Алюминий, окись влияние облучения

Б. Л. Цетлин, Химическая природа минеральной подложки оказывает решающее влияние на рассматриваемый процесс. С хорошим выходом идет полимеризация на таких окислах металлов, как окись магния, окись бериллия, окись алюминия, на различных силикатах, на кислородсодержащих солях, например карбонатах. В то же время полимеризация практически вовсе не инициируется при облучении, например, окиси цинка, обладающей резко выраженными полупроводниковыми свойствами, или при облучении хлористого натрия, содержащего в своей решетке анион СГ, превращающийся в результате выбивания электрона в нейтральный атом, не удерживающийся в кристаллической решетке. [c.137]

Так как обычно окись тория растворяется в азотной кислоте в присутствии фтористоводородной кислоты, то было изучено влияние ионов фтора на сорбцию протактиния. На рис. 2 приведены данные по сорбции Ра из 6 М азотной кислоты в зависимости от концентрации НР. При концентрации фтористоводородной кислоты —- 0,002 М сорбция протактиния уменьшается до 50%. Для подавления мешающего влияния фторид-ионов в раствор добавляли нитрат алюминия. Было найдено, что при соотношении А1 Г = 7 фторид-ионы не мешают сорбции Ра (рис. 3, кривая 1). Торий также связывает ионы фтора. На рис. 3 (кривая 2) представлены данные по сорбции протактиния из раствора 0,1 М по НГ и 6 Ж по НКОд в зависимости от концентрации тория в растворе. В опытах по выделению Ра из облученного тория концентрация тория в растворе составляла 0,1 — [c.371]

Поскольку состояние поверхности и природа дефектов решетки влияют на адсорбционные и каталитические процессы, естественно ожидать влияния облучения на катализ. В особой степени оно до.пжно сказаться на активности полупроводников, так как именно для них весьма существенны электронные переходы, усиливающиеся при облучении. Тейлор и Кон (США) подвергали действию у-лучей окись алюминия, а затем изучали ее каталитическую активность но отношению к наиболее простой реакции изотопного обмена водорода. Известны три изотопа водорода, два из которых стабильны (водород и дейтерий), а третий (тритий) радиоактивен. При пропускании смеси [c.103]

Возникновение и влияние дефектов решетки в случае изоляторов, и в частности пористых веществ (силикагель, окись алюминия), которые мы использовали в опытах, в принципе очень сходны с этими явлениями для полупроводников. В изоляторах присутствует очень малое число свободных носителей тока, и поэтому относительно малые дозы энергии способны заметно изменять их свойства. Однако ширина запрещенной зоны между валентной зоной и зоной проводимости очень велика, и явления становятся более сложными. Дефекты решетки, созданные искусственным путем под действием облучения, вероятно, играют большую роль как в явлениях захвата, так и в рекомбинации носителей тока. Ниже этот вопрос будет рассмотрен более подробно. Резюмируя, можно сказать, что образование дефектов соответствует возникновению новых примесных уровней в облученном твердом теле. Их продолжительность жизни в общем случае довольно велика и может даже иметь квазипостоянный характер при комнатной температуре. [c.218]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология