Пересыщение определения

Дайте определения понятиям насыщенный раствор , ненасыщенный раствор , пересыщенный раствор . [c.64]

Кристаллизация из растворов основана на ограниченной растворимости твердых веществ. Раствор, содержащий максимальное количество растворенного вещества в данном количестве растворителя при определенной температуре, называется насыщенным-, если раствор содержит большее количество растворенного вещества, то он является пересыщенным-, если же он содержит меньшее количество растворенного вещества, то называется ненасыщенным. Пересыщенные растворы неустойчивы из них выделяется избыточное количество растворенного вещества, т. е. происходит процесс кристаллизации. После выделения кристаллов раствор становится насыщенным. Этот насыщенный раствор, полученный в результате выделения кристаллов, называется маточным раствором, или маточником. Отделение маточного раствора от кристаллов производится центрифугированием и другими методами, рассмотренными в главе 8. [c.512]

Из приведенных данных видно, что основным и необходимым условием получения сульфата аммония с нужными физико-химическими характеристиками и хорошим выходом является учет всех особенностей, связанных с кристаллизацией при небольших пересыщениях. Прежде всего встает вопрос о контроле за уровнем пересыщения, определение которого с достаточной точностью, вообще говоря, является весьма сложным. Дело в том, что при небольшом пересыщении даже сравнительно точное определение концентрации сульфата аммония в жидкой фазе оказывается недостаточным. Ошибка определения может оказаться больше величины самого пересыщения. [c.215]

Изучение устойчивости пересыщенных растворов, по сути дела, сводится к определению ширины метастабильной зоны и протяженности индукционных периодов при разных пересыщениях. Определение ширины метастабильной зоны принципиально не отличается от определения предельных пересыщений. Поэтому в дополнение к ранее цитированной литературе мы сошлемся на две монографии, содержащие описание методик изучения устойчивости [112, 113]. Что же касается периодов индукции, то методы их определения весьма разнообразны. Они довольно подробно [c.64]

Так как обыкновенный кали есть не что иное, как несовершенно нейтральная соль, а именно он представляет собой углекислый кали, пересыщенный определенным количеством щелочи ", и так как углекислый кали труднее растворим, чем обыкновенный, то напрашивается предположение, что углекислый кали может быть отделен от избытка щелочи с помощью лишь обычной кристаллизации. Если бы это оказалось действительно так, то открылся бы, конечно, весьма легкий путь к получению углекислого кали в достаточно значительных количествах. Однако результат экспериментов, в чем я убедился собственными предпринятыми для этой цели опытами, совершенно опровергает вышеуказанное предположение. Действительно, раствор обыкновенного кали, выпариваемый на очень слабом огне вплоть до образования кристаллической пленки, дает большие и красивые кристаллы, которые, по мнению некоторых химиков, представляют собой углекислый. кали. Однако на самом де те, сколько бы раз я ни растворил их и ни выпаривал раствор вновь для получения кристаллов, всякий раз приходилось констатировать, что это — лишь обыкновенный кали. [c.262]

Какие цели преследуют созданием определенных условий при осаждении кристаллических осадков Каковы эти условия Какую роль при осаждении играет а данном случае степень пересыщения раствора относительно осаждае мого сс единения [c.159]

С точки зрения возможности появления твердой макрофазы важно не только количество образующейся дисперсной фазы, но и особенно размеры образующихся частиц. При кристаллизации размеры кристаллов определяются прежде всего скоростью образования центров кристаллизации. Статистическая вероятность возникновения центров кристаллизации, представляющих собой достаточно крупные группировки молекул, вблизи температуры насыщения очень мала. Кристаллические зародыши начинают появляться лишь по достижению в результате переохлаждения определенного пересыщения раствора. Связь между скоростью образования центров кристаллизации и переохлаждением системы выражается зависимостью /31/ [c.50]

Прн десорбции концентрация растворенного газа в массе жидкости больше, чем у ее поверхности. При этом парциальное давление газа, соответствующее условиям равновесия с основной массой жидкости, выше его парциального давления у поверхности и при определенных условиях может быть даже больше общего давления у поверхности. Напрнмер, воду можно насытить двуокисью углерода при парциальном давлении последней в несколько десятков атмосфер, а затем внезапно уменьшить общее давление до атмосферного. Если, как в этом примере, разность между общим давлением у поверхности и давлением, равновесным с жидкостью, велика (т. е. велика степень пересыщения), то внутри жидкости образуются пузырьки, и большое количество газа будет выделяться, диффундируя к поверхности этих пузырьков. Такой процесс сильно отличается от процессов абсорбции, рассмотренных выше, где величина поверхности контакта фаз определялась исключительно внешними факторами, а не самим абсорбционным процессом. Количественная теория пузырьковой десорбции в настоящее время отсутствует. [c.264]

В табл. 3.9 представлены значения величины пересыщения и скорости зародышеобразования, определенной по соотношению [c.318]

Из проведенного анализа наиболее интересным для технологии является вывод о том, что, изменяя акустические характеристики (частоту и интенсивность), можно получить наперед заданную гранулометрическую фракцию кристаллов округлой формы. Задавая определенный температурно-кавитационный режим, можно управлять ростом кристаллов, например периодически изменять интенсивность ультразвука относительно порога кавитации и одновременно периодически изменять температуру раствора около точки пересыщения. При температурах выше точки пересыщения надо воздействовать с интенсивностью выше порога кавитации, а при температуре ниже точки пересыщения соответственно воздействовать ультразвуком ниже порога кавитации. [c.152]

Приведенные выше факты даже качественно далеко не исчерпывают многообразие экспериментальных результатов по зависимости А = А (с). Для более сложных по своему строению и более высокомолекулярных веществ изотермы А = А (с) имеют более сложный вид. Это вызвано прежде всего мицеллообразованием (агрегированием молекул в объеме в более крупные частицы), наступающим при повышении концентрации раствора выше определенного предела. При наличии мицеллообразования объемная концентрация молекулярно-диспергированной части поверхностно-активного вещества не повышается с ростом его общей концентрации, поскольку прибавление новых, дополнительных количеств вещества идет только на образование мицелл. В результате поверхностная концентрация и А остаются постоянными и не зависят от изменения полной объемной концентрации. Иногда процесс мицеллообразования может быть полностью или частично необратимым, и тогда может наступать пересыщение по отношению к молекулярно-дис- [c.114]

В качестве второй системы рассматривались раствор и кристаллы щавелевой кислоты. Были проведены эксперименты в пределах температур 303—323 К, концентраций 13—21%, при различных массах кристаллов (0,2-7 мг) по растворению кристаллов щавелевой кислоты в трубе ячейки. Система уравнений, описывающая движение, растворение кристалла совместно с явлениями тепло- п массообмена, аналогична предыдущей. В [72] исследовалась данная система, в качестве движущей силы было принято пересыщение ii—с, (растворение идет в диффузионной области), была найдена зависимость Sh = /1 Re" для определения м- В настоящей работе в качестве движущей силы было взято соотнощение (1.238). Неизвестным параметром являлся коэффициент массоотдачи. В результате расчета системы для кристаллов различных размеров при различных условиях с учетом (1.238) была подтверждена зависимость (8Ь = Л Re ) ошибка в определении скорости растворения кристаллов по найденному соотношению снизилась на 7% по сравнению с ошибкой, определенной в [72]. [c.80]

Условия смешения двух потоков (питания и маточного раствора) в процессе кристаллизации могут быть охарактеризованы критерием смешения, т. е. соотношением энтальпий и расходов этих потоков. При определенных значениях указанных параметров смещение не приводит к образованию новой фазы. Схема DTB-кристаллизатора представлена на рис. 2.11. Работа рассматриваемого вакуум-кристаллизатора сопряжена с адиабатическим смешением двух потоков (питания и рецикла), насыщенных или ненасыщенных по целевому компоненту и различающихся по температуре и концентрации. При этом поток рецикла должен быть настолько большим, чтобы упругость пара потока смеси (зона /) была меньше суммы гидростатического давления столба жидкости от точки ввода потока питания до зеркала испарения и давления паров в сепараторе кристаллизатора. В зоне 2 с помощью мешалки происходит вторичное смешение поднимающегося по циркуляционному контуру потока с суспензией. При этом температура вторичного потока смеси на 0,1—0,2° С выше температуры кипения раствора при данном вакууме в аппарате. Таким образом, съем пересыщения происходит в зоне 3, ограниченной зеркалом испарения и слоем жидкости в несколько сантиметров. [c.208]

Рост и растворение свободных кристаллов могут быть исследованы по методике, изложенной в [84]. По этой методике кристаллы помещаются на решетчатую горизонтальную перегородку в вертикальной проточно-цилиндрической ячейке (рис, 3,13, в) и омываются восходящим потоком раствора. Скорость раствора должна быть такова, чтобы кристаллы не уносились потоком. Однако кристаллы в такой ячейке, так же как и закрепленные кристаллы, находятся в условиях, трудно реализуемых в промышленных аппаратах. Поэтому естественным развитием идеи, заложенной в таком методе, является методика, предложенная в [89]. Согласно этой методике предварительно взвешенные кристаллы помещаются в восходящий поток пересыщенного раствора в коническую ячейку (рис. 3.13, г). Расход раствора выбирается таким образом, чтобы исходные кристаллы находились в состоянии псевдоожижения. По мере увеличения массы кристаллы перемещаются по ячейке вниз и, достигнув определенного размера, выходят из рабочей зоны и собираются в приемнике. Время, прошедшее с момента ввода кристаллов в ячейку до выхода из нее, позволяет судить о кинетике их роста. [c.290]

Из (8) следует, что для ведения к минимуму склонности к образованию тумана температурный напор должен быть малым. Приняв, что смесь в объеме сначала перегрета, можно показать [12], что туман начинает возникать всегда на поверхности раздела. Когда туман образуется вблизи стенки, улучшение теплоотдачи у стенки (вследствие излучения) [13] приведет к росту пересыщения и распространению тумана. В [12] детально исследуется аналитическое определение распределения температуры в пограничных слоях и указаны условия образования тумана в парах воды, п-бутилового спирта и серы. [c.363]

При соприкосновении гидратирующихся минералов с водой на их поверхности происходит разрушение кристаллической решетки и образование промежуточных аквакомплексов. Эти комплексы способны определенное время существовать самостоятельно, образуя пересыщенный по отношению к кристаллическим продуктам гидратации раствор. В этом растворе возникают зародыши новой кристаллической фазы, которая после достижения предельного пересыщения кристаллизуется из раствора. [c.102]

Производная (2) является положительно определенной квадратичной формой. Следовательно, для хорошо растворимых веществ за счет собственно процесса кристаллизации не происходит возникновения колебательных режимов. Рассмотрим класс малорастворимых веществ, кристаллизация которых происходит при высоких пересыщениях (1п(с/с5) со). Тогда соотношение (1) преобразуется к виду [c.163]

Данные работы [22] сильно отличаются от результатов других авторов по конденсации паров воды на инертных твердых подложках. В работе [22] сопоставляются некоторые данные. Из этого сопоставления можно заключить, что методы, примененные для определения критических пересыщений, весьма ненадежны. Сомнения в надежности вызывает и метод диффузионной камеры применительно к конденсации на подложке. Дело в том, что при внесении в диффузионную камеру держателя с каплей-подложкой режим в камере, возможно, изменяется около подложки, что не учитывалось в работе [22]. [c.278]

Образование кристаллических зародышей, особенно на чужеродной поверхности катода, всегда сопряжено с затратами некоторой работы, необходимой для преодоления указанных выше кристаллизационных затруднений. Ее величина зависит от пересыщения, т. е. связана с определенным отклонением системы от равно- [c.336]

После того как образуется первое устойчивое твердое тело — кристалл размером Гх,— в сущности, начинается кристаллизация на поверхности твердого тела, которая идет с понижением уровня свободной энергии. Конечно, вовсе не обязательно, чтобы данное твердое тело вырастало в том же самом расплаве или паре. Довольно часто кристаллизация протекает на поверхности посторонних твердых тел, которые так или иначе попадают в отвердевающее вещество. Лишь бы они имели подходящий состав и строение. В ряде случаев в пересыщенный пар или расплав специально вносят затравку в виде готовых больших или малых кристаллов. Часто проводят кристаллизацию на подложке, т. е. на твердом теле, определенных размеров и формы, обладающем подходящими свойствами, например достаточной тугоплавкостью и смачиваемостью расплавом. [c.151]

Возьмем полимеры — типичные атомные вещества. Как правило, они пе имеют кристаллического строения, т. е. находятся в метастабильном состоянии, отличающемся от стабильного состояния, в котором находятся кристаллы, более высоким уровнем энергии. Вот почему кристаллизация — обратимый процесс отвердевания— не может служить для воспроизводимого получения атомных твердых соединений. Для этой цели можно воспользоваться только необратимыми процессами, однако лишь такими, в которых отвердевание происходит при строгом регулировании пересыщения системы взаимодействующих веществ. Ведь индивидуальное вещество может быть получено только в том случае, когда вещество данного состава находится в определенном, присущем только этому индивидуальному соединению энергетическом состоянии. В любом другом возможном энергетическом состояний вещество данного состава будет иметь иное строение и, следовательно, представлять собой одно из множества возможных изомерных соединений. [c.242]

В качестве примера кристаллизационных структур дисперсных систем, возникающих как новые фазы в результате переохлаждения и пересыщения расплавов, можно назвать металлы и сплавы. В твердом состоянии все металлы и сплавы имеют кристаллическое строение. Переход из жидкого расплава в твердое состояние при охлаждении начинается с возникновения зародышей атомы металла ориентируются определенным образом в пространстве, образуя кристаллическую решетку зародыша. В сплавах компоненты могут сокристаллизоваться, а химические соединения между ними образуют свою кристаллическую решетку. В качестве центров кристаллизации могут выступать не только возникающие зародыши из самого металла, но и мельчайшие шлаковые и неметаллические включения. Рост числа и размеров кристалликов приводит к их срастанию и образованию поликристаллической структуры. Так как процесс кристаллизации развивается одвовременно из многих [c.386]

Итак, все твердые вещества разделяются на два класса к одному классу веществ принадлежат все те вещества, которые воспроизводимо получаются в обратимом процессе кристаллизации, и к другому классу — вещества, которые могут быть получены в чистом виде только в необратимых процессах, при регулировании пересыщения и установлении его в ходе синтеза на постоянном уровне. Суть дела заключается в том, что в обоих случаях отвердевание происходит при постоянном пересыщении. Это и обеспечивает получение вещества данного состава и строения. Только в первом случае постоянство пересыщения достигается системой автоматически, при снижении его к минимуму, возможно более близкому нулю. Во втором же случае мы должны находить способ установления пересыщения на требуемом уровне, т. е. вмешиваться в ход процесса. Заметим, что закон постоянства состава — это скорее определение, что является химическим соединением. Согласно этому определению, каждое данное химическое соединение каким бы способом его ни. получали, всегда имеет один и тот же постоянный состав. Необходимо добавить и одну-единствен-ную структуру, и постоянную молекулярную массу. [c.242]

Оба метода могут применяться для различных определений, основанных на реакциях осаждения. В обоих рассматриваемых случаях серьезные трудности связаны с образованием пересыщенных растворов, а также влиянием электролитов на величину зерна осадка. [c.441]

Теории фазообразования уделялось и уделяется исключительное внимание. Изучение акта возникновения новой фазы идет по трем направлениям развивается термодинамическая теория образования зародышей Гиббса—Фоль-мера [9, 10], продолжает совершенствоваться молекулярнокинетическая теория фазообразования Каишева—Стран-ского [11] и разрабатывается теория возникновения зародышей новой фазы, основанная на представлениях химической кинетики. Последняя, по сути дела полиме-ризационная , теория развивается Христиансеном [12,13]. Число опубликованных работ по теории зародышеобразо-вания велико. Значительно хуже дело обстоит с экспериментальной проверкой полученных теоретических зависимостей, особенно в случае кристаллизации при больших пересыщениях. Определение числа образовавшихся зародышей вызывает большие затруднения. Дело в том, что при значительных пересыщениях их число очень велико. Это само по себе делает весьма неточным счет количества -образовавшихся зародышей в единице объема за единицу времени. С другой стороны, скорость зародышеобразова- [c.6]

Свойство веществ образовывать пересыщенные растворы характеризуется предельным первсщением (переохлаящением), при достижении которого начинается спонтанная кристаллизация. На величину предельного пересыщения оказывают влияние свойства растворенного вещества и растворителя, тешература раствора, механические воздействия, скорость охлаждения, наличие примесей и т.д. В связи о этим величины предельного пересыщения определяются экспершлентально для химически чистых веществ. Поскольку степень очистки веществ при экспериментальном определении пересыщения различна, величины предельных пересыщений, определенные разными исследователями для одних и тех же веществ, оказываются разными (табл.1). [c.8]

Оценим кинетические константы. Для каждого падающего кристалла можно построить зависимость v=v i) и определить величину dvldt с точностью до малых первого порядка dvldt Lv—Подставив dvldt в уравнения (3.185), (3.186), можно разрешить их относительно диаметра сферы, масса которой совпадает с массой падающего кристалла. Подставив найденные значе- ния а в уравнения (3.185), (3.186), легко получить значения для скоростей роста кристаллов в соответствующих временных точках. Однако в нашу задачу входит не только определение скоростей роста по длине трубы, но и определение влияния на скорость роста кристалла пересыщения, температуры раствора, скорости обтекания кристалла раствором, вязкости и плотности среды, окружающей его. Если кристаллизация идет во внешней области (диффузионной), то массовую и линейную скорости роста кристалла можно представить в виде [c.295]

Л (оо)—общее число кристаллов в конце процесса б) в каждой ячейке образуется один зародыщ в) ячейки имеют одинаковые объемы, массообмен между ячейками отсутствует д) исходные пересыщения во всех ячейках равны. Конечным результатом действия такой модели должно быть М оо) кристаллов одинаковой массы. Для определения М оо) проводили в конце процесса дисперсионный анализ. По функции распределения [c.298]

При определенных условиях (постоянные пересыщение и температура) производили отбор продукта (напыление на стеклянную пластинку при постоянном времени выдержки) по высоте стеклянной трубы. С целью определения размеров частиц пробы фотографировали иа микроскопе МБИ-15У. На рис. 3.22—3.24 представлены кривые распределения частиц по размерам, полученные после обработки фотографий. Кривые /, 2 соответствуют отбору из средней н нпжней частей стеклянной ячейки-трубы. Эксперименты проводились при различных значениях исходных концентраций НС1 и при различных пересыщениях в течение 20—30 мин (время каждого эксперимента). [c.318]

Началу образования новой фазы — возникновеиню центров конденсации — соответствует определенная критическая степень пересыщения, зависящая как от природы веществ, так и от наличия ядер конденсации. При гомогенной конденсации происходит самопроизвольное образование зародыщей энергия иоверхности выступает в качестве потенциального барьера конденсации. Энергия Гиббса образования зародышей имеет три составляющих объемную, поверхностную н составляющую, обусловленную энергией упругой деформации при структурном изменении твердых тел. Длл жидких и газообразных фаз можно ограничиться двумя первыми составляющими энергии Гиббса образования зародышей. [c.99]

При охлаждании насыщенных растворов в отсутствии твердой фазы кристаллические зародыши начинают выделяться только при достижении определенного насыщения. Разность между температурой насыщения раствора и температурой, при которой начинают выделяться первые кристаллы, называется максима л ьньп/ переохлаждением или, в переводе на концентрацию, максимальным пересыщением. [c.6]

С целью снижения кавернообразования в отложениях солевого комплекса в зарубежной практике бурения используют пересыщенные солью глинистые боровые растворы. Количество добавляемой соли определяют по присутствию кристаллов соли в буровом растворе (на поверхности капель раствора). Поддерживая избыток свободной соли, получают пересыщенный раствор на забое скважины. Для поддержания определенного количества соли в присутствии глины и реагентов-стабилизаторов используют снециа.тьные добавки, чаще различные амиды. [c.226]

Критическим принято называть то пересыщение, прп котором выделение новой фазы в виде капелек начинается с заметной скоростью. Это определение условно и, очевидно, зависит от чувствительности метода, которым обнаруживаются первые зародыши новой фазы. В классических опытах Фольмера и Флуда [20] по гомогенному образованию новой фазы — конденсации паров жидкости в камере Вильсона — пересыщение в объеме задается определенной степенью быстрого (адиабатического) расширения насы- [c.276]