Полупроводники сложные

Полупроводниковые материалы условно подразделяют на химические элементы (элементарные полупроводники) и химические соединения (сложные полупроводники). В настоящее время известны кристаллические модификации 13 химических элементов, обладающие полупроводниковыми свойствами. Все они находятся в главных подгруппах IИ—VU групп периодической системы элементов Менделеева [c.311]

Окислы-полупроводники. Случай окисных полупроводников сложнее на поверхности кристаллической окиси имеются атомы двух сортов — анионы кислорода и катионы [157]. Может оказаться, что отдельные грани содержат либо только катионы, либо только анионы, как в окиси цинка (гексагональная решетка). [c.193]

Показано, что коэффициент линейного расширения снижается с ростом температуры плавления алмазоподобных полупроводников сложного состава. [c.423]

Широкое применение полупроводников привело к созданию новых сложных полупроводниковых систем на основе химических соединений. Поиск таких соединений базировался, в первую очередь, на аналогии их структуры со структурой элементарных полупроводников. Так, согласно правилу октета следует ожидать, что полупроводниковыми свойствами будут обладать не только простые вещества типа AIV Д1У но и сложные соединения типа В", А В , А >В и А В , в кристаллической решетке которых на каждый атом приходится такое же количество электронов, как и в кристаллах простых веществ элементов IV группы. Действительно, полупроводниковыми свойствами обладают кристаллы следующих соединений, которые имеют тетраэдрическую структуру [c.313]

До сравнительно недавнего времени носитель рассматривали как инертную составляющую катализатора. Обычно как доказательство инертности носителей приводится отсутствие у них каталитической активности. Однако, как указывалось несколько выше, и у других типов сложных катализаторов один из компонентов может не обладать каталитической активностью. Шваб [87] показал, что при варьировании носителей для одного и того же активного компонента изменяется не только удельная каталитическая активность последнего, но и электрические свойства получаемого катализатора (электропроводность). Следовательно, влияние носителя может иметь электронную природу, что должно также вытекать из теории явлений в пограничных слоях металлов и полупроводников. [c.46]

Широкое применение полупроводников привело к созданию новых сложных полупроводниковых систем на основе химических соединений. Поиск таких соединений базировался, в первую очередь, на аналогии их структуры со структурой элементных полупроводников. Так, согласно правилу октета, следует ожидать, что полупроводниковыми свойствами будут обладать не только простые вещества типа но и сложные соединения типа [c.342]

Другим сложным случаем является теплогенерация в полупроводниках. При нагреве их в переменном электрическом поле теплогенерация слагается из двух составляющих один полупериод полупроводник греется за счет тока проводимости, другой — за счет тока смещения. Общая теплогенерация будет равняться простой сумме тепловыделений в двух полупериодах. [c.216]

Соотношение токов обмена и Гр определяется положением уровня Ферми в полупроводнике и равновесным потенциалом (Е ) окислительно-восстановительной системы. При этом ток оказывается тем больше, чем более отрицательное значение имеет Е и чем ближе к зоне проводимости располагается уровень Ферми. Последний эффект достигается введением в полупроводник доноров электронов (например, введением примеси Аз в Ое). Введение в полупроводник примесей акцепторов, наоборот, приводит к росту д и уменьшению 1%. Таким образом поляризационная характеристика для реакции (I) на полупроводниковом электроде оказывается весьма сложной и зависяш,ей от многих факторов. Ограничимся поэтому рассмотрением упрощенного случая, когда Д ф 0, и При этих условиях из уравнения (57.10) получаем [c.295]

Сложные оксидные и сульфидные соединения с соизмеримым соотношением компонентов, а также полупроводники хроматы [c.440]

Приборы с фотопроводимостью как компонент сложных полупроводников [c.312]

Как компонент сложных полупроводников [c.312]

Как компонент сложных полупроводников, используемых в качестве приемника излучения (фоторезисторы, фотодиоды) [c.312]

Орторомбическая (слоистая) 0,33 1,5 Приборы с фотопроводимостью как компоиеит сложных полупроводников [c.343]

Гексагональная (спиралевидная) 1,7-1,9 Селеновые выпрямители, фоторезисторы как компонент сложных полупроводников [c.343]

К настоящему времени в реакциях молекулярного наслаивания систематически обследован широкий круг соединений элементов III — VIII групп периодической системы. При этом в качестве матриц, на которых осуществлен синтез, использовались материалы различной химической природы и структуры как простые, например кремний, так и сложные (кремнезем, алюмосиликаты), являющиеся диэлектриками, полупроводниками. Синтез методом молекулярного наслаивания в надлежащих условиях одинаково успешно идет на поверхности монокристаллов и пористых материалов (силикагель), а также высокодисперсных порошков. [c.215]

При контакте полупроводников различной химической природы (например Ое и 51) или полупроводников с металлами ширина начального и ширина электростатического барьеров не совпадают и поэтому на границе раздела возникает потенциальный барьер сложной формы, состоящий из нескольких последовательно расположенных барьеров (рис. 41). Внешняя разность потенциалов, приложенная к контакту, изменяет высоту электростатического барьера на величину а высота начального барьера остается практически неизменной. [c.162]

Полупроводники характеризуются удельным электрическим сопротивлением от 10 до 10 Ом-м. К полупроводникам относятся простые вещества, находящиеся при условиях, близких к нормальным, в твердом состоянии В, С, 81, Се, 8п, Р, Аз, 8Ь, 8, 8е, Те, I. Полупроводниками являются многие бинарные соединения оксиды (2пО, РеО), сульфиды (2п8, С<18), пниктогениды (СаАз, 2п8Ь), карбиды (81С), а также сложные соединения. Наиболее распространенные бинарные соединения полупроводников можно определить по простому правилу — это должны быть соединения по числу валентных электронов изоэлектронные бинарному соединению из атомов IV главной подгруппы. То есть это соединения элементов только четвертой, третьей и пятой, второй и шестой групп периодической системы. Ширина запрещенной зоны в полупроводниках изменяется от 0,08 эВ (у металла Зп) до 5,31 эВ (у неметалла С(алмаз))- [c.635]

Заметим, что когда мы говорили о простейшей форме потенциального барьера, то имелся в виду барьер между уровнями полной потенциальной энергии электронов в металле и одной из зон полупроводника (в разобранном случае зоной проводимости). Естественно, что потенциальный барьер с другой зоной включает в себя величину — Д з и имеет поэтому сложную форму (см. рис. 49 и 50). [c.182]

Вольт-амперная характеристика контакта полупроводник — электролит. При контакте полупроводника с электролитом (ввиду малой концентрации носителей заряда в полупроводнике) на границе раздела возникает потенциальный барьер сложной формы. В общем случае вольт-амперная характеристика такого контакта может быть весьма сложной и поэтому мы рассмотрим ее на одном частном, но важном для практики примере. [c.201]

Селен используется для обесцвечивания зеленого стекла, для изготовления селеновых выпрямителей и фотоэлементов, для вулканизации каучука и др. Ряд селенидов используется в качестве сложных полупроводников. Теллур, добавленный к свинцу, увеличивает пластичность и сопротивление к коррозионным процессам (электрические кабели, химическая аппаратура и др.). Как добавка применяется в различных сплавах, улучшая их механические свойства. [c.586]

Количество веществ с полупроводниковыми свойствами очень велико. Все простые и сложные вещества, не обладающие металлическими свойствами, в широком смысле слова являются полупроводниками, поскольку различие между полупроводниками и изоляторами чисто количественное и определяется шириной запрещенной зоны. Поэтому роль полупроводниковых веществ в химии твердого тела и вообще в неогранической химии исключительно велика. Исследование их свойств позволяет получить обширную информацию о структуре и особенностях химического взаимодействия атомов в твердом состоянии. [c.312]

С п и ц ы н а В. Д., Рязанцев А. А., П о п о в к и н Б. А. и др. Исследование и рост кристаллов в области гомогенности сульфойодида сурьмы. — В кн. Некоторые вопросы химии и физики полупроводников сложного состава. Ужгород, 1970, с. 33— 143. [c.191]

НЫХ В запрещенной зоне непосредственно под зоной проводимости. Если энергия возбуждения, требующаяся для перевода электрона в зону проводимости, несколько меньще тепловой энергии, то тогда почти все атомы мыщьяка будут ионизованы, что приведет к возрастанию числа электронов в зоне проводимости и неподвижных положительно заряженных центров. Наоборот, добавление, например индия к германию, вызывает увеличение числа акцепторных состояний, расположенных выще верхнего края валентной зоны. При возбуждении электроны валентной зоны могут перейти в эти локальные акцепторные состояния, что приводит к возрастанию числа неподвижных отрицательно заряженных центров и подвижных дырок в валентной зоне. В полупроводниках сложного состава донорные и акцепторные состояния могут создаваться в результате отклонений от стехиометрии, которые обусловлены избытком соответственно электроположительного или электроотрицательного составляющих кристалла [6]. Примесные полупроводники, проводимость которых определяется в основном избыточными электронами, называются полупроводниками -типа п — от слова negative), а полупроводники с дырочной проводимостью — полупроводниками р-типа (р — от слова positive) . [c.381]

Из простых веществ к полупроводникам относятся бор, кремний, германий, серое олово, некоторые модификации фосфора, мышьяка и сурьмы, а также селен, теллур, сера и иод. Помимо перечисленных элементарных полупроводников известны многочисленные полупро- водниковые соединения окислы, сульфиды, селениды, теллуриды, фосфиды, интерметаллиды, органические полупроводники, сложные-полупроводниковые фазы и т. п. Исследования последнего времени показывают, что большая Часть неорганических соединений является полупроводниками. [c.9]

Исследование диэлектрических слоев па границе раздела полупроводник — металл представляет собой одну из наиболее сложных задач П11и физико-химическом исследовании твердых веществ, поскольку анализируемое вещество на границе раздела содержится в виде слоя толщиной от долей до нескольких нм и, кроме того, оно экранировано основным объемом граничащих сред. Для определения состава подобных соединений наиболее эффе1 тивно применение метода ИК-спектроскопии отражения-поглощения, характеризуемого высокой чувствительностью и г озволяющего выполнят ) измерения без разрушения одис " пз сред. [c.153]

Когда разница в работах выхода электронов невелика, на границе раздела полупроводник — металл возникает потенциальный барьер сложной формы, состоящий из двух последовательно расположенных барьеров. Вольт-амперная характеристика такого контакта является сверхнелинейной и может не иметь токов насыщения. [c.184]

Для предсказания кислотно-основных свойств сложных веществ (например, оксидов) целесообразно проследить зависимость степеней окисления, в которых могут находиться элементы, от зарядов ядер их атомов (рис. 53). По мере увеличения зарядов ядер в пределах каждого периода наблюдается возрастание максимально возможной етепени окисления, значение которой численно равно номеру группы, в которой находится элемент. Неметаллам и полупроводникам присущи и отрицательные значения степеней окисления, которые можно найти вычитанием из номера группвг числа 8. Как правило, d-элементы, занимающие В-группы, начиная с четвертой и выше, характеризуются большим набором степеней окисления. В этом случае для предвидения возможных промежуточных степеней окисления элемента можно пользоваться следующим эмпи- [c.206]

Кристаллизация из газовой фазы дает возможность (подвергая, например, исходное твердое вещество сублимации с последующим осаждением) получать материал высокой степени чистоты, заданной структуры и с заданными свойствами. Метод кристаллизации из газовой фазы используют для получения тонкодисперсных порошков — пигментов и усиливающих наполнителей, в частности для получения оксидов (AI2O3, TiOa и др.) путем гидролиза газообразных хлоридов или путем их высокотемпературного окисления. Осаждение из газовой фазы применяют для покрытия подложек тугоплавкими соединениями или оксидными пленками либо для металлизации. Этот метод, заключающийся в эпитаксиальном росте кристаллов, т. е. в наращивании одного вещества на другое, базируется на сходстве строения срастающихся граней. Кристаллизацией из газовой фазы получают монокристаллы и монокристаллические пленки, в частности для лазеров и приборов микроэлектротехники. Возможно прямое осаждение из газов готовых твердых изделий, например, деталей полупроводников и других деталей сложной формы. Возможно также получение гранулятов физическим или химическим осаждением вещества из газа в кипящем слое. Свойства получаемых твердых фаз зависят от условий пересыщения газовой фазы, от температуры подложки и др. [c.262]

Электронная теория катализа на полупроводниках, основанная на зонной теории твердого тела, рассматривает в основном коллективные взаимодействия. Каталитическая реакция трактуется как результат взаимодействия реагирующих веществ с электронами и дырками полупроводника, концентрация которых определяет наблюдаемую скорость процесса и зависит от коллективных свойств кристалла. Все химические свойства реагирующего вещества при этом сводятся к потенциалу ионизации или сродству к электрону, а химические особенности катализатора — к положению уровня Ферми. Применительно к такому сложному химическому явлению, как катализ, такой подход односторонен и наряду с коллективными необходимо учитывать локальные взаимодействия. [c.168]

Ковалентные сульфиды образуют в основном 5/з-металлы, особенно с конфигурацией внешних электронов ns4p (Al, Ga, In, Tl). Большая часть этих сульфидов имеет сложное кристаллохимическое строение, образуя слоистые и каркасные структуры. Ковалентные сульфиды являются полупроводниками. По химической природе эти сульфиды амфотерны, в воде почти нерастворимы, малоустойчивы по отношению к химическим реагентам. Многие из них реагируют с влагой воздуха с выделением HaS, активно взаимодействуют с кислородом, галогенами. [c.326]