Механизм условий приготовления кристалл

Диффузия атомов в кристалле непосредственно связана с присутствием в кристалле точечных дефектов. Но в соединениях, допускающих отклонения от стехиометрии, концентрация дефектов зависит от состава (присутствия примесей) и от условий приготовления кристалла. Поэтому скорость диффузии и механизм диффузии должны зависеть от тех же факторов. [c.374]

Обмен ионами галогена (Вг- или I ) между раствором галоге-нида натрия и осадком галогенида свинца является типичным примером гетерогенного изотопного обмена. Быстрый обмен в системе раствор галогенида — свежеосажденный галогенид свинца показывает, что из возможных путей изотопного обмена — через диффузию ионов из раствора в кристалл и через перекристаллизацию осадка — определяющим является более быстрый механизм перекристаллизации. Как и при других процессах, происходящих на границе раздела фаз (жидкость — твердое вещество), па скорость изотопного обмена при прочих равных условиях большое влияние оказывают способ приготовления осадка и величина его поверхности (по мере старения осадка и, следовательно, уменьшения его поверхности за счет перекристаллизации обмен замедляется). Ход обмена характеризуется величиной степени обмена, которая для данного момента времени может быть вычислена по уравнению [c.272]

На основании приведенной выше классификации механизмов внедрения, казалось бы, можно сделать вывод о том, что для данной примеси в данной основной решетке тип образующегося твердого раствора является всегда определенным. Однако это не так. Как первоначально было показано, для сульфида кадмия [11, 12], содержащего примесь Ga, In, l или Ag, механизм внедрения может изменяться в зависимости от условий приготовления. Так, в системе dS + Ga в сульфирующих условиях внедрение атомов примеси сопровождается образованием вакансий, тогда как в восстановительных условиях наблюдается внедрение по механизму контролируемых электронных дефектов. Позже подобное явление было обнаружено для PbS [13], РЬТе [14] и dTe [15]. Такое изменение механизма внедрения легко объяснимо [16]. В разделе XI.2.3 уже говорилось, что механизм внедрения атомов примеси в кристалл простого вещества зависит от того, являются ли они однократными или многократными донорами или акцепторами, а также от типа собственных заряженных дефектов, определяющих условие нейтральности для чистого основного кристалла. Это положение выполняется и в случае соединения. Однако здесь имеется существенное отличие. В простом твердом веи естве тип преобладающих заряженных собственных дефектов обычно является вполне [c.423]

Другие исследователи пришли к тем же выводам. Апплебей [17], обсуждая механизм, которьш окиси, в особенности окись алюминия, повышают ак тивность железных катализаторов при синтезе аммиака, указывает, что хотя одно железо и является активным катализатором, оно быстро теряет свою активность добавление промотора препятствует этому падению активности. Катализатор, приготовленный из Ре О , активнее катализатора, полученного из РбзОз. Применение окиси алюминия, как промотора, связано с изоморфизмом закись-окиси железа и Ре(АЮ2)г, последняя главным образом создает условия для промотирования, именно создает барьеры из окиси алюминия, которые препятствуют росту кристаллов или коалесценции активных центров железа. [c.370]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология