Вещества полупроводниковые

Полупроводниковыми свойствами могут обладать все кристаллы с неметаллическими связями, хотя они наиболее отчетливо проявляются у веществ с ковалентными связями малой энергии. Из простых веществ полупроводниковые свойства в обычных условиях проявляют кремний, германий, селен, теллур, бор. Из сложных веществ особый интерес представляют соединения, имеющие алмазоподобную кристаллическую решетку. [c.137]

В настоящее время методами ОЭС исследованы простейшие молекулы в газовой фазе. Очень перспективно применение ОЭС для исследования поверхностных слоев веществ. Этот метод позволяет обнаруживать загрязнения и примеси в высокочистых веществах полупроводниковых материалах, сверхпроводниках и др. Он может быть применен как дополнительный при исследовании комплексных соединений методом РФС. [c.267]

Примесные полупроводники — вещества, полупроводниковые свойства которых обусловлены примесью малых количеств других элементов. Например, рассмотрим кремний с добавкой фосфора и алюминия. Поскольку каждый атом кремния образует четыре ковалентные связи со своими соседями, чистый кремний можно изобразить так, как показано на рис. 19.23, а. Когда атом кремния замещен атомом фосфора, имеется один лишний валентный электрон атома Р, который не участвует в образовании ковалентных связей. При наличии атомов фосфора в запрещенной зоне ниже края зоны проводимости возникают дополнительные уровни, которые называются донорными уровнями. В данном случае дополнительные энергетические уровни лежат всего лишь на 0,012 эВ ниже края зоны проводимости. Электроны, перешедшие с них в зону проводимости, могут двигаться под действием внешнего электрического поля. Таким образом, кремний с добавкой фосфора является полупроводником п-типа. [c.593]

Высокотемпературная ректификация применяется главным образом в технологии неорганических веществ. Полупроводниковая техника нуждается в получении серы, селена и теллура осо- [c.150]

Наконец, высокая абсолютная чувствительность метода позволяет приблизиться к решению одной из основных задач аналитической химии — анализу сверхчистых веществ полупроводниковых и атомных материалов, редкометаллических руд и т. д. Анализ чистых материалов ограничен в настоящее время недостаточной абсолютной чувствительностью методов, ибо выделенный после химической или физико-термической обработки пробы концентрат содержит определяемые примеси в количествах, меньших пороговых значений абсолютной чувствительности. Например, при абсолютной чувствительности определения какого-либо элемента [c.315]

Медь, Существует более тридцати- методик определения меди на основе кинетики реакций самых разнообразных типов это реакции окисления перекисью водорода люминола и многих других органических веществ. Анализ некоторых особо чистых веществ полупроводниковой техники (тетрахлорид германия, трехокись сурьмы, двуокись кремния) был осуществлен с помощью реакции окисления гидрохинона перекисью водорода содержание меди в образцах не превышало 10 мкг/мл. Для открытия меди в количестве 5 10 — 1 мкг предложено около двадцати органических восстановителей перекиси водорода. Во всех этих реакциях соединения меди играют роль катализаторов, так же как и в реакциях окисления кислородом воздуха некоторых органических веществ (известно около десятка таких веществ). Например, если в пробирку с раствором соли меди (0,1— 0,2 мкг) добавить аммиак и о-аминофенол, то через одну минуту раствор окрасится в желто-зеленый цвет. В контрольной пробирке, где нет соли меди, такое окрашивание поя- [c.77]

Наиболее чувствительным из классических радиохимических методов является радиоактивационный анализ, позволяющий при облучении анализируемых образцов в ядерных реакторах интенсивными потоками нейтронов (- 10 нейтрон см -сек) определять около 70 элементов с чувствительностью 10 —10 % [16—20]. Оба варианта метода— прямой инструментальный и радиохимический — позволили успешно решить важнейшую проблему анализа чистых веществ, полупроводниковых и конструкционных материалов, горных пород. Наибольшая чувствительность достигается только при применении радиохимического выделения определяемых элементов, однако необходимость определения химического выхода ухудшает точность и увеличивает продолжительность анализа. [c.106]

Однако при введении в систему в виде суспензий веществ полупроводникового типа удалось установить, что при действии оптических и ядерных излучений возникают явления, эквивалентные гетерогенной сенсибилизации. Смысл этих явлений заключается в том, что энергия радиации, поглощенная полупроводником, приводит к эффективному возбуждению электронов полупроводника и последующему возникновению на границе полупроводник — раствор химического процесса. [c.101]

Этс выражение аналогично закону светопоглощения в молекулярной спектрофотометрии (закон Ламберта — Бугера — Бера) и графически выражается прямой линией. Коэффициенты атомного поглощения выражаются величинами порядка л-10 что примерно на три порядка выше максимальных величин молярных коэффициентов светопоглощения для цветных реакций в водных растворах (га-Ю ). Кроме того, практически все атомы плазмы, например для пламен, находятся в невозбужденном состоянии и способны поглощать резонансные линии. Все это определило высокую относительную и абсолютную чувствительность атомно-абсорбционного метода. Метод находит все большее применение для определения примесей в особочистых веществах, полупроводниковых материалах, металлах, сплавах и т. д. Точность метода также достаточно высока и Обычно составляет 1—5%. Он отличается быстротой выполнения определений и небольшой трудоемкостью. В настоящее время описаны методики определения 76 элементов в пробах самого различного характера. [c.253]

Явление фотопроводимости щироко используется для обнаружения у веществ полупроводниковых свойств, способности к зонной миграции энергии. Наряду с собствен- [c.27]

Так был создан Институт кристаллографии, который считается одним из хорошо организованных научных учреждений. Именно этот институт осуществил и осуществляет идею Алексея Васильевича Шубникова по превращению кристаллографии из ...самой неинтересной, самой бесполезной и самой трудной в науку, занимающую почетное место в научно-техническом прогрессе. Ведь теперь всем хорошо известно, что в настоящее время кристаллография и ее методы интенсивно внедряются во все области знаний, занимающихся строением вещества. Полупроводниковая и квантовая электроника, нелинейная оптика, квантовая акустика и физическое материаловедение немыслимы без кристаллов. Но для этого потребовалась целенаправленная полувековая деятельность Алексея Васильевича. Он был строг, требователен и аккуратен. Я с трудом мог бы припомнить случаи невыполнения принятых им обязанностей, разве что по причине [c.386]

Полупроводники — это обширный класс веществ. Полупроводниковыми свойствами обладают простые вещества В, С (в виде графита), 5), Ое, 5п (а-модификация), Р, Аз, 5Ь, 5, 5е, Те, I. К полупроводникам относятся оксиды и сульфиды переходных металлов и некоторых /5-элементов многие двойные (В1 — Сс1), тройные (В1 — Рс1—5п), четверные (В1—5п—Сё—Рс1) и другие сплавы и их твердые растворы ферромагнитные полупроводники, имеющие кристаллические решетки типа минерала шпинель (MgAl204) и т. п. [c.140]

В настоящее время наука и техника предъявляют высокие требования к чистоте не только металлов. Так, глубокая очистка оксидов магния, церия и гафния, а также боридов, нитридов и карбидов, например титана и гафния, ведет к повышению жа1)Остойкости этих материалов, их химической устойчивости и механической прочности. Особо чистыми должны быть материалы, и пoльзye ыe для изготовления люминофоров . Например, ярко светящийся люминофор Ва8 отравляется ничтожнейшими следами железа. Сверхчистые вещества — основа современных исследований в биологии, медицине, сельском хозяйстве. Такие отрасли, как радиоэлектроника, оперируют с материалами, содержание примесей в которых оценивается величиной порядка 10" % (т. е. 1 часть примеси на 10 частей основного вещества). Полупроводниковая техника также требует сверхчистых материалов. Вообще изучение влияния примесей и структурных дефектов является теперь одной из основных проблем физики твердого тела. Можно сказать, что техника в настоящее время. ускоренными темпами приближается к эре сверхчистых материалов и совершеннейших искусственных кристаллов. [c.460]

Сжиганием ацетилена С2Н2 в кислороде пользуются для сварки и резки металлов. Сульфиды Са8, 8г5, ВаЗ, синтезированные из чистых карбонатов и серы при про-кал.ивании с добавками следов тяжелых металлов, являются люминофорами, т. е. веществами полупроводникового характера, способными длительно светиться после их предварительного освещения (фосфоры). Однако эти люминофоры химически мало устойчивы. [c.343]

Есть все основания полагать, что полупромыщлен-ное использование препаративной хроматографии в недалеком будущем распространится не только на получение чистых реактивов и эталонов, но и на производство лекарственных веществ, полупроводниковых материалов и т. д., т. е. на отрасли промышленности, нуждающиеся в особо чистых веществах в сравнительно небольших количествах. [c.10]

В 1962—1963 гг. созданы принципиально новые квантовые генераторы инфракрасного излучения — генераторы с использованием в качестве активного вещества полупроводниковых материалов. Разработка таких генераторов является новым этапом в разнитин квантовой электроники и инфракрасной техники. Большой вклад в развитие полупроводниковых генераторов внесен советскими учеными. В 1963 г. Б. М. Вулу, Ю. М. Попову, О. Н. Крохину, Д. Н. На-следову и др. за разработку теории и создание полупроводниковых квантовых генераторов присуждена Ленинская премия. [c.87]

Температура плавления. Согласно старым данным Пелабона [198], = 362° С. Это значение явно занижено. В современной работе [199] измерения проводились с веществом полупроводниковой чистоты и получено 4л = 385 5° С. [c.40]

Температура плавления (табл. 90). Начиная с 1959 г. измерения выполняли на веществах полупроводниковой чистоты В работе [256] соединение подвергалось зонной очистке. Наиболее тщательное исследование было проведено Абрикосовым и др. [247 ], его результат совпадает с величиной Парравано. Наблюдаемые расхождения с другими данными, очевидно, связаны с эффектом предплавления, так как отклонение от стехиометрии ничтожно максимум на кривой ликвидус отвечает составу В12,оо1 о,ооо5 Зег,9Э9 о.0005 [242]. [c.95]

В самое последнее время Коммоперу [36] при исследовании модельных окислительных ферментативных процессов удалось обнаружить в одном образце два типа спектров ЭПР, свидетельствующих об образовании низкомолекулярных промежуточных продуктов типа семихинонов, и одиночный сигнал — свидетельствующий о наличии в исследовавшейся системе высокомолекулярных веществ полупроводникового типа. [c.309]

Высокочистые и совершенные монокристаллы полупроводников нашли не только блистательное применение в практике, но и решающим образом повлияли на развитие ряда разделов физики, прежде всего физики твердого тела, предоставив возможность исследовать собственные свойства кристаллов, близких к идеальным. Так, на них впервые были обнаружены и изучены ударная ионизация и туннельный эффект. Изучением примесных атомов, дозированно вводимых в вещества полупроводниковой чистоты, выявлены некоторые закономерности поведения и характер их взаимодействия. Представляется такая картина в идеальном кристалле малые концентрации примесей ведут себя как квазигаз с частицами, совершающими тепловые колебания, но свободно не перемещающимися. С увеличением их концентрации уменьшается среднее расстояние между частицами и усиливается их взаимодействие. [c.167]

Подавление донорной или акцепторной активности центров объясняется тем, что при возникновении ассоциата для образования связи используются те же электроны, которые обусловливают донорное действие свободного дефекта. Таким образом, в результате образования ассоциата связь электрона с центром становится более прочной, и поэтому удаление электрона происходит с большим трудом. Почти такой же механизм был предложен для объяснения полупроводниковых, а не металлических (как можно было ожидать исходя из имеющихся неспаренных валентностей) свойств таких веществ, как С(15Ь [111, 112]. Рентгеноструктурное изучение показывает, что расстояние между атомами 5Ь в кристаллической решетке Сс15Ь сравнительно небольшое (2,81 А). Этот факт связывается с образованием между атомами сурьмы ковалентной связи за счет валентных электронов, не использованных для связи Сс1 — 5Ь. Музер и Пирсон ввели для такой связи термин полупроводниковая связь. Хотя предположительно возникновение дополнительной связи и способствует появлению у вещества полупроводниковых свойств, предлагаемое название неудачно, поскольку оно подразумевает существование совершенно нового типа химической связи. Однако подобная связь совершенно не отличается от обычных химических связей [113]. Тем не менее вопрос о соотношении между характером связи и полупроводниковыми свойствами веществ до конца еще не выяснен . [c.232]

Этлм методом можно определять свыше 70 химических элементов в особо чистых веществах, полупроводниковых материалах, металлах и спл.авах, а также сурьму, висмут селен, цинк и некоторые другие элементы, которые не определяются методом фотометрии пламени. Подобно методу пламенной фотометрии в атомно-абсорбционном спектральном анализе исследуемый раствор вещества вводится в пламя распылением. [c.31]