Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Галлия арсенид отклонения от стехиометрии

    Решение вопроса о ширине области гомогенности в соединениях типа А В несомненно требует применения комплекса методов. До сих пор прецизионный рентгеновский анализ в отношении соединений фосфида индия, арсенидов индия и галлия не дал указаний на существование заметной области гомогенности вблизи стехиометрического состава [109, ПО]. Для сурьмянистого индия также не удалось заметить какого-либо отклонения от стехиометрии с помощью исследования электрических свойств [П1—ПЗ]. [c.82]


    Как видно из рис. 13—19, диаграммы состояния соединений А В5 однотипны. Равновесная газовая фаза этих соединений состоит в основном из более летучего компонента. Несмотря на заметную диссоциацию, почти во всех исследованных с этой точки зрения соединениях типа А В при затвердевании наблюдается сильная тенденция к образованию соединений стехиометрического состава. Это очевидно из того факта, что удается получить антимонид индия, фосфид индия и арсенид галлия с такой ничтожной концентрацией примесных атомов, которая не могла бы наблюдаться при сколько-нибудь заметных отклонениях от стехиометрии (имея в виду, что сверхстехиометриче- [c.81]

    В связи с интенсивным исследованием и все большим практическим ррименением. полупроводниковых соединений чрезвычайно актуальна задача точного контроля за нарушением стехиометрического состава сложных полупроводников. Правда, разные группы полупроводниковых соединений характеризуются различными пределами от клонений от стехиометрического состава. Так, окись железа РеО (И) уже при комнатных условиях имеет недостаток атомов железа против стехиометрии 5%, а арсениду галлия СаАз по сравнению с формульным составом недостает атомов галлия всего 0,009%. Точное определение концентрации сверхстехиометрических атомов в полупроводниковом веществе с ничтожно малым отклонением от стехиометрии является одной из самых трудных проблем аналитической химии полупроводников. Между тем электрофизические,оптические и другие свойства полупроводниковых соединений в первую очередь зависят от степени нарушения стехиометрического состава. [c.8]


Химия несовершенных кристаллов (1969) -- [ c.503 ]




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Арсениды

Галлай

Галлий

Галлы

Отклонения

Стехиометрия



© 2024 chem21.info Реклама на сайте