Сурьмянистый индий

Из остальных металлов ША-группы в последнее время стали применять галлий (входит в холодный припой). Имея очень низкую температуру плавления ( 300 К), он может растворять другие металлы (например, медь) и, затвердевая, создавать паяный шов это свойство незаменимо для производства элементов микроэлектроники. 1п и Т1 применяют также в соединениях (сурьмянистый индий — полупроводник и т. д.). [c.404]

Создание световодов из мышьяковисто-сернистых стекол, пропускающих инфракрасное излучение в диапазоне 1,5. .. 14 мкм, позволяет в сочетании с соответствующими детекторами (пировидикон, охлаждаемые фотосопротивления из сурьмянистого индия и др.) регистрировать тепловое излучение находящихся в труднодоступных полостях объектов с температурами 20. .. 100 °С. Эти световоды имеют высокий показатель преломления и апертуру, выше 1, что позволяет в сочетании с высо- [c.537]

Сурьмянистый индий, высокой чистоты, [c.201]

Измерение электрофизических параметров полученных электролизом и отожженых пленок сурьмянистого индия показало, что полученные пленки характеризуются проводимостью п-типа. [c.257]

Сурьмянистый индий все еще является предметом исследований с точки зрения его общих, оптических, фотоэлектрических и полупроводниковых свойств. Используется он в форме монокристаллов. [c.245]

Из теоретических соображений, имеющихся в настоящее время, следует, что токовый шум не должен, по-видимому, играть определяющей роли в отношении чувствительности. Как указывается в следующем разделе, в случае сурьмянистого индия, например, токовый шум вообще не наблюдается. Кроме того, как было показано Пейджем и др. [64], токовый шум может быть уменьшен при соответствующей технике изготовления элементов (монокристаллы). [c.252]

В работе [74] приводятся данные о влиянии освещения на микротвердость германия, кремния и сурьмянистого индия. Авторы обнаружили, что освещение поверхности уменьшает величину микротвердости и поверхностного слоя толщиной в 1—2 мк на 10—70%. В табл. 12 и 13 приведены некоторые свойства германия. [c.71]

Решение вопроса о ширине области гомогенности в соединениях типа А В несомненно требует применения комплекса методов. До сих пор прецизионный рентгеновский анализ в отношении соединений фосфида индия, арсенидов индия и галлия не дал указаний на существование заметной области гомогенности вблизи стехиометрического состава [109, ПО]. Для сурьмянистого индия также не удалось заметить какого-либо отклонения от стехиометрии с помощью исследования электрических свойств [П1—ПЗ]. [c.82]

В последнее время стали применять в качестве полупроводников также и химические соединения, в первую очередь между элементами третьей ж пятой групп (полупроводники типа В ). Особенно ценными свойствами обладают сурьмянистый индии 1п8Ь, чувствительный к инфракрасному свету с очень большой длиной волны и ьшшьяковистый галлий ОаАз, в котором рекомбинация электронов и дырок дает интенсивное световое излучение (квантовый генератор света или полупроводниковый лазер, превращающий энергию электрического тока непосредственно в световую). Полупроводниковыми свойствами обладают и многие окислы. Так, окись цинка является электронным полупроводником роль доноров играют при этом избыточные атомы или однозарядные ионы цинка. Окись меди(1) является дырочным полупроводником роль акцепторов играют избыточные атомы кислорода. Однако подвижность носителей тока (электронов или дырок) в окисных полупроводниках низка, так что для радиотехники они менее ценны. Для выпрямления сильных токов используют тонкий слой окиси меди(1), нанесенный окислительным процессом на поверхность металлической меди (купроксный выпрямитель). Это — простейший аналог полупроводникового диода, в котором, однако, роль электронного проводника играет обычный металл. Свойства окисных полупроводников сильно зависят от состояния их поверхности. Так, электропроводность окиси цинка понижается в атмосфере кислорода, который адсорбируется поверхностью и захватывает свободные электроны. Способность окислов ускорять (катализировать) газовые реакции связана с полупроводниковыми свойствами, т. е. с наличием свободных электронов.— Доп. ред. [c.457]

Стыркас [109], проводивший исследование процесса осаждения сурьмянистого индия из сульфатных растворов, показал преимущество зтиленгликолевых растворов по сравнению с водными. В водных растворах сульфатов сильное влияние на состав сплава оказывает плотность тока, что естественно, ограничивает область получения сплава со стехиометриче-ским соотношением компонентов 1 1. Кроме того, в этих электролитах выход по току сплава составляет лишь 2—-5%, что в определенной мере связано с низкой концентрацией сурьмы в электролите. [c.256]

Стыркасом было установлено, что как из водных, так и неводных растворов сульфатов индия и сурьмы на катоде выделяются одновременно три фазы сурьма, индий и сурьмянистый индий [109, 111]. Только после прогрева осадков при 450° в атмосфере водорода происходит увеличение количества сурьмянистого индия и снижение количества отдельных компонентов. При этом существенное влияние на свойства покрытий оказывает режим термической обработки чем медленнее происходит прогрев образцов, тем выше подвижность носителей и ниже их концентрация [112]. [c.256]

Плотные мелкокристаллические осадки сурьмы с индием, отвечающие по составу соединению InSb, были получены Титовым и сотр. [ПО] из водных тартратных электролитов. Однако по фазовому составу они также представляли смесь трех фаз сурьмы, индия и сурьмянистого индия. Для получения однофазного сплава, состоящего из интерметаллида InSb, необходимо прогревать полученные при электролизе осадки при 400° в течение полутора часов в атмосфере водорода [НО]. [c.257]

Разность потенциалов возникает в результате воздействия магнитного поля на движение электронов при направлении тока г вдоль оси у электроны под воздействием магнитного поля отклоняются вверх и заряжают отрицательно верхнюю плоскость пластинки относительно нижней. Если вместо пропускания тока / переднюю поверхность кристаллической пластинки, например из сурьмянистого индия (1п5Ь), облучить ИК-излучением, то в поверхностном слое образуются электроны и свободные дырки, которые начнут диффундировать внутрь кристалла. Под воздействием магнитного поля электроны и дырки начнут отклоняться в противоположные стороны электроны вверх, а дырки вниз. Между поверхностями а и б возникает фотомагнитная э. д. с. [c.129]

Но потребности практики опережают реальные возмол<ностн полупроводникового материаловедения. Нужны все новые и новые вещества с качественно новыми сочетаниями свойств. Именно эти - материалы способны послужить основой принципиально новых приборов, как в свое время новые приборы были сделаны на основе германия, а затем, через несколько лет, на основе сурьмянистого индия. Поэтому сейчас во всем мире быстрыми темпами идут дальнейшие поиски новых полупроводниковых материалов. [c.8]

В работе [399] был более детально исследован интервал концентраций вблизи сурьмянистого индия. Авторы также заметили, что при содержании 1пгТеа более чем 15 мол. %, на дебае- [c.166]

Мы полагаем, что аналогичное расщепление должно быть и во многих других случаях. В частности, основное состояние примесных атомов золота, серебра и меди в сурьмянистом индии, по нашим оценкам, должно быть расщеплено на величину того же порядка. Косвенным доказательством этого является, вероятно, различие значений энергии ионизации этого состояния Ли, Ag и Си в InSb, полученных из измерений эффекта Холла и примесной фотопроводимости [2]. [c.30]

Произведены оценки расщепления основного состояния двойных акцепторов в полупроводниках (подобного расщеплению основного состояния атома гелия). Результат оценки по порядку величины согласуется с наблюдаемым расщеплением двухдырочного уровня ртути в германии. Предсказано аналогичное расщепление уровней Аи, Ag и Си в сурьмянистом индии. [c.350]

Антимонид индия. Из соединений класса А В антимонид (сурьмянистый) индия изучен подробнее других. Это особенно касается электрофизических свойств этого вещества. Во-первых, InSb легко синтезируется из элементов и хорошо очищается методом зонной плавки. Во-вторых, ой обладает рекордной величиной подвижности электронов, достигающей при комнатной температуре 100 ООО смУв-сек. [c.134]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология