Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Маскирование посторонних ионов

    Маскирование посторонних ионов [c.147]

    Примеры применения маскирующих реактивов для маскирования посторонних ионов при фотометрических определениях металлов [c.150]

    Однако для успешного проведения маскирования постороннего иона М необходим строго количественный подход к выбору избыточной концентрации тометрического и маскирующих реагентов. В самом деле, концентрации маскирующего реагента Ь и фотометрического реагента К должны быть такими, чтобы определяемый ион М был бы связан в светопоглощающий комплекс практически полностью, в то время как мешающий ион М практически не должен связываться в комплекс с фотометрическим реагентом К. Если [c.83]


    Повысить чувствительность реакции можно, применяя химически чистые реактивы, свободные от каких-либо посторонних примесей, мешающих данной реакции, а также предварительным отделением или маскированием посторонних ионов, мешающих реакции. Применяют также выпаривание растворов (для повышения концентрации) предварительное осаждение в виде малорастворимого соединения и последующее растворение его в подходящем растворителе хроматографические методы анализа (см. гл. X, 5, стр. 409) экстрагирование соединений органическими растворителями (см. гл. X, 6, стр. 414), соосаждение (см. гл. X, 7, стр. 416), дистилляцию (см. гл. X, 8, стр. 417) [c.64]

    Чувствительность реакции изменяется в присутствии посторонних веществ. Поэтому предварительное отделение или маскирование посторонних ионов повышает чувствительность реакции. [c.57]

    Повысить чувствительность реакции можно, применяя химически чистые реактивы, свободные от каких-либо посторонних примесей, мешающих данной реакции, а также предварительным отделением или маскированием посторонних ионов, мешающих реакции. [c.167]

    Комплексы с другими неорганическими лигандами. Устойчивые цианидные комплексы образуются с ионами меди, кадмия, цинка, железа(П1) и железа (II), кобальта, никеля и др. Однако в связи с большой ядовитостью цианид мало применяют в анализе. Его использование в анализе ограничивается маскированием посторонних ионов при определени некоторых ионов другими методами, хотя в принципе возможно использование цианида в качестве титранта. [c.268]

    Наибольшие затруднения и ошибки в фотометрическом анализе связаны с тем, что применяемый реактив часто образует окрашенные соединения также с другими ионами. Известно, что специфических реактивов практически не существует, тем не мг-нее о бычно можно создать более или менее специфические условия реакции. Основой для создания специфических условии реакции являются следующие три приема . а) ограничение концентрации свободных ионов реактива — чаще всего путем регулирования pH раствора б) озязывание — маскирование посторонних ионов в другие, по возможности бесцветные комплексы  [c.144]

    Повысить чувствительность реакции можно, применяя химически чистые реактивы, свободные от каких-либо посторонних примесей, мешающих данной реакции, а также предварительным отделением или маскированием посторонних ионов, мешающих реакции. Применяют также выпаривание растворов (для повышения концентрации) предварительное осаждение в виде малораствори- [c.63]


    Избирательность каталиметрии можно повысить путем применения маскирующих реагентов, связывающих мешающие ионы в каталитически неактивные комплексы. Некоторые примеры маскирования посторонних ионов приведены в табл. 5. Чаще всего необходимо маскиро- [c.28]

    Оптимальные условия 0,5 мл минерализата, маскирование посторонних ионов 0,25 мл насыщенного раствора тиомочевины илн тиосульфата pH 4,5—5,0 при использовании n качестве экстрагента ССЦ pH 5,0—5,5 при использовании H I3. [c.88]


Смотреть страницы где упоминается термин Маскирование посторонних ионов: [c.324]   
Смотреть главы в:

Фотометрический анализ -> Маскирование посторонних ионов




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Маскирование

Маскирование ионов

Маскирование посторонних ионо

Маскирование посторонних ионо влияние

Маскирование посторонних ионо при экстракции дитизоном

Посторонние ионы маскирование



© 2025 chem21.info Реклама на сайте