Ассоциация дефектов нейтральных

Такой вид ассоциации занимает как бы промежуточное положение между ассоциацией двух нейтральных и противоположно заряженных дефектов. Замечено, что он влияет на скорость диффузии ионов лития (это еще один пример влияния ассоциации дефектов на скорость диффузии), так как подвижный ион лития при ассоциации с кислородом перестает участвовать в диффузии. Как и в предыдущем случае [см. (6.12) и (7.23)], эффективный коэффициент диффузии иона лития равен [c.136]

Например, для СигО (zi = 1, 22 = 2) расчет приводит к показателю степени Vs при давлении. Из измерений проводимости получают V [19], а из измерений коэффициента самодиффузии только 0,2—0,27. Этот коэффициент пропорционален полной концентрации вакансий — как нейтральных, так и диссоциированных.. Если существует прочная ассоциация вакансий с ды4)ками, то< можно пренебречь концентрацией свободных вакансий, и закон действующих масс дает зависимость типа Pot- Отсюда видно, какое значение имеет проблема ассоциации дефектов — вакансий и-межузельных ионов — с электронами и дырками. [c.313]

Рассмотрим германий, содержащий отрицательно заряженные атомы акцептора (А = В, А1, Оа, 1п), располагающиеся в узлах решетки, и положительно заряженные междоузельные атомы донора (Ы . По Рейсу и др. эти дефекты ассоциируют с образованием нейтральных пар [8]. Процесс ассоциации можно записать в виде реакции [c.202]

IX.2.4. Ассоциация нейтральных дефектов образование пар [c.212]

Следовательно, ассоциация нейтральных дефектов возможна, поскольку энергия связи в этом случае даже больше, чем при взаимодействии заряженных дефектов. Хотя данный пример и показывает, что нейтральные дефекты [c.213]

Ассоциация нейтральных дефектов, приводящая к большим, но все же хоро-ию идентифицируемым молекулярным образованиям, обнаружена для кислорода в кремнии 192] и германии [93]. Заключение о типе образующейся молекулы делается в этих случаях на основании изучения зависимости концентрации ассоциата (измеряемой по его донорной активности) от концентрации свободного кислорода (предположительно атомов кислорода в междоузлиях, изучаемых по их инфракрасному поглощению). Если процесс образования ассоциата написать в виде реакции [c.221]

Взаимное влияние собственных и примесных дефектов путем образования ассоциатов и в связи с изменением условия нейтральности часто наблюдается одновременно. Однако для простоты рассмотрим сначала гипотетический случай ассоциации, когда предполагается, что все дефекты электронейтральны и поэтому взаимодействие по второму типу невозможно. Рассмотрим кристалл простого вещества, состоящий из атомов М и содержащий вакансии Ум- Пусть этот кристалл находится в равновесии с паром, в котором имеются атомы примеси Р, причем парциальное давление примеси равно рр. Примесные атомы размещаются в узлах решетки кристалла. [c.253]

Ассоциация нейтральных дефектов. Образование кластеров 269 [c.269]

Х1.4. АССОЦИАЦИЯ НЕЙТРАЛЬНЫХ ДЕФЕКТОВ. [c.269]

Усиление эффекта за счет ассоциации противоположно заряженных центров возможно в тех случаях, когда компенсация заряда вызывает увеличение растворимости в результате взаимодействия простых центров. При повышенных концентрациях дефектов это будет происходить всегда. При наличии нейтральных простых центров, концентрации которых не входят в уравнение нейтральности, ассоциация является единственным процессом, который может привести к увеличению растворимости обеих примесей. [c.518]

Таким же образом, как это было сделано выше, можно рассмотреть ассоциацию дефектов, имеющих заряды zq z больше единицы. Энергия связи в этом случае увеличивается в ZiZ2 раз. Кроме того, возможно образование более сложных ассоциатов. При наличии одного типа дефектов с двойным отрицательным зарядом и дефектов другого типа с одинарным положительным зарядом могут возникать как однократно заряженные пары, так и нейтральные триплеты. В разд. XI 1.2.5 рассмотрен пример такого рода — исследованная Морином, Рейсом и Фуллером ассоциация цинка и лития в германии. Уже здесь можно отметить, что образование триплетов также может быть объяснено простым кулоновским взаимодействием с 1, т. е., как и в рассмотренных выше случаях образования пар, изменение колебательной энтропии пренебрежимо мало. [c.207]

Согласно данным значениям, число переноса для Ре " в РеО составляет примерно 2-10 . Поэтому большая часть тока в Ре . -О переносится электронами. Этот подход справедлив, если считать, что эффекты ассоциации и взаимодействия незначительны. Однако это допущение неправильно, по крайней мере, для вюститов со значительным дефицитом ионов железа, как будет показано в следующем разделе, так как коалесценция дефектов приводит к образованию магнетитоподобных (Ред04) скоплений (см. главу третью, раздел II, А). Если эти скопления подвижны в любой степени, их движение будет способствовать увеличению коэффициента самодиффузии, но не электрической проводимости, так как скопления электрически нейтральны. А если все это так, то уравнение Нернста — Эйнштейна неприменимо. Тем не менее необходимо отметить, что расчеты по уравнению Нернста — Эйнштейна дают приемлемые значения чисел переноса для ионов Ре " в вюстите, если считать, что механизм и диффузии, и ионной проводимости в этом окисле действительно один и тот же, т. е. они вызваны миграцией вакансий, которые в действительности заряжены отрицательно. Можно отметить, что если принять во внимание эффекты ассоциации, то число переноса для ионов Ре должно быть меньше, чем значение, приведенное выше. [c.271]

Далее, из уравнения (У.15) можно сделать вывод, что с ростом концентрации дефектов увеличивается степень их ассоциации. Это было показано на примере 2п5-Оа-фосфора, в котором имеют место процессы, аналогичные изображенным уравнениями (У.16) и (У.17). Более высокая растворимость в сульфиде цинка ОагЗз, по сравнению с 2пС1г, позволяет проследить за увеличением степени протекания реакции типа (У.17). Сравнение результатов расчета с измерениями зависимости спектров излучения 2п5-Оа-люминофо-ра от концентрации активатора (рис. 67) приводит к выводу, что длинноволновая (оранжевая) полоса, доля которой в спектре возрастает по мере увеличения концентрации галлия, связана с нейтральным тройным ассоциатом Угп Сагп)2 [60]. Аналогичный эффект имеет место и у люминофоров, активированных серебром и [c.149]

Возникновением химической связи может быть обусловлено и взаимодействие нейтральных вакансий. Например, ассоциация двух f-центров с образованием дефекта (УнаОг, обозначаемого символом М, трактуется как результат спаривания принадлежащих этим центрам электронов или как образование квазимолекул типа N32 [16]. [c.162]

Интересно отметить, что как нейтральные, так и ионизированные дефекты можно представить в виде ассоциатов и в том случае, когда используются понятия электрон и дырка . При употреблении нашей атомной системы обозначения вакансия иона меди (т. е. ион отсутствует) записывается как Уси- Сходным образом, ион Си в узле, обычно занимаемом Си" , обозначается как Си и это эквивалентно И. Следовательно, ассоциация в смысле, употребляемом Дюнвальдом и Вагнером, изображается реакцией [c.156]

Однако во многих случаях образование пар между нейтральными дефек-1 алш может играть важную роль при этом в общем появление ассоциатов обусловлено возникновением химической связи между дефектами. В качестве примера рассмотрим ассоциацию одинаковых дефектов, возникающую нри избытке в соединении одного из компонентов. Как будет показано несколько 1юзднее, избыток компонента А в соединении АВ может создавать нейтральные вакансии Vb, а избыток компонента В — нейтральные вакансии Va- Такие дефекты могут ассоциировать по схеме [c.213]

ОНИ имеют заряды одинакоЕюго знака. В связи с этим ассоциация осуществляется только через имеющиеся в небольшом количестве нейтральные дефекты. Процессы описываются уравнениями [c.220]

Этот случай является промежуточным между образованием пар противоположно заряженных дефектов (разд. IX.2.1) и образованием пар при ассоциации нейтральных дефектов. Так как энергии ионизации двух участвующих в ассоциации доноров очень малы, то энергия образования пар имеет величину того же порядка, как и для нейтральных частиц. Пелл нашел, что [c.221]

Несмотря на указанные сложности, галогениды щелочных металлов относятся к системам, для которых выполняется неравенство> УСь В кристалле, который находится в равновесии с паром металла, концентрация избыточных атомов металла пропорциональна парциальному давлению рм- Это указывает на образование одиночных неионизированных вакансий галогена (наблюдаемых как F-центры) [25—26] при вхождении избытка металла в твердую фазу (рис. ХП1.6, а, область I). Нейтральность дефектов связана с большой энергией ионизации. Фактически наблюдаемое расстояние F-уровня (или Vx-уровня) до зоны проводимости составляет приблизительно 1,5 эв. В то же время отсутствие ассоциатов не вызывает удивления, поскольку связано с незначительной энергией ассоциации, которая ожидается для вакансий галогена. Однако при отжиге в паре галогена кристаллы ведут себя по-другому в области — IQi концентрация избыточных атомов галогена, определенная по оптическому поглощению (V2-пoлo e), пропорциональна парциальному давлению галогена, присутствующего в паре в виде двухатомных молекул 127]. Следовало бы ожидать, что при введении лишних атомов галогена концентрация дефектов окажется пропорциональной рх, если образуются однократно ионизированные вакансии металла, и рх если возникают нейтральные одиночные дефекты. [c.387]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология