Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Относительная ионизация газа электронами

Рис. 33. Завистость относительной ионизации Se от энергии электронов К для различных газов при р — 1 мм Hg и О"" С [19]. Рис. 33. Завистость <a href="/info/28122">относительной ионизации</a> Se от <a href="/info/3620">энергии электронов</a> К для различных газов при р — 1 мм Hg и О"" С [19].

    Газ вводится в вакуумированный прибор через трубку (1) и подвергается ионизации потоком электронов из электронной пушки (2). Заряженные пластины (3) и (4) разгоняют поток полученных положительных ионов, который проходит через щель в пластине (4) и попадает в поле магнита (5), отклоняющее отдельные ионы в соответствии с отношением заряд масса. За второй щелью (в) расположен детектор (7), который регистрирует число частиц, прошедших через щель. Меняя напряженность магнитного поля, можно последовательно регистрировать относительное количество ионов с различной массой, получая масс-спектр [c.22]

    ОТНОСИТЕЛЬНАЯ ИОНИЗАЦИЯ ГАЗА ЭЛЕКТРОНАМИ [c.12]

    Основываясь на этих представлениях, можно подвергнуть качественному обсуждению результаты измерений в сильно неоднородных полях. Рассмотрим систему из двух электродов в виде концентрических цилиндров, и пусть внутренний электрод является катодом. Первичные электроны, вышедшие с катода, быстро набирают энергию и, если плотность газа не слишком велика, приходят в область слабого электрического поля с большой энергией, близкой к максимуму относительной ионизации. Распределение электронов по энергиям отличается при этом от распределения, получающегося в однородном поле с той же разностью потенциалов, тем, что оно содержит меньше медленных электронов (более способных к возбуждению, чем к ионизации). Положительные ионы также быстро приобретают энергию без значительных потерь на столкновения при приближении к катоду поэтому у в этом случае должно быть больше, чем в случае однородного поля. [c.202]

    Несамостоятельный разряд в рабочей камере плазмотрона. В плазмотронах обычно между столбом дуги и стенкой рабочей камеры имеется слой относительно холодного газа. В этой области происходит ионизация газа электронным ударом и световыми квантами. Сюда же проникают заряженные частицы из столба дуги и стенки рабочей камеры. В этих условиях под действием радиального электрического поля возникает несамостоятельный разряд между столбом дуги и стенкой рабочей камеры. В этом можно убедиться, измерив ток разряда. [c.203]

    Под относительной ионизацией 8 понимают число пар заряженных частиц, образованных свободным электроном на 1 см своего пути. Величина 5 зависит от давления газа и энергии (скорости) летящего электрона. При малых энергиях 5 = = 0, так как Ке<А величина 5 резко возрастает, проходит максимум и вновь начинает уменьшаться. Так, при р= мм рт. ст. в воздухе и Л е 10 эв 5 = 6-10-2 (один акт ионизации на 16 см пути) при /Се = = 10 эв 5 = 0,33 (один акт ионизации на 3 см пути) при 7Се=140 эв 5=10 (10 актов ионизации на 1 см пути). При дальнейшем уменьшении энергии электронов 5 вновь уменьшается. Объясняется это тем, что для быстрых электронов время взаимодействия с нейтральной частицей мало и кулоновские силы не успевают выбить связанный электрон с орбиты. Вторичные электроны, образованные при соударениях, в свою очередь при столкновении с нейтральными частицами могут их ионизировать, если их энергия достаточно велика. Таким образом, первичный электрон достаточно большой энергии ионизирует нейтральные частицы не только сам, но и через образованные им вторичные электроны. [c.21]


    Измерения относительной ионизации ионами более высокой энергии показывают, что абсолютные значения, а также наклон кривой зависимости относительной ионизации от энергии в ее начальной части значительно меньше, чем для электронных столкновений. Как ионы, так и атомы малых энергий крайне неэффективны в отношении ионизации газа вследствие их больших масс и малых относительных скоростей. Медленный иои длительное время находится вблизи атома, с которым он сталкивается, поэтому имеется большая вероятность того, что, пока происходит обмен импульсом между ионом и атомом, электроны успеют изменить свое положение и остаться в атоме. Время, в течение которого происходит фактическое соударение двух частиц, много больше, чем классический период обращения электрона на своей орбите. Это, возможно в менее ясной форме, объясняет, почему большое число столкновений не приводит к ионизации. Кроме того, имеет место перезарядка (см. главу 4), которая для не слишком быстрых ионов происходит с вероятностью того же порядка, что и упругие столкновения. [c.73]

    От этого ограничения свободен метод зондовых характеристик, которому посвящён 4 главы X. Этот метод позволяет определить некоторые внутренние параметры разряда, тесно связанные с элементарными процессами, а именно концентрацию свободных электронов, степень ионизации газа и среднюю кинетическую энергию беспорядочного (теплового) движения электронов. Одновременно метод изучения зондовых характеристик позволяет со сравнительно большой точностью определить распределение потенциала в разрядном промежутке. Но метод зондовых характеристик приложим и приводит к цели лишь в таких областях разряда, где ионизованный газ представляет собой газоразрядную плазму и где нет направленных электронных пучков. Кроме того, применимость этого метода ограничена определёнными пределами давления газа. Большим недостатком метода зондовых характеристик в отношении изучения элементарных процессов является то, что этот метод не даёт никаких прямых указаний относительно концентрации возбуждённых атомов и молекул. [c.65]

    В случае сс-частиц и в случае пучка быстро движущихся протонов длина их пробега Нр также обратно пропорциональна плотности газа. Но зависимость Яр от начальной кинетической энергии ое-частицы или протона иная, чем в случае электронов. При начальных скоростях, больших чем 1-10 см сек, Яр пропорционально К в степени 3/2 ). Как и в случае электронов, относительной ионизацией называется число пар ионов, образуемых быстрой тяжёлой частицей на 1 см пути в данном газе. Относительная ионизация зависит от массы и от скорости быстрой частицы, так как этими величинами определяется характер соударения и происходящий при этом соударении обмен энергией. Измерение относительной ионизации, равно как и установление длины пробега, является одним из методов определения природы новых элементарных частиц, наблюдаемых в космических лучах и при исследовании ядерных реакций. [c.238]

    Если смещение, прикладываемое к дополнительному электроду, будет положительным относительно анода, то этот электрод станет для разряда новым анодом, а первоначальный анод (и все, что с ним электрически связано) станет в этом случае вторым катодом. Независимо от площади, анод должен собирать электронный ток, равный сумме токов с обоих катодов. Если площадь анода значительно меньше площади катодов, количество электронов, необходимое для равновесия, уже не сможет попасть на анод путем диффузии в плазме. В этом случае вблизи анода будет накапливаться отрицательный пространственный заряд и возникнет анодное падение потенциала, которого будет достаточно, чтобы ионизовать атомы газа, окружающие анод, и получать дополнительные электроны. Таким образом, падение потенциала у анода малой площади будет одного порядка с потенциалом ионизации газа. [c.412]

    Для характеристики процессов ионизации применяется также величина относительной ионизации . Она равна числу молекул, ионизированных одним первичным электроном (или другой ионизирующей частицей) на 1 см пути при давлении газа 1 мм рт. ст. и температуре О °С. С функцией ионизации эта величина связана соотношением  [c.20]

    В основном с целью сокращения длительности технологического цикла процессов химико-термической обработки применяют индукционный нагрев насыщаемой поверхности токами высокой частоты. Многие экспериментальные работы убедительно показали, что процесс диффузионного насыщения значительно ускоряется при нагреве металла токами высокой частоты. Высказано много предположений относительно причин, вызывающих ускорение процесса диффузионного насыщения — это влияние электромагнитных сил, повышающих скорость перемещения атомов в решетке, ионизация газов и паров металла, ускорение поверхностных реакций с помощью электронного ветра, перегрев тонких поверхностных зон насыщаемого металла и др. [c.168]


    Темный разряд, при котором электрическое поле в меж-электродном пространстве мало искажается объемными зарядами, характеризуется малой плотностью тока 10- А/см. Электрическое поле тлеющего разряда определяется объемными зарядами и катодное падение напряжения значительно выше потенциала ионизации газов. Испускание электронов на катоде происходит, под действием удара о него тяжелых, ионов. Электроны ионизуют газы. Напряжение относительно велико (200—400 В), плотность тока 10 —10 А/см, общий ток 1—10 мА. [c.90]

    Ионизация молекул газа электронами является основным источником образования заряженных частиц в объеме. Движущийся в газе электрон создает на своем пути новые электроны и ионы в одинаковом числе. Ионизирующую способность электрона характеризуют относительной ионизацией 5, т. е. числом пар ионов, создаваемых электроном на 1 см пути. Рассматриваемый путь должен быть достаточно мал, чтобы энергию электрона ез можно было считать постоянной. Относительная ионизация по понятным соображениям пропорциональна плотности газа и сложным образом [c.12]

    Исходя из указанного выше положения, Коссель сделал заключение, что системы электронов инертных газов отличаются особой устойчивостью. Устойчивость эта такова, что атомы элементов, непосредственно предшествующих инертным газам, путем присоединения электронов легко образуют электронную систему, которая соответствует электронной системе инертного газа. С другой стороны, элементы, следующие за инертным газом, легко отщепляют то избыточное число электронов, которое у них имеется по сравнению с числом электронов предшествующего инертного газа. Это заключение относительно особой устойчивости электронных систем инертных газов, сделанное Косселем на осповании химических свойств, вполне подтвердилось впоследствии чисто физическими методами (потенциалы ионизации), как это было показано в предыдущей главе. [c.137]

    Изготовление цилиндров Фарадея довольно затруднительно по ряду причин. Необходима хорошая изоляция, прибор должен работать в высоком вакууме, так как ионизация газа вблизи цилиндра может исказить результаты. При изготовлении цилиндров Фарадея основное внимание уделяют тому, чтобы обеспечить поглощение вторичных заряженных частиц, в особенности вторичных электронов. Для уменьшения телесного угла утечки вторичных электронов электрод выполняют в форме чаши с отверстием малого диаметра и относительно большой глубиной. Рассеяние электронов можно устранить также при использовании магнитных полей в сотни гаусс. С другой стороны, в цилиндр Фарадея не должны попадать вторичные электроны, образованные при взаимодействии пучка с любыми другими объектами (например, с окошками, коллиматорами и т.п.). С ростом энергии пучка удержание вторичных заряженных частиц становится все труднее, так что размер цилиндров Фарадея, применяющихся для измерения пучков с энергиями в несколько сотен Мэв, становится весьма значительным. [c.392]

    Полученный одним из перечисленных способов электрон, проходя через газ, сталкивается с его молекулами и ионизирует их. Число пар ионов, образуемых ионизирующим электроном на единице длины его пути, обозначается как относительная ионизация. Сюда включаются также ионы, образуемые ионизацией вторичными, третичными и т. д. электронами, поскольку источником энергии служит та же энергия первичного электрона. При равных энергиях электрона в одном и том же газе относительная ионизация пря- [c.13]

    МО пропорциональна плотности газа. Для разных газов и при большой энергии электрона (кинетическая энергия электрона больше работы ионизации) относительная ионизация пропорциональна плотности атомных электронов, т. е. числу атомных электронов в единице объема. [c.14]

    Химическую ионизацию (ХИ) осуществляют в ионных источниках при относительно высоком давлении (0,1-100 Па). Высокое давление приводит к более частым межмолекулярным и ион-молекулярным столкновениям в источнике, в результате чего между ионами реагентного газа и молекулами аналита происходят химические реакции. Ионы реагентного газа образуются в результате электронного удара и последующих ион-молекулярных реакций. Например, в случае аммиака, используемого в качестве реагентного газа, образуются ионы КН и (NHз)NH4 при тп/г = 18 и 35. Эти ионы содержат четное число электронов и могут рассматриваться как протонированные молекулы. Они могут вступать с молекулами изучаемого вещества М в ион-молекулярные реакции  [c.267]

    Относительная ионизация зависит от начальной энергии ионизирующего электрона. При энергиях от минимальной, равной работе ионизации, и до, примерно, 50 еу относительная ионизация прямо пропорциональна разности энергии электрона и работы ионизации. Далее, переходя через максимум, относительная ионизация падает с увеличением энергии электрона. Отношение числа соударений, приводящих к ионизации, к числу всех соударений на единице длины пути ионизирующего электрона показывает вероятность ионизации при соударении. Число всех соударений на 1 см является величиной, обратной длине свободного пути электрона. Вероятность ионизации, следовательно, является произведением относительной ионизации на длину свободного пути электрона. Ввиду того, что последнюю трудно определить, она принимается равной длине свободного пути газовых частиц, ничтожно малых по сравнению с молекулами газа. Из кинетической теории получается, что длина сво- [c.14]

    Ионизация газов ударом положительных ионов. В качестве примеров быстрых положительных ионов можно привести каналовые, или анодные лучи, представляющие, например, протоны (ядра водорода) со скоростью примерно 10 см/сек. и альфа-лучи радиоактивных веществ, являющиеся ядрами гелия (с двойным зарядом) со скоростью около 10 см/сек. Ионные лучи, в отличие от электронных, не могут возникнуть путем поглощения фотонов молекулами, так как при относительно большой массе ионов энергии светового кванта недостаточно для сообщения иону большой скорости. Ионы р2] являются хорошими ионизаторами, когда они обладают такой же скоростью, какую электрон приобретает под действием минимального ионизирующего потенциала. Это соответствует кинетической энергии положительного иона в несколько десятков тысяч еу. При меньших скоростях ионы неактивны как ионизаторы. В этих условиях выступает на первый план потенциальная энергия иона, который может вызвать ионизацию при процессе перезарядки, отрывая электрон от частицы и превращаясь сам в нейтральную частицу. Вероятность ионизации ударами ионов исследовалась рядом авторов Р ]. [c.15]

    Масс-спектрометр (рис. 24-1) представляет собой прибор, который из пучка ионов выделяет ионы с одинаковым отношением массы к заряду и дает возможность определить относительное содержание различных видов ионов. Анализируемый газ сначала ионизируют. Можно использовать твердые вещества, если они предварительно испаряются с помощью раскаленной нити. Ионизация газа происходит при очень низком давлении, когда газ просачивается в камеру, в которой он подвергается бомбардировке электронами, получившими ускорение под действием разности потенциалов 50 —100 в. Получающиеся положительные ионы ускоряются в анализаторе масс-спектрометра под действием электрического поля в несколько тысяч вольт. С помощью щели узкий пучок становится параллельным. Скорость заряженной частицы определяют с помощью электростатической разности потенциалов Е, необходимой для ускорения этой частицы, по уравнению [c.710]

    Возник также вопрос относительно того, влияют ли антидетонаторы на ионизацию. Считалось, что соединения, играющие роль антидетонаторов [222], находясь в газе, адсорбируют электроны или ионы [148], которые являются непосредственной причиной детонации. Большое значение ионов при распро странении пламени и в начальной фазе образования взрывной волны было под- [c.349]

    Ионизационные В. Действие основано на ионизации молекул газа и измерении ионного тока, к-рый является ф-цией давления. В электронных В. ионизация осуществляется потоком электронов, испускаемых накаленным катодом. Такой В. снабжен еще двумя электродами-анодом и коллектором (рис. 5). Анод-сетка, создающая электрич. поле, к-рое ускоряет электроны. Коллектор имеет отрицат. потенциал относительно катода и собирает образующиеся в газе положит, ионы. Ионный ток в цепи коллектора служит мерой давления газа. Диапазон измерений (10" -1 Па) ограничен при высоких давлениях-малым сроком службы и нарушением линейности градуировочной характеристики из-за возрастающей вероятности объемной рекомбинации ионов и увеличения тока вторичных ионов, также участвующих в ионизации при низких давлениях-остаточным фоновым током коллектора, к-рый не зависит от давления. [c.344]

    Химическая ионизация. При химической ионизации (ХИ) вещество ионизируется при газофазной ион-молекулярной реакции. Для этого в источник ионов при относительно высоком давлении (0,01-2 мм рт.ст.) вводится газ-реагент (обычно метан, изобутан, аммиак или вода), из которого в результате ионизации под действием электронного удара генерируются ионы. Определяемые молекулы ионизируются непосредственно за счет ряда реакций с газом-реагентом, при которых во время столкновений на молекулы аналита переносится небольшая порция энергии с достаточно узким распределением. Это объясняет, почему ХИ часто называют мягким методом ионизации. Мягкая ионизация приводит к меньшей фрагментации и поэтому к большей интенсивности пиков молекулярных ионов по сравнению с ЭУ. Низкий [c.601]

    Мы не будем рассматривать причины, определяющие указанные тенденции, однако существующие в настоящее время представления можно обобщить следующим образом. Во-первых, величина относительной распространенности отражает характер элементов, однако в отличие от обычных (физикохимических свойств обусловлена не электронным состоянием атомов, а природой их ядер. Состояние, в котором существуют элементы — будь то газ, металл, силикаты и т. п.,— находится в непосредственной зависимости от трудности или легкости ионизации, т. е. от свойств электронов, заполняющих орбитали, тогда как общая масса элементов как таковых, будучи [c.17]

    От потенциала ионизации во многом зависят восстановительные свойства атомов, характер и прочность об-разумых ими химических связей. Чем меньше ПИ, тем легче атом отдаст электрон не только при электронном ударе, но и при взаимодействии с другими атомами, т. е., выражаясь химическим языком, тем больше его восстановительная способность. При связи с одним и тем же атомом-партнером атом с меньшим значением ПИ легче расстанется с электроном и поэтому у него тенденция к образованию центра положительного электричества или даже катиона будет проявлена больше. Наилучшими восстановительными свойствами обладают щелочные металлы IA подгруппы, начиная с s и кончая Li, а затем идут щелочно-земельные элементы ПА подгруппы, начиная с Ва и кончая Са, и т. д. (рис. 10, табл. 3). Пилообразность кривых внутри периодов может быть объяснена относительной устойчивостью некотрых электронных структур ras , гар , rad , ra< , nf, га/ (см. раздел 4.4). Но, конечно, максимальной устойчивостью обладают структуры инерт-газов Is у Не и у остальных. Потенциалы ионизации /а, /з,..., существенно увеличиваются в этой последовательности, причем особенно резко при ПИ, индекс которых больше номера группы /2 для Li, I3 для Ве, /4 для В и т. д. (эти значения в табл. 3 выделены рамкой). Это говорит о практической невоз- [c.114]

    На рис. 92. приведена зависимость ajp от Xjp для ряда газов ) в логарифмическом масштабе, чтобы охватить большой интервал значений f.jp. Особый интерес представляет тот факт, что в противоположность формуле (7.11) коэффициент ионизации имеет максимум. Наличия максимума следует ожидать на основании хода кривых относительной ионизации (глава 3, 4), которые также имеют максимум, лежащий для молекулярных и большинства атомных газов в пределах 80—150 зз. В поле X электрон получает энергию около ЮОэв в конце среднего свободного пробега X, если 100. Так как = где Xj—пробег при давле ии равном 1 мм Hg (глава 4), то это соответствует Xjp порядка 10 . Это как раз та область значений Xjp, в которой находится (рис. 92). [c.190]

    Если скоплеш1е электронов движется в однородном электрическом поле, то те электроны, энергия которых превышает некоторое критическое значение, способны ионизовать газ. Следовательно, в принципе можно вычислить а, если известны данные об относительной ионизации электронами с заданной энергией, а также распределение электронов по энергиям в [c.192]

    Из выражения (3) следует, что для эффективного использования разряда в рассматриваемой нами конфигурации электродов расстояние между ними должно быть порядка А или больше. В противном случае все электроны, созданные в межэлектродном пространстве в результате ионизации газа, будут вытянуты из разряда и собраны на электроды в течение одного периода. Таким образом, согласно Левитскому [123], плазма ВЧ разряда сосредоточена в области, расположенной симметрично относительно электродов и имеющей протяженность й — 2А (где с — расстояние между электродами). Область плазмы колеблется между электродами с угловой частотой приложенного к электродам напряжения ы и амплитудой А и касается каждого электрода попеременно в моменты времени, когда оз/=л/2 и Зл/2, Концентрация электронов в центральной области довольно постоянна, а вне этой области, в пределах расстояния А от каждого из э.тектродов, быстро спадает по мере приближения к электродам. Левитскнй, определяя величину потенциала плазмы с помощью электрического зонда, показал, что этот потенциал, как и ожидалось, возрастает с величиной приложенного ВЧ напряжения и увеличивается, как показано на рис. 26, с уменьшением давления. (Результаты рис. 26 получены с напряжением на электродах около 350 В.) Помимо зондовых измерений по-генциала плазмы, Левитский экспериментально подтвердил, что некоторые ионы приооретайт энергию порядка разности потенциалов, существующей между плазмой й любым из электродов. Сделал он это путем прямого измерения энергии ионов, падающих на электрод, и получил интересный результат. Оказалось, что максимальная энергия ионов, приходящих на [c.446]

    Сухие газы при комнатной температуре являются гючти полными изоляторами. Если существует электропроводкость, то она связана с наличием ионов. Радиационная ионизация воздуха была установлена уже Беккерелем при облучении газов радиоактивными вешествами и Рентгеном при облучении их рентгеновыми лучами. Эго действие излучения, которое относительно легко и точно можно измерить, было, как известно, иснользова ю Марией Кюри для обнаружения и определения, двух первых радиоактивных элементов — полония и радия. Ионизация газа происходит вследствие того, что в результате взаимодействия радиации с молекулами газа электроны открываются от оболочки атомов облучаемого газа. При этом количество энергии, требуемое для образования одной пары ионов в воздухе, равно [c.108]

    Прп повышении температуры средняя поступательная энергия также увеличивается и появляется большая вероятность переносов больших энергий. Реакции с разрывами связей протекают все чаще и становится все более и более вероятным возбуждение максимально высоких колебательных состояний. Разрыв связи фактически можно рассматривать как колебание с бесконечно большой амплитудой. При еще более высоких температурах может происходить электронное возбуждение, включая ионизацию молекул. При чрезвычайно высоких температурах становятся возможны.ми ядерные реакции. В настоящее время основные усилия в поисках условий осуществления реакции ядерного синтеза для получения энергии в больших масштабах направлены па создание и поддержание очень высоких температур (10 К и выше) в относительно ко1щентрированном газе. На рис. 19.2 показаны изменения свойств равновесных состояний при различных температурах. На рис. 19.3 приведены истинные равновесные концентрации различных частиц в газообразном кислороде в широком температурном интервале. [c.63]

    В случае а-частиц и в случае пучка быстро движущихся про топов длина их пробега Яр также обратио пропорциональна плот ности газа. Но зависимость Я от начальной кинетической энер ГИИ а-частицы или протона иная, чем в сл чае электронов. При начальшлх скоростях, больших, чем 1-10 с. /сек, Я пропорционально К в степени у. Измерение относительной ионизации, [c.126]

    Известно, что в переменном поле в вакууме свободный электрон колеблется со скоростью, сдвинутой по фазе на 90° относительно напряженности приложенного поля. При этом в среднем он не поглощает энергию приложенного поля. Однако если электрон, колеблющийся в переменном поле, испытывает столкновения с атомами газа, в результате чет О его простое гармоническое движение становится беспорядочным, он может поглощать энергию поля. Компонента скорости электрона, соответствующая его хаотическому движению, может нарастать от столкновения к столкновению до тех пор, пока энергия электрона не станет достаточной для ионизирующего столкновения с атомом газа. Высокое напряжение на катоде, необходимое для получения вторичных электронов в случае разряда постоянного тока, не обязательно для поддерживания высокочастотного разряда. Тот факт, что электрон ыожет поглощать энергию поля, двигаясь как цо направлению поля, так и против него, станет понятнее, если учесть, что поглощаемая энергия пропорциональна квадрату напряженности электрического по-.ля и, следовательно, не зависит от его знака. Дополнительные подробности, связанные с количественными аспектами проблемы высокочастотного пробоя, интересующийся читатель может найти в специальной литературе [9]. Поскольку прикладываемое высокочастотное поле в основном сосредоточено между двумя электродами, то можно считать, что электрон, вышедший в результате хаотических столкновений с атомами газа из меж-электродного пространства, не будет больше совершать колебательное движение в ВЧ поле и не приобретет энергии, достаточной для ионизации газа. Следовательно, такой электрон для разряда будет потерянным. Поэтому магнитное поле, прикладываемое параллельно высокочастотному, может сыграть весьма полезную роль, особенно при низких давлениях газа, удерживая электроны в межэлектродном пространстве и уменьшая вероятность их потери. Таким образом, для повышения эффективности высокочастотного разряда магнитное поле является более важным, чем в случае разряда постоянного тока. [c.445]

    Источник с тлеющим разрядом представляет собой простое двухэлектродное пространство, заполненное благородным газон при давлеш1и 10-1000 Па. Напряжение, равное нескольким сотням вольт, подаваемое на электроды, вызывает пробой газа и образование ионов, электронов и других частиц. Положительные ионы газа, ускоряясь в электрическом поле, бомбардируют катод, который испускает различные вторичные частицы — ионы и атомы анализируемого вещества. При напряжении 500 В и дав-тении 100 Па средний свободный пробег атомов находится в пределах 0,1-0,05 мм, что предполагает частые столкновения входящих в катод и выходящих из него частиц. Это приводит к потере энергии ионами аргона, но оставшейся энергии вполне достаточно для распыления большого количества пробы. Относительное количество распыленных нейтральных атомов и молекул больше, чем ионизированных, и они диффундируют в пространство между анодом и катодом, где в электронно-ионной плазме подвергаются ионизации. Тлеющий разряд не только атомизирует твердую пробу, но и представляет собой средство, с помощью которого ионизируются эти атомы. [c.850]

    Устройство обычного фотоэлемента в основных чертах таково на части внутренней стенки стеклянного сосуда осажден тонкий слой щелочного металла, соединенный подходящим способом с отрицательным полюсом источника тока, против этого слоя расположен (иногда кольцевой, иногда сетчатый) электрод, который соединен с положительным полюсом. Стеклянный сосуд эвакуирован или заполнен инертным газом. При освещении с поверхности щелочного металла вырываются электроны, которые притягиваются положительным электродом и тем самым создают электрический ток. Если внутреннее пространство фотоэлемента заполнено газом, то ионизация газа увеличивает ток. В фотоэлементах с запирающим слоем пространство между двумя электродами заполнено веществом, из которого при освещении освобождаются электроны, как это имеет место прежде всего у селена (в несколько меньшей степени также, нанример, у СигО). Тогда как для перехода электронов из металла в вакуум или газовую фазу даже у щелочных металлов требуется произвести относительно большую работу, переход электронов между двумя соприкасающимися твердыми проводниками происходит очень легко. Этим объясняется высокая чувствительность фотоэлементов с запирающим слоем. В соответствии с данными Ланге (Lange, 1931) в фотоэлементе с запирающим слоем из окиси меди(1) на единицу светового потока без вспомогательного напряжения возникает ток примерно в 6—125 раз большей мощности, чем в обычно применяемых щелочных фотоэлементах, работающих со вспомогательным напряжением 120—200 в селеновый фотоэлемент превосходит медно-закисный по чувствительности еще в 10—20 раз. Поскольку фотоэлементы с запирающим слоем при освещении работают как самостоятельные источники тока, они пригодны прежде всего для таких фотоэлектрических приборов, которые должны работать независимо  [c.713]

    Насос, получивший название орбитрон , показан на рис. 366. Внутри корпуса насоса размещен анод с титановым цилиндром. Вольфрамовый катод укреплен на керамическом стержне. Токовводом и экраном катода служит танталовая проволока. Корпус насоса заземлен и на анод подается положительный потенциал до 5 кВ. К катоду приложено положительное напряжение от 50 до 250 В относительно корпуса. Катод и токоввод расположены таким образом, чтобы нарушалась симметрия электрического поля, в результате чего электроны, эмиттируемые катодом, имеют осевую, радиальную и тангенциальную составляющие скорости. Направление движения электронов непрерывно меняется и они, двигаясь по орбитам , проходят относительно большие расстояния, вызывая ионизацию газа. Испарение титана (сублимация) приводит к запылению внутренней поверхности корпуса титаном, поглощающим откачиваемый газ. Пре-дельнбе давление составляет 5- мм рт. ст., скорость откачки инертных газов увеличена благодаря увеличению длины пути электронов. [c.423]

    Потенциал ионизации элемента и его сродство к электрону являются количественными характеристиками способности атомов этого элемента терять или приобретать электроны при определенных условиях. Наряду с данными о размерах атома, его порядковом номере и валентности они позволяют делать предсказания о химических свойствах элементов, однако на практике учет всех перечисленных факторов оказывается довольно сложным. Гораздо удобнее пользоваться обобщенной эмпирической характеристикой химических свойств элементов, называемой электроотрицательностъю. Под электроотрицательностью элемента понимают относительную способность его атомов притягивать электроны для оценки этой способности устанавливается условная шкала. Крайние точки этой шкалы соответствуют электроотрицательности цезия 0,7 и фтора 4,0. В отличие от сродства к электрону и потенциала ионизации электроотрицательность рассматривается как характеристика элементов в любом окружении, независимо от того, свободные ли это атомы или части молекулы. Как и следовало ожидать, периодические изменения электроотрицательности элементов соответствуют изменениям их потенциалов ионизации, сродства к электрону, атомных размеров и т.п., причем фтор является наиболее электроотрицательным элементом, а цезий—наименее электроотрицательным, не считая благородных газов. [c.102]

    В качестве меры металлического и неметаллического характера элементов можно принять энергию ионизации их атомов. Энергия ионизации это энергия, которую необходимо затратить для полного удаления одного электрона из атома. Обычно металлы обладают относительно низкой энергией ионизации (496 кДж/моль для Ыа, 503 кДж/моль для Ва, 589 кДж/моль для Т1), а неметаллы—высокой энергией ионизации (1680 кДж/моль для Р, 1401 кДж/моль для Ы, 999 кДж/моль для 8). Атомам элементов, проявляющих амфотерное поведение (Ве, А1, Ое, 5Ь, Ро и др.), отвечают промежу-, точные значения энергии ионизации (762 кДж/моль для Ое, 833 кДж/моль для 8Ь), а благородным газам — нанвысшие значения (2080 кДж/моль для Ые, 2372 кДж/моль для Не). В пределах группы Периодической системы значения энергии ионизации атомов уменьшаются с возрастанием порядкового номера элемента, т. е. при увеличении размеров атомов. [c.107]


Смотреть страницы где упоминается термин Относительная ионизация газа электронами: [c.180]    [c.67]    [c.68]    [c.281]    [c.206]    [c.366]    [c.215]    [c.160]    [c.67]    [c.53]   
Смотреть главы в:

Элементы газовой электрохимии Изд2 -> Относительная ионизация газа электронами




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Относительная ионизация



© 2024 chem21.info Реклама на сайте