Симметрия индексы Миллера

Вид получаемой дифракционной картины зависит от ориентации кристалла относительно электронного пучка. В частном случае, когда направление пучка совпадает с направлением в кристалле с целыми индексами Миллера к, к, I (в просвечивающих электронных микроскопах предусматривается возможность ориентации образца путем вращения его по двум перпендикулярным осям на угол, как правило, порядка 30°), микродифрактограмма будет иметь вид центросимметричной сетки дифракционных пятен. В принципе, имея набор таких сечений обратной решетки кристалла, можно установить класс его дифракционной симметрии. Однако чаще исследователь имеет альтернативные модели структур изучаемого кристалла между которыми необходимо сделать выбор, т.е. подобрать модель, отвечающую экспериментальной ЭЛ ектронограмме. [c.258]

ОДНОЙ ИЗ осей кристалла. Центр Vi в MgO (структура типа каменной соли)—пример такого дефектного центра [123, 124, 126]. Если атом кислорода по соседству с вакансией иона магния потеряет один электрон, то получившийся ион 0 будет немного смешаться в сторону от вакансии. Геометрия такого дефектного центра показана на рис. 7-1. В ре-мд """ 0 мд" зультате искажения симметрии остается ось симметрии четвертого порядка. Общепринято обозначать эту единственную ось как направок ление Z, а с помощью индексов Миллера — как ось (001). [c.144]

Т. Используя координатные отрезки по трем осям, можно восстановить надлежащие по симметрии зональные соотношения. Четырехчленные индексы Браве (в отличие от трехчленных индексов Миллера) для плоской узловой сетки hkl) записывают как (hkil) через взаимно простые целые числа, обратно пропорциональные координатным отрезкам сетки причем, как это видно на рис. 1.17,6, i=— h- -k). В трехчленной записи (hkil) можно представить как (hk.l), где точка заменяет несамостоятельный индекс i. Направление с индексами Миллера [uvw] записывают в установке Браве в виде [rstn], где r=2u—v, s=2v u t =—v—u n=3w, а i= [c.31]

Для каждого из кристаллов снимали серию изображений в условиях, изменяющихся от недофокусировки до перефокусировки оптимальное значение дефокусировки было равно — 650 А. Подобная постановка опыта позволяла судить об изменении структуры изображения с изменением дефокусировки. Тем не менее относящиеся к обеим рассмотренным группам кристаллы биогенного происхождения имели, как правило, слишком большую толщину, что не позволяло получать двумерные структурные изображения . Исключение составляли некоторые очень тонкие края кристаллов. Для большинства частиц разрешение позволяло различить на полученных изображениях только одномерные полосы решетки. Эти полосы, подобные тем, которые видны на рис. 15.2, представляют собой плоскости решетки, ориентированные параллельно электронному пучку, и обозначаются, как это принято, кристаллографическими индексами Миллера в форме (hkl). Поскольку магнетит имеет кубическую симметрию, многие плоскости решетки, такие как, например, (100), (010) и (001), эквивалентны между собой. В этих случаях совокупность эквивалентных плоскостей записывают как hkl . Расстояние между полосами одной совокупности и углы между полосами, относящимися к различным совокупностям, позволяют определить про- [c.62]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология