Равновесие вблизи дислокаций

Усовершенствование внутренней структуры кристалла скажется прежде всего на поведении той примеси, которая преимущественно скапливается вблизи дислокаций и на межблочных границах [60]. Такая примесь, мигрируя в объеме кристалла, попадает на вновь формируемые дислокации или межблочные границы и накапливается там, а содержание ее в кристаллической матрице пополняется в результате дополнительного перехода примеси из среды [61]. Сегрегация примеси на дислокациях и межблочных границах облегчается при интенсивных соударениях кристаллов. Соударения обеспечивают быстрый доступ примеси к любому блоку кристалла, так что квазиравновесная сегрегация примеси наблюдается при длительности созревания на много меньшей, чем период достижения равновесия в неподвижных суспензиях [51]. [c.26]

Равновесие дефектов в поверхностных слоях и вблизи дислокаций [c.555]

Нас будут интересовать малые колебания атомов (вблизи их новых положений равновесия в присутствии дислокации), поэтому в нулевом приближении ось дислокации можно считать фиксированной. Предположим, что дислокация прямолинейна и ее ось перпендикулярна плоскости симметрии кристалла. Направим ось г вдоль линии дислокации и обозначим через двухмерный радиус-вектор в плоскости хОу г = (I, г), = х, у). [c.236]

Аналогичное нарушение равновесия дефектов можно ожидать в кристаллах с преобладанием атомных дефектов. Например, если в кристалле AgBr ион Agi образуется легче, чем вакансия Vig, то положительный пространственный заряд, обусловленный избыточными ионами Agi, будет компенсировать отрицательный заряд, обусловленный вакансиями VAg (т. е. избытком Вг ) вблизи дислокаций [42, 32]. [c.563]

Для обсуждения этого вопроса нужно получить выражение для толщины и длины упругого двойника. Ясно, что замкнутые формулы для этих величин могут быть получены только в некоторых простейших случаях. Один из таких случаев Представляет плоский двойник, образованный винтовыми дислокациями вблизи поверхности изотропного тела, для которогр уравнение равновесия можно записать в виде [83] [c.63]

Любопытно заметить, что такое же уравнение определяет равновесие Двойника, созданйбго в неограниченном кристалле дислокациями, источник которых наудится в интервале (-До> До) вблизи начала координат. Для этого доста10чно считать, что внешняч нагрузка есть четная функция х, а рождающиеся две дислокации противоположных знаков одновременно появляются в точках х = До [c.63]

Экспериментальное исследование поведения системы валов, заключенной между двумя структурными границами, выполнили Пощо и Крокет [158, 242]. Эксперимент проводился с силиконовым маслом, имеющим Р = 70, при контролируемых начальных условиях. Изначально индуцированные ж-валы заполняли резервуар не полностью, и вблизи боковых стенок, параллельных этим валам, благодаря поперечно-валиковой неустойчивости возникали системы коротких у-валов, отделенные от основной системы структурными границами (см. разд. 4.2). При каждом R течению давали установиться, а изменение R делалось небольшими шагами. Изучение последовательности равновесных состояний дало четкую однозначную (безгистерезисную) зависимость волнового числа каь основного набора валов от R ( бабочки на рис. 39). Как видно из рис. 39, это волновое число в большей части диапазона R имеет систематическое, хотя и небольшое, отклонение от значения f zz- В то же самое время kgb практически совпадает с волновым числом f d (квадраты и кружки с точками внутри), при котором (согласно тем же работам [158, 242]) дислокации находятся в равновесии (см. п. 6.5.3). [c.145]

Случаи, когда катион движется наружу. Когда пленка растет благодаря движению через нее катионов, занимаюш,их положение на наружной поверхности, то преобладают различные факторы. Кроме напряжений, возникаю-ш,их (по соображениям, рассмотренным выше) в тончайших пленках, веш,е-ство пленки должно быть почти свободным от напряжений, и причины разрушения, упомянутые выше, йе будут действовать. Но катионы, движу-ш,иеся через металл, оставляют вакансии у основания пленки, и, хотя некоторые из них могут быть адсорбированы дислокациями, другие соединятся вместе, образуя полости, и рано или поздно они будут местами свободно соприкасаться с металлом. Такая слабая опора пленки, вероятно, является причиной разрушения там, где металл подвергся некоторой поверхностной обработке, которая оставила сложную систему внутренних напряжений, отчасти растягивающих и отчасти сжимающих, находящихся в равновесии (см. стр. 105), В том месте, где градиент напряжения высок, переход металла в пленку будет нарушать это равновесие, и если к пленке, где она очень тонка и не имеет опоры, будет приложено очень маленькое результирующее напряжение, то она вероятно сломается. Предположим, например (фиг. 27, стр. 105), что металл до окисления был растянут вблизи поверхности и сжат ниже. После образования пленки растянутый слой частично исчезает, замещаясь пустотой. Очевидно, металл теперь преимущественно сжат, и в своем стремлении расшириться он будет растягивать неподдерживаемую пленку, которая разорвется. Образуется новая пленка, которая разорвется в свою очередь, если остаются достаточные внутренние напряжения. Надо ожидать, что этот процесс залечивания трещин будет продолжаться до тех пор, пока внутренние напряжения не исчерпаются в достаточной мере. Экспериментальные доказательства для залечивания трещин приведены на стр. 165. [c.782]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология