Диэлектрическая толщина мембраны

Заметим, что последний член в (9.41) формально расходится при х- 0, что связано с рассмотрением мембран как бесконечно толстых. Последнее справедливо, как следует из [455], лишь при х>2(ет/ео/гб). Здесь 6 = 5 нм —толщина мембраны и бт = 2-ее диэлектрическая проницаемость. Фактически это [c.164]

Как показали опыты, только вторая вспышка дает медленную электрогенную стадию. Это означает справедливость второго варианта, предполагающего перенос Н+ из воды к месту локализации Qв внутри комплекса реакционных центров. Допустив постоянство диэлектрических свойств гидрофобного барьера мембраны по всей ее толщине, можно оценить, какую часть этого барьера проходит Н+. Так как медленная стадия составляет 5% от всего электрического ответа, обусловленного трансмембранным переносом зарядов, можно было бы принять, что протон переносится на 1/20 часть толщины мембраны. Дальнейшее исследование, однако, показало, что реальная ситуация не столь проста. [c.57]

Мембраны имеют поры различного размера, в том числе ив крупные d>2U+iv. , а связанная вода, хоть и в малых количествах, но все же растворяет неорганические соли. Поэтому селективность мембран тем выше, чем больше толщина слоя связанной воды и чем больше гидратирующая способность иона, определяемая энергией или теплотой гидратации. При переходе иона из раствора в связанную воду его вторичная гид-ратная оболочка перестраивается вследствие пониженной диэлектрической проницаемости связанной воды первичная гид-ратная оболочка при этом практически не меняется. [c.114]

Вопрос влияния электрического тока на состояние структуры плотной части ДЭС является еще менее проработанным. В монографиях [139-141] значительное внимание уделяется структуре межфазной границы, природе и роли поверхностных сил, а также анализу поверхностных явлений. Обсуждаются, в частности, дисперсионные силы, определяющие поведение молекул в межфазных областях, и электрические силы, действующие в этих областях на ионы. Изменение структуры, вязкости и плотности воды, а также диэлектрической проницаемости происходит в тонких граничных слоях толщиной порядка 1 нм. Скачок потенциала в такой области, являющейся аналогом плотного слоя Гельмгольца в ДЭС на границе металл/раствор, может зависеть не только от характера распределения фиксированных ионов, но и от ориентации молекул полярного растворителя (воды) [141]. Особым является случай перекрывания поверхностных сил в тонких порах мембраны. Возникновение расклинивающего давления, выталкивание молекул растворенного вещества (появление "нерастворяющего объема" [139]) и другие эффекты, проявляющиеся в [c.134]

Как видно из рис. 11.7, суммарный продольный ток через сечение аксона и окружающую среду равен нулю — в любом месте внутренние токи равны по силе и противоположны по направлению наружным. Но плотность продольного тока и продольная разность потенциалов между двумя точками внутри аксона отличны от таковых снаружи. Мембрана аксона имеет сопротивление 1000 Ом см , емкость 1 мкФ/см что соответствует бимолекулярному липидному слою толщиной в 5 нм с диэлектрической проницаемостью е = 5 и удельныл сопротивлением 2 10 Ом см. Во время генерации импульса проводимость мембраны увеличивается примерно в 10 раз. Можно моделировать электрические свойства мембраны эквивалентной схемой, показанной на рис. 11.9. Рисунок изображает лишь один элемент мембраны, и следует представить себе длинную линейную последовательность таких элементов, образующих непрерывный кабель. Сопротивление Я характеризует аксоплазму, наружный раствор имеется в большом избытке и изображается проводником без сопротивления. Натриевая и калиевая батареи и Гк определяют генерацию импульса, добавочная батарея г изображает движение других ионов, не изменяющееся при возбуждении. [c.366]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология