растворами. Чистые вещества встречаются гораздо реже. Громадное число реакций протекает в жидких растворах. [c.148]

Электрохимическое травление имеет ряд преимуществ перед химическим процесс травления становится управляемым, скорость его увеличивается, он применим к легированным сталям, не поддающимся химическому травлению. [c.215]

Ингибиторами являются вещества, которые ограничивают разрушение металлов кислотами и не оказывают неблагоприятного воздействия на процесс травления. Это главным образом органические вещества, к которым часто добавляют смачиватели. Концентрация ингибиторов не превышает 0,1% объема раствора. Эффективность ингибиторов выражается относительным изменением массы металла при травлении в кислоте с ингибитором и без него [c.73]

Известен способ получения качественного оксида железа из отработанной в процессе травления соляной кислоты, который в дальнейшем применяют при производстве ферритов и пигментов. Вьщеленный из такой кислоты оксид железа смешивают с 1-20 % (мае.) Ре2(804)з ТНзО, а также с менее 6 % по массе бикарбоната аммония и спекают при 650 °С и выше [39]. [c.119]

Окончание процесса травления определяют визуально по отсутствию на деталях толстого слоя ржавчины или окалины. Длительность травления зависит от состояния поверхности. После окончания травления крышки и корпуса промывают в холодной воде в течение 10—15 с. [c.244]

Так как при химическом никелировании одновременно проте кают два процесса (травление магния и осаждение никеля) обычные растворы химического никелирования непригодны к использованию [c.30]

Травление металлов, особенно при повышенной температуре и концентрации кислоты, сопровождается растравлением поверхности потерей металла и кислоты, ухудшением механических свойств металла и качества его поверхности. Для повышения качества протравливания металла и для снижения потерь металла и кислоты применяются ингибиторы кислотной коррозии в сочетании с пенообразователями, что уменьшает загрязненность атмосферы. Применение ингибиторов особенно необходимо при интенсификации процесса травления металла за счет повышения температуры травильных растворов, а также при работе на НТА. [c.61]

Количество состава Р , вводимого в травильную ванну, составляет 0,2—0,5%. Минимальная дозировка применяется при травлении изделий с небольшим слоем окалины при температурах не выше 50° С. При более высокой температуре и травлении металла с толстым слоем окалины концентрацию ингибитора повышают до 0,5%. Количество состава П рассчитывается в зависимости от площади зеркала травильного раствора в ванне и температуры ванны. При травлении в кислоте и температуре до 50° С следует вводить 0,5 кг состава П на 1 м поверхности травильного раствора, выше 50° С — 1—1,5 кг/м . Требуемое количество компонентов Р и П вводят последовательно в травильную ванну, и перемешивают раствор после введения каждой добавки. В процессе травления на поверхности раствора образуется пена, препятствующая выделению кислотного тумана в атмосферу цеха. Если при корректировке в ванну добавляется кислота, одновременно следует ввести соответствующее количество ЧМ (Р 4- П). [c.63]

Степень воздействия кислоты на металл зависит от физи ческих и электрохимических свойств металлической поверхно-сти. Различие в этих свойствах приводит к избирательной коррозии металла. Неравномерность поражения тем больше, чем сильнее эффект травления. Пока не закончится процесс травления, действие кислоты остановить невозможно, поэтому для уменьшения растворения металла и ограничения выделения водорода вводят ингибиторы травления. Они уменьшают или исключают возможность поражения металла, не препятствуя при этом травлению. [c.59]

Ингибитор ЧМ (Р -Ь П) имеет низкий температурный предел действия и малую эффективность, загрязняет поверхность травимого металла, не устраняет наводороживание в процессе травления, является токсичным веществом. Поэтому ЧМ (Р П) постепенно [c.63]

Важным преимуществом многих ингибиторов второго типа является их низкая стоимость и доступность сырья. Поэтому для крупно-тоннажного травления сталей ингибиторы второго типа нашли наибольшее применение. По эффективности и технологичности они уступают синтетическим ингибиторам и обладают рядом недостатков,, которые в меньшей степени присущи ингибиторам первого типа. К ним относятся непостоянство состава, из-за чего их защитное действие колеблется в широких пределах, что осложняет их практическое использование способность в процессе применения подвер -гаться нежелательным химическим превращениям (разложению, осмолению и т. п.), снижающим эффективность защиты особенно при повышенных температурах. При использовании ингибиторов второго типа существует возможность осаждения отдельных составных частей ингибитора по мере изменения состава коррозионной среды,, например при накоплении солей железа и снижении концентрации кислоты в процессе травления металлов, а также возможность загрязнения протравленной поверхности металла, что препятствует дальнейшим технологическим операциям (холодной деформации,, нанесению металлических и лакокрасочных покрытий). [c.81]

Использование ингибиторов при процессе травления снижает потери металла и процент его брака, а также расход кислоты, что позволяет увеличить выпуск готовой продукции с одновременным [c.81]

Германий и кремний переходят в водные растворы в виде производных от соответствующих двуокисей (ОеОз, SiOj). Таким образом, процесс травления рассматриваемых элементов состоит из реакций окисления и растворения двуокисей. В свою очередь, каждая из этих реакций может распадаться на множество последовательных стадий, имеющих различные единичные скорости. Скорость результирующего процесса и свойства данного травителя зависят от соотношения между указанными единичными скоростями. Когда наименьшей является единичная скорость взаимодействия кремния или германия с окислителем, травитель обладает ярко выраженными селективными свойствами и выявляет кристаллическую структуру обрабатываемого образца. [c.111]

Некоторые поверхностно-активные вещества (ПАВ), обла-дающие ингибирующим действием, применяются самостоятельно или совместно с ингибиторами средней активности для интенсификации их действия. Чаще всего ПАВ вводят в травильные ванны из-за их ускоряющей способности. Этот эффект связан со смачивающими свойствами ПАВ, которые способствуют быстрому проникновению травильного электролита через слой продуктов коррозии к металлу, и с ускорением процесса травления образовавшимися на металле активными промежуточными соединениями. ПАВ препятствуют выделению в атмосферу паров кислоты и водорода. Они образуют на поверхности ванны слой пены, которая удерживает пузырьки водорода и не дает им лопаться и разбрызгивать кислоту. ПАВ улучшают стекание капель кислоты с металла, что в известной мере способствует снижению потерь кислоты и облегчает последующие операции промывания и нейтрализации. [c.64]

В настоящей работе исследуется новая аллотропная модификация yrлqюдa -ГЦК - углерод, полученный различными методами в условиях ионно-сгимулированной конденсации углерода [1], в процессе травления пленки иолиЕфисталлического алмаза в плазме водорода [2], методом плазмо-химического синтеза из углеродной плазмы [3]. [c.178]

Травление медной фольги проводят следующим образом. Очищенный кусочек фольги помещают в бюкс с раствором персульфата аммония. Время, необходимое для того, чтобы растворить поверхностный слой, состоящий из пеупорядоченных атомов метал.ла (время травления), составляет 2- 3 мин. Об окончании процесса травления монаю судить по изменению внешнего вида поверхности медной фольги поверхность меди должна иметь равномерный матовый оттенок. Протра]шеш1ую фольгу с помощью пинцета переносят в другой бюкс с бидистиллированной водой. После многократной промывки фол1>гу высушивают па воздухе. [c.200]

Уксусная кислота — замедлитель. Процесс травления с теми же компонентами в отсутствие уксусной кислоты идет настолько быстро, что перестает быть контролируемым. Реакция является автокаталитической. Процессу травления предшествует длительный индукционный период, связанный с каталитическим действием N0 и N0.2, накапливающихся в результате реакции. Бром ускоряет процесс образования НЫОа или ТМОа [c.104]

При анодно-химическом травлении рисунка на печатных платах в солянокислом растворе u l.. (см. задачу 354) медная фольга толщиной 50 мкм вытравилась при анодной плотности тока 180 мА/см - за 4 мин 20 с. Считая скорость процесса травления неизменной во времени, рассчитайте а) скорость травления меди [в мг/(см -мин)] 6) долю анодной и химической стадий в суммарной скорости травления в) изменение концентрации растворенной u l в электролите в процессе травления при скорости циркуляции раствора 0,30 л мин на 1 дм- травящейся поверхности (не учитывать катодные превращения). [c.277]

Кинетика и механизм диффузионных процессов представляют огромный интерес для полупроводниковой электроники, техники квантовых оптических генераторов, процессов изготовления микроминиатюрных устройств, твердых и пленочных схем. Изготовление активных элементов, полупроводниковых схем п р— -переходов основано на диффузии легирующих примесей в полупроводниковый монокристалл из газа или расплава. Этот процесс сводится к налетанию молекул (атомов) из газовой фазьг и к диффузии их внутрь кристалла. Второй процесс медленнее первого. А так как диффузия примесей протекает по уравнениям первого порядка, то весь процесс псевдо-мономолекулярный. Таков же характер процесса травления полупроводника, если диффузионная стадия самая медленная. В этих случаях особую роль играет закош анизотропии кристалов, так как диффузия в кристаллах идет с разной скоростью в разных направлениях. Скорость роста кристаллов, скорость окисления кислородом,, скорость травления зависят от того, какая грань подвергается воздействию. Например, доказано, что различные грани кристаллов вольфрама обладают неодинаковой активностью по отношению к кислороду и разной способностью эмитировать электроны при нагревании между этими свойствами наблюдается коррелятивная зависи.мость. Медь быстрее всего окисляется в направлениях, перпендикулярных граням кубических кристаллов. Обнаружено,, что внутреннее строение пленки СигО определенным образом ориентировано по отношению к поверхности кристаллов меди, что называется явлением эпитаксии. [c.61]

Травильные растворы используются недотго ак как в процессе травления пластмасс происходят весьма существенные из менения в составе растворов которые в заводских условиях невозможно установить химическим анализом Если значительно увеличивается время травления растворы полностью заменяют Рецептуры приведенные в табл 12 служат для приготовления новых травильных растворов [c.36]

Как уже отмечалось, растворение железа в кислотах вызывает перетравливание и наводораживание деталей. Водород, выделяющийся при травлении черных металлов в кислотах, может проникать в металл, накапливаться, вызывая внутренние напряжения металл становится хрупким и прочность его резко снижается. Адсорбированный водород можно частично удалить путем нагревания деталей в течение 2—3 ч при температуре 180—250 ""С. Для снижения количества выделяемого водорода в ванны травления добавляют специальные замедлители, или ингибиторы травления. Обычно это поверхностно-активные вещества, которые, адсорбируясь на отдельных участках поверхности, замедляют процесс травления металла. В качестве ингибиторов применяют, например, препараты 4M (смесь хинолиновых оснований), БА-6, БА-12 (продукты конденсации бензиламина с уротропином), ПБ-5 (продукт конденсации анилина с уротропином). Наиболее эффективными ин ибиторами травления явля- [c.278]

Ухудшение механических характеристик металла в условиях кислотной, кор розии, в частности при процессах травления и промывки теплосилового оборудования, связывают обычно с наводоро-живанием. Поэтому было необходимо выяснить, не открывает ли применение ингибиторов, снижающих содержание водорода в металле [c.45]

Чаще всего FeO, Ред04 и FejOs проникают друг в друга, образуя сложные по составу и структуре слои, так что даже на одном образце на различных участках поверхности окалина не идентичная, что часто осложняет изучение и осуществление процесса травления металлов. [c.58]

Другая трактовка влияния Т1зА1 была предложена теми, кто отдает предпочтение взаимодействию водород — металл в качестве причины, вызывающей КР, т. е. присутствие Т зА1 приводит в результате к более быстрой абсорбции водорода. В работе [227] показано, что абсорбция водорода в процессе травления в растворах, содержащих фториды, происходит много быстрее в сплавах, содержащих в своей структуре Т1зА1. Однако в работе [81] получено, что адсорбция водорода при повыщенных температурах в сплаве Т1 —20% (ат.) А1, или 12,5% (по массе) А1, происходит медленнее, чем в технически чистом титане или сплавах Т1 — 8А1. В действительности, абсорбция водорода происходит наиболее быстро в титане, что является противоположным поведению при КР- [c.409]

В чем заключается сущность процесса травления мано-роматных щелоков [c.353]