Механизм роста пленок

Ниже приводится краткое изложение теории роста тонких пленок, детальную разработку которой можно найти в специальных монографиях [38, 39] или в оригинальных публикациях [40, 44], посвященных различным механизмам роста пленок по параболическому, логарифмическому и обратному логарифмическому законам. Следует назвать также работы [45—47], в которых сделана попытка объяснить с помощью той же теории большую часть кинетических зависимостей, экспериментально наблюдаемых при образовании тонких пленок. [c.222]

Механизм роста пленки можно представить следующим образом. [c.17]

Рис. 5. Схема ионно-электронного механизма роста пленки

Рассмотрим механизм роста пленок ферритов при газотранспортном методе их синтеза. [c.184]

МЕХАНИЗМ РОСТА ПЛЕНКИ [c.152]

В сообщении Энгеля и Боймеля 1 ] приводятся данные о том, что в кипящем растворе нитрата кальция напряженное железо подвергается периодическому растрескиванию со скоростью 0,2 мм/с. Какая плотность коррозионного тока соответствует этой скорости Если это значение скорости считать характерным, то каков, по вашему мнению, электрохимический механизм роста пленок [c.391]

Появление лорарифмическгой зависимости может бшть объяснено тем, что процесе окисления контролируется переносом электронов через пленку — туннельный эффект или торможением диффузии частиц вследствие наличия большого количества мелких пузырей в пленке. Логарифмическая зависимость характерна для тонких пленок (до 1000 нм). При увеличении толщины пленки логарифмическая зависимость превращается в параболическую, что объясняется изменением механизма роста пленки. Логарифмическая зависимость роста пленки установлена для окисления на воздухе Fe -< 400 "С, Си < 100 X, Ni < 500 С, А1 < 225 С. Ti < 300 С, Та < 150 "С [13]. [c.23]

Мы не будем детально рассматривать механизм роста пленок, а лишь сошлемся на обзоры Гёса [66] и Сэндерса [67]. В данном разделе речь пойдет о таких пленках, толщина которых достаточна для того, чтобы их можно было называть непрерывными, т. е. превышает 50 нм. Действительная их толщина обычно больше 100 нм. [c.138]

I мкм, и в ней наблюдаются явные признаки структурообра-зованжя (рис. I, в). О механизме роста пленки можно высказать предположение, что малая толщина пленки поддерживается вследствие отшелушивания ее наружных слоев без нарушения сплошности под-стилакщего слоя (рис. I, а,б). В отдельных случаях этот ме-достигает значительной толщины, [c.40]

Рассмотрим механизм роста пленок, когда ориентация подложки соответствует устойчивой грани феррограната, например (ПО). Естественно, что механизм роста атомарно-гладкой грани существенно отличается от ранее ириведенного. При росте такой грани реализуется послойный механизм роста, когда на гладкой грани при определенном пересыщении образуются двумерные [c.190]

Исследована кинетика образования полимерных пленок из тетраэтилгермана, тетра-метилсплана и н—гексана в различных условиях эксперимента. Высказаны предположения о механизме роста пленок и показано, что процесс идет через адсорбированную фазу. [c.38]

Рассмотрен механизм термораспада металлоорганическпх соединений и механизм роста пленок, а также показаны пути регулирования этих процессов химическими и физическими способами. Дано сравнение пленок, полученных осаждением из паровой фазы при распаде металлоорганическпх соединений, с пленками, полученными другими способами. [c.2]

Реакции совместного распада двух и более МОС или МОС с гидридом элемента в последнее время приобретают широчайшее применение в электронике для синтеза и эпитаксиалыюго выращивания соединений типа AnBm. Имеется ряд новых работ по созданию приборов на базе арсенида галлия, полученного в реакциях такого типа [38], а также обзорные статьи по механизму роста пленок и предположительному механизму протекающих при этом реакций 39]. Доказано [31, 39], что степень загрязнения пленок углеродом сравнительно не велика, и они могут с успехом применяться в электропике. Предложенный механизм реакции совместного распада МОС и гидрида элемента заключается [39] в реакции замещения радикалов МОС атомом элемента, причем радикалы и атомы водорода гидрида рекомбинируют, например [c.167]

Поведение серебра в растворе иода. Для разъяснения механизма роста пленок Баннистера лровел исследование действия иода, растворенного в органических жидкостях при определенных условиях на поверхность серебра. Работы Таммана и его сотрудников уже в значительной мере разъяснили природу воздействия паров иода на серебро, однако были основания считать, что йодный раствор должен дать добавочные преимущества, так как в этом случае можно было независимо изучать влияние семи факторов, а именно а) продолжительности погружения, б) природы растворителя, в) скорости перемешивания, г) концентрации иода, д) температуры, [c.119]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология