Галогены, определение

Более широкий круг микроэлементов, включающий Ма, Са, А1, V, N1, Мп, Аз и галогены, определен в продуктах заводской перегонки венесуэльской нефти (табл. 2.28) [86]. Найдено, что при обессоливании путем подщелачивания раствором НаОН, водной отмывки и обезвоживания из сырой нефти удаляются более половины атомов Ма и С1 и 30—40% остальных микро-. элементов, за исключением ванадия, концентрация которого не меняется. Ыа, Мп, С1 и Вг были обнаружены во всех полученных дистиллятах, в том числе и в легком бензине. А1, Аз и I появлялись в дистиллятах, начиная с фракции легкого, а V — тяжелого дизельного топлива. Измеримые количества N1 и Са найдены лишь в гудроне. Последний характеризовался наибольшими концентрациями всех определявшихся микроэлементов, однако резкое (на порядок и более) повышение концентрации в гудроне по сравнению с тяжелым вакуумным газойлем выявлено лишь для Ма, Са, А1, V, N1 и С1 остальные микроэлементы более равномерно размывались по высококипящим и остаточным фракциям нефти. [c.209]

При анализе концентрированных растворов алюминийорганических соединений навеску после разложения и удаления бензола (см. стр. 187) количественно переносят в мерную колбу емкостью 100 мл и отбирают аликвотную часть раствора для определения алюминия и галогена. Определение проводят как указано выше. [c.188]

Несмотря на указанные сложности, галогениды щелочных металлов относятся к системам, для которых выполняется неравенство> УСь В кристалле, который находится в равновесии с паром металла, концентрация избыточных атомов металла пропорциональна парциальному давлению рм- Это указывает на образование одиночных неионизированных вакансий галогена (наблюдаемых как F-центры) [25—26] при вхождении избытка металла в твердую фазу (рис. ХП1.6, а, область I). Нейтральность дефектов связана с большой энергией ионизации. Фактически наблюдаемое расстояние F-уровня (или Vx-уровня) до зоны проводимости составляет приблизительно 1,5 эв. В то же время отсутствие ассоциатов не вызывает удивления, поскольку связано с незначительной энергией ассоциации, которая ожидается для вакансий галогена. Однако при отжиге в паре галогена кристаллы ведут себя по-другому в области — IQi концентрация избыточных атомов галогена, определенная по оптическому поглощению (V2-пoлo e), пропорциональна парциальному давлению галогена, присутствующего в паре в виде двухатомных молекул 127]. Следовало бы ожидать, что при введении лишних атомов галогена концентрация дефектов окажется пропорциональной рх, если образуются однократно ионизированные вакансии металла, и рх если возникают нейтральные одиночные дефекты. [c.387]

Для многих каучуков характерным является наличие реакцион- носпособных групп в главной или боковых цепях. Помимо таких групп, как нитрильная, галогены, определение которых описано в предыдущем разделе, наиболее важно определение содержания групп с ненасыщенными связями, гидроксильных, карбоксильных и функциональных групп силоксановых каучуков. [c.80]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология