Коэффициент нестехиометрии

Рис. 2.3. Зависимость концентрации точечных дефектов (а) и коэффициента нестехиометрии (б) кристалла МХ от парциального давления летучего компонента в газовой фазе для случая > Кг > Кз-

Если, как и в предыдущем случае, доминирующие дефекты образуются в результате квазихимической реакции О—>- Х2 + + Ух +пе , то коэффициент нестехиометрии [ х" ] [е ] = = п[]/х ] = у> а следовательно, К=Р]11п у" . [c.92]

Аналогичным образом можно показать, что у кристалла, являющегося электронным полупроводником (Ki > K s), термодинамически мало различимы состояния с коэффициентом нестехиометрии Ь < K s (если кристаллу свойственно разупорядочение по Шоттки) или 5< Kf (для кристалла с разупорядочением по Френкелю), где К р определяется из уравнения [c.128]

Возьмем бинарное соединение, в котором подвижность одного компонента намного превышает подвижность второго. Возможны два метода измерения коэффициентов самодиффузии а) компонент i диффундирует навстречу незанятым узлам (вакансиям или междоузельным позициям), приводя к изменению нестехиометрии кристалла б) стабильные атомы компонента i диффундируют навстречу атомам радиоактивного изотопа того же компонента. [c.112]

Полезную информацию о характере разупорядочения в несте-хиометрических соединениях можно получить из измерений электропроводности, эффекта Холла, спектроскопии электронного парамагнитного резонанса и спектроскопии ядерного гамма-резонанса (см. подразд. 7.4), но, к сожалению, во многих случаях эти методы не дают однозначного ответа из-за отсутствия надежно установленной корреляции между указанными физическими параметрами и видом дефектов. Более информативен метод, основанный на одновременном измерении ионной проводимости, линейного размера и коэффициента термического расширения монокристаллов в зависимости от степени нестехиометрии, создаваемой в условиях опыта кулонометрическим титрованием (см. подразд. 7.7), и температуры. [c.135]

Рис. 2.4. Зависимость концентрации точечных дефектов (а) и коэффициента нестехиометрии (б) кристалла МХ от обратной температуры для случая, когда Ki > K s > К S = onst, и следующих значений энергии процессов разупорядочения (в кДж/моль) = 20 =1,0 ь = 1,0 Es=80 =50 fXgV Ю.

Коэффициент диффузии. Измеряют коэффициенты диффузии каждого компонента в зависимости от нестехиометрии. Если коэффициент диффузии металла в МО (с избытком металла) изменяется с составом, то преимущественный тип дефектов — междоузельные атомы металла, если остается постоянным — вакансии кислорода являются ответственными за нестехиометрию. Наобо- [c.22]

Природу доминирующих дефектов в оксидах металлов можно установить, сопоставляя рентгенографическую и пикнометриче-скую плотность или измеряя коэффициент самодиффузии ионов как функцию парциального давления кислорода (металла) в газовой фазе, Например, методом изотопного обмена установлено, что коэффициент самодиффузии кобальта в кристалле СоО]+уувеличивается с ростом нестехиометрии. Это свидетельствует в пользу катионных вакансий как доминирующих дефектов решетки. [c.135]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология