Поверхность несингулярная

Мелкие, несингулярные минимумы. Типичным примером является поверхность пинакоида. Еще в ранних опытах по выращиванию кварца было обнаружено, что небольшие отклонения (до 10—20°, в зависимости от направления перекоса) поверхности затравки от плоскости пинакоида существенно не изменяют ни морфологии поверхности грани, ни ее скорости роста. Нами были поставлены специальные опыты по наращиванию кварца на затравках пинакоида и на пластинах, отклоненных (в направлениях осей хну) на углы 2, 3, 4 и 5°. Было установлено, что скорости роста в этих направлениях практически совпадают со скоростью роста пинакоида (измерения толщины наросшего слоя производились под микроскопом). [c.155]

Таким образом, было показано, что полярная диаграмма в близкой окрестности направления [0001] представлена участком сферы (т. е. участком поверхности с положительной кривизной), расположенной внутри мелкого несингулярного минимума. Такое локальное строение полярной диаграммы объясняет следующие особенности роста базисной поверхности [c.155]

С описанных позиций сингулярными являются грани, на которых вероятность закрепления частицы очень мала. Поверхности, имеющие высокую плотность потенциальных ям, соответствующих изломам, относятся к несингулярным. Заметим, что такие поверхности возникают при растворении, раскалывании, шлифовке кристалла. [c.28]

Поскольку на несингулярных поверхностях присутствует очень большое число мест приложения, то частицы к несингулярной поверхности могут присоединяться практически повсеместно, и в этих случаях происходит макроскопическое перемещение поверхности почти параллельно самой себе. Такой механизм роста носит название нормального. Он проявляется в начальном периоде роста растворенных или обколотых кристаллов, но уже через короткое время после погружения кристалла в пересыщенный раствор, измеряемое в зависимости от скорости роста секундами или [c.28]

Поскольку плотность точек роста на шероховатой поверхности является предельно возможной и постоянной (вся поверхность реакционноспособна), то для несингулярной поверхности скорость роста линейно возрастает с увеличением пересыщения (рис. 1-13). [c.29]

В качестве примера диффузионно-лимитируемого процесса можно привести рост несингулярных поверхностей и растворение кристаллов (по крайней мере в большинстве случаев). [c.40]

Трехмерный график зависимости у в полярных координатах даст острые минимумы для тех направлений, которые соответствуют поверхностям, упорядоченным при данной температуре. Такие поверхности были названы сингулярными. Поверхности, для которых на графике поверхностного натяжения образуются пологие минимумы, были названы несингулярными [211. На рис. 10 показано сечение типичного трехмерного графика зависимости у в полярных координатах [35 ] с острыми минимумами рисунок иллюстрирует также схему Вульфа. Для острых минимумов схема Вульфа дает гладкие грани, для пологих минимумов — искривленные поверхности. При низких температурах пологие минимумы превращаются в острые пики, а искривленные поверхности — в ровные плоскости. [c.373]

Все прочие ориентации относятся к несингулярным поверхностям. [c.425]

Кабрера (1949 г.) и другие предложили подразделять идеализированные поверхности на три типа сингулярные вициналь-ные и диффузионные, или несингулярные [4]. Сингулярные поверхности раздела фаз отличаются от диффузионных количеством атомных (молекулярных) слоев, параллельных поверхности кристалла, в которые осуществляется переход от кристалла к пару. Если поверхность сингулярна, переход осуществляется в одном (незначительно утолщенном — рис. 183, а) слое, если несингулярна — в нескольких слоях. Вицинальные поверхности (рис. 183, б) имеют ступенчатую структуру, в которой довольно широкие участки плоскости с малыми индексами отдалены друг от друга моноатомными (мономолекулярными) подъемами, ступеньками. [c.444]

Точка 1 соответствует сингулярной грани А] интервал /—2 — вициналь-ные поверхности интервал 2—2 — несингулярные поверхности (граница между вицинальными и несингулярными поверхностями условна). Внутренний контур со штриховкой — равновесная форма кристалла. [c.11]

Поверхности, соответствующие участкам полярной диаграммы вблизи острых минимумов, где поверхностная энергия сильно зависит от ориентации грани, выделяют в особый тип — вициналь-ных поверхностей. Они состоят из широких атомно-гладких террас, разделенных ступенями. Чем меньше расстояние между ступенями, тем круче наклонены вицинальные поверхности к соответствующей гладкой грани. Если расстояние между ступенями становится соизмеримым с их высотой, вицинальная поверхность переходит в несингулярную, шероховатую. [c.12]

При росте из растворов появление несингулярных поверхностей на кристаллах не характерно и случается редко, при особых условиях эксперимента [Овруцкий А. М., Подолинский В. В., 1975]. Также не характерно и появление в огранке строго сингулярных граней. [c.12]

Формирование алмазного габитуса зависит от концентрации свободных радикалов на поверхности алмаза. Последняя минимальная для атомночистых сингулярных граней 100), 110 и 111 , атомы которых с точностью до сверхструктурных эффектов второго порядка принадлежат одной геометрической плоскости. Повышенными значениями N, характеризуются квазисиигуляриыс грани переменных форм роста (2 0), (21 ), (221), (321), поверхностная структура которых образована атомами, не принадлежащими одной геометрической плоскости. Несингулярные грани в отличие от квазисингулярных имеют развитую субструктуру, образованную атомными ступенями либо их изломами. Последняя наблюдается в кривогранных [c.52]

Иной подход к анализу этой проблемы состоит, как отметили Кабрера и Кольман [13], в классификации поверхностей на основе графика зависимости свободной поверхностной энергии у(0) от ориентации грани этот подход детально обсуждается ниже. Поверхности подразделяются на три типа сингулярные, вицинальные и несингулярные (или диффузные). [c.425]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология