Вакансии ионные

В катионной подрешетке оксида цинка образуются дефекты по Френкелю, а в анионной — вакансии ионов кислорода. Условие электронейтральности выполняется за счет того, что избыточные ионы цинка в междоузлиях захватывают электроны, соответствующие дефициту кислорода в оксиде цинка. [c.279]

Ионы в Вакансии на Вакансии + Ионные пары на [c.334]

В представлении ионной модели избыток отрицательного заряда в кристаллах Fei-j 0, Fej-iS (х — дефицит катионов) компенсируется превращением ионов Fe в ионы Fe . Чтобы сохранилась электро-нейтральность, на каждую вакансию иона Fe должно приходиться два иона Fe (рис. 138, а). [c.285]

Заполнение (частичное или полное) катионных и анионных вакансий ионных кристаллов ведет к появлению в результате облучения центров окраски. Интересно и важно в практическом отношении явление возникновения окраски стекол при облучении, обнаруженное еще первыми исследователями радиоактивности. Появление окраски обусловлено окислительно-восстановительными процессами, протекающими в стекле при облучении. Так, процесс — -Мп " " + е приводит к появлению пурпурного окрашивания, процесс На + е -> Ыа — к образованию необычайно красивой голубой окраски. [c.216]

Диссоциация пары катионная вакансия — ион Мп2+ 0,27—0,50 [c.13]

Эти факты согласуются с гипотезой, согласно которой р-полоса обусловлена переходом электронов на возмущенные экситонные уровни в непосредственной близости от /-центров, в то время как а-полоса связана с образованием экситонов вблизи анионной вакансии. Ионы, окружающие анионную вакансию, слегка сдвинуты к новым равновесным положениям, в результате чего первые возбужденные уровни анионов (уровни экситонов) в окрестности вакансии будут возмущены. Поэтому при поглощении кванта света ионом галогена, находящимся около вакансии, происходит переход электрона на энергетический уровень, несколько более низкий, чем нормальный уровень экситона, а новый пик поглощения (а-полоса) [c.110]

Изображены следующие центры (слева направо и сверху вниз) вакансия положительного иона вакансия отрицательного иона связанная пара вакансий ионов противоположных знаков двухвалентный ион, связанный с вакансией положительного иона группа из двух вакансий положительных ионов и одной вакансии отрицательного иона. [c.336]

По мнению же Хауффе [35], нарушение пассивного состояния на отдельных участках может произойти в тех местах, где нарушена структура окисла. В такой несовершенной решетке окисла имеются свободные электроны и вакансии ионов кислорода, которые могут быть замещены ионами хлора. [c.332]

Рис, 14,4. Схемы градиентов концентраций вакансий ионов металла а и кислорода б и процессов переноса в оксидных пленках [c.398]

ОДНОЙ ИЗ осей кристалла. Центр Vi в MgO (структура типа каменной соли)—пример такого дефектного центра [123, 124, 126]. Если атом кислорода по соседству с вакансией иона магния потеряет один электрон, то получившийся ион 0 будет немного смешаться в сторону от вакансии. Геометрия такого дефектного центра показана на рис. 7-1. В ре-мд """ 0 мд" зультате искажения симметрии остается ось симметрии четвертого порядка. Общепринято обозначать эту единственную ось как направок ление Z, а с помощью индексов Миллера — как ось (001). [c.144]

М]=3 1. При максимальном насыщении координационных вакансий ионов металла ионогенными груп ал>-ми ионита активность ионитного комплекса сильно уменьшается. Такая зависимость каталитической активности анионитных комплексов от состава координационного центра соответствует каталитической активности комплексов меди (П) с низкомолекулярными аминами [95,96]. [c.316]

Первое слагаемое в формуле (6.240) уже было вычислено в разделе 6.10 для различных механизмов диффузии так, для вакансионного механизма согласно (6.209) оно определяется концентрацией вакансий ионов i [c.252]

Поскольку с = 2с(П NF+), концентрация вакансий ионов Ni + на поверхности раздела окисел — кислород зависит от корня шестой степени из величины давления кислорода, т. е. [c.136]

Отсюда видно, что эффективный заряд ассоциированного с вакансией иона примерно равен (Z—2)е, т. е. в случае двухвалентных ионов практически равен 0. Следовательно, если бы [c.132]

С учетом, что концентрация дырок в два раза больше концентрации вакансий ионов свинца [РЬ будет [0] = KPs - Так как [c.189]

С наличием в структуре ионных кристаллов точечных дефектов существенно связана их электропроводность. Под действием электрического тока ближайший к вакансии ион переходит на ее место, а в точке его прежнего местоположения создается новая вакансия, занимаемая, в свою очередь, соседним ионом. Подобные перескоки ионов реализуются с большой частотой, обеспечивая ионную проводимость кристалла. Благодаря точечным дефектам удается объяснить и существование в природе большого числа так называемых несте-хиометрических соединений (соединений переменного состава), т. е. веществ, состав которых в твердом состоянии отклоняется от их молекулярного состава. Например, кристаллы оксида титана в зависимости от давления кислорода в окружающей среде могут иметь переменный состав от Т10о,б до Т101,з5. При избытке атомов титана в кристалле имеется соответствующая концентрация вакансий кислорода, а при избытке атомов кислорода появляются вакансии титана. В кристаллах оксида цинка 2пО избыточное содержание атомов цинка объясняют нахождением последних в междоузлиях пространственной решетки. [c.88]

При окислении пропилена или изобутилена на окиси меди добавление малых количеств 1лало11 енов (<0,1% С1", Вг-, 1 ) к реакционной омеси вызывает увеличение активности и селективности катализатора [ 198]. Полагают, что галоген внедряется в решетку, занимая имеющиеся там анионные вакансии. Ион С1- менее электроотрицателен, чем кислород, и электронный перенос с ним осуществляется легче. Двухвалентный ион меди восстанавливается [c.179]

Каталитические свойства AI2O3 существенно зависят от условий ее предварительной обработки, в частности от температуры прогрева в вакууме (10 мм). Максимальному количеству возникающих при этом анионных дефектов (вакансий ионов кислорода), в результате наличия которых окисел приобретает свойства -полупроводника [7], соответствует наивысшая каталитическая активность. Она падает при обработке активированного в вакууме катализатора кислородом и растет при обработке СО (т.е. при его частичном восстановлении), очевидно, в результате улучшения адсорбции реагентов, так как при этом порядок реакций по СО и Og становится равным нулю 18]. При температуре выше 700°С начинается интенсивное испарение алюминия с поверхности, AI2O3 приобретает свойства р-полупроводннка, что сопровождается ростом ее каталитической активности. [c.217]

Эти результаты находятся в соответствии с данными об электронной проводимости массивных образцов РеО, Рез04 и 7-Ре20з за счет избыточного железа в решетке, полученными в обычных условиях по знаку эффекта Холла или термо-э.д. с. Из рис. 1,6 можно видеть, что при потенциалах активного растворения значение отрицательной ф. э.п. растет до потенциала пассивации (+0,45 В). Это указывает, согласно (1,25), на преимущественно катионный характер переноса в окисной фазе при этих потенциалах и на то, что активное растворение железа связано с увеличением отклонения от стехиометрического состава поверхностного окисла и ростом концентрации дефектов структуры — анионных вакансий (ионов Ре2+ и свободных электронов). [c.21]

При облучении полимеров возможно также образование нестабильных продуктов радиолиза. К ним относятся различные свободные радикалы (алкильные, аллильные, полиенильные, перекисные и др.), свободные и связанные заряды (электроны и электронные вакансии, ионы, подвижные сольватированные электроны и др.), накапливающиеся газообразные продукты радиолиза, нейтральные химически активные продукты радиолиза, а также атомы и атомные группы в возбужденном состоянии. Концентрация этих продуктов в полимере нарастает по мере облучения и достигает равновес- [c.129]

В случае механодиспергирования ионных солей вследствие быстрого, неравновесного раскола решетки и образования дискретно нестехиометрических поверхностей возникают поверхностные вакансии ионов и одновременно наблюдается эмиссия электронов. Механизм инициирования в случае образования F-центра или эмиттирующих электронов заключается в следующем в . Электрон захватывается молекулой мономера, например акриламида или акрилонитрила, в результате чего образуется анион-радикал по схеме [c.161]

Сообразно природе дефекгов в рещетке окиси никеля NiO (см. рис. 6) концентрация вакансий ионов никеля должна быть пропорциональна корню шестой степени из парциального давления кислорода. Таким образом, уравнение (65) можно переписать в следующем виде [c.173]

Число вакансий ионов хлора является функцией размеров и формы элементарного пакета a-Ti ls. Показано [625], что для а-модификаций Ti b и Ti la число вакансий хлора (Л) связано с протяженностью пакета (d) в плоскости, т. е. в направлении, перпендикулярном к главной оси кристалла, следующим соотношением [c.131]

На границе раздела фаз железо — магнетит ионы железа и электроны нз железа переходят в шпинель магнетита и занимают там тетраэдрические и октаэдрические места в промежуточной решетке. В верхних участках, г,се имеется дефицит ионов железа, ионы кислорода выходят из магнетнтного окалинного слоя и занимают места для кислорода гексагональных шпинелей в решетке металла. Оставшиеся ноны железа в верхних участках кубического железа занимают места в решетке гексагональной шпинели. На этой границе раздела фаз образуется магнетит, который характеризуется относительным избытком железа и относительным недостатком кислорода. В результате в каждый момент времени в участках внешнего магнетнтного окалинного слоя имеется высокая кониентрация вакансий кристаллической решетки для ионов железа и примерно стехиометрическая концентрация кислорода. В то же время на участках внутреннего окалинного слоя имеется высокая концентрация вакансий кристаллической решетки для кислорода и избыток железа. Эта разность концентраций приводит к тому, что происходит диффузия вакансий ионов кислорода в направлении к поверхности железа (вглубь), а также к диффузии вакансий ионов железа в промежуточной решетке (во внутреннем окалинном слое) и к диффузии вакансий ионов железа (во внешнем окалинном слое) в направлении паровой фазы. Одновременно происходит диффузия электронов, направленная в ту же сторону. [c.204]

При выводе уравнения (2) введено условие, что электрон могут потерять только те ионы Рп в, которые не стоят рядом с поверхностной вакансией. Но такой ион может оказаться рядом с вакансией в следующем за поверхностью более глубоком слое. Если учесть эти вакансии, коэффициент при а в уравнении (2) должен быть >2, что противоречит экспериментальным данным По-видимому, практически все анионные вакансии в объеме кристалла, имеющие эффективный положительный заряд, являются центрами локализации (захвата) электронов, которые остаются после удаления из кристалла атомов фтора. Локализованный на ближайшем к вакансии ионе Со " электрон должен иметь сильно вытянутую в сторону вакансии орбиту. Таким образом, происходит компенсация эффективного заряда вакансии. Поверхностная вакансия, вероятно, не может захватить электрон и, сохраняя эффективный положительный заряд, снижает энергию электронов соседних ионов фтора. Если бы поверхностная вакансия была способна захватить электрон от иона фтора, несомненно, должен был бы наблюдаться автокатализ. То же самое нужно сказать об объемной вакансии, захватившей уже один электрон, оставшийся после удаления из кристалла атома фтора. Далее, совершенно очевидно, что сечение, представленное на рис. 4, не является поверхностью кристалла СоРз, так как над поверхностными ионами Со + должно находиться некоторое число ионов фтора, образующих еще один малозаполненный слой. Эти ионы также способны вступать в реакцию и покидать кристалл, в результате чего возникают вакансии. Однако последние практически не (Имеют эффективного заряда и не должны влиять на образование Ртов в указанном выше сечении. С другой стороны, ионы фтора малозаполненного слоя до взаимодействия с водой должны терять электрон. Так как кристалл СоРз является изолятором, а описываемые ионы фтора наименее связаны с кристаллом, электроны последних, по-видИмому, могут переходить лишь на имеющиеся в сечении (см. рис. 4) атомы PSob, что не должно привести к изменению ранее вычисленной концентрации (Рпов) =/С(1 — 2а). [c.57]

То, что необходимо учитывать строение электронных оболочек примесных ионов, явствует из сравнения влияния примесей N1 + и Действительно, если рассматривать только разницу зарядов основного и примесного катионов, то пришлось бы сделать вывод, что ион Ы" " должен влиять на е азотнокислого бария сильнее, чем ион К , так как введение иона в решетку Ва(НОз)2 приводит к образованию большего числа дефектов, чем введение иона N1 . Так, при образовании раствора замещения ион Ь образует два дефекта собственно ион Ь на месте иона Ва и анионную вакансию. Ион N1 + дает при образовании раствора замещения только один дефект — вакансий в этом случае не образуется. Анологичная ситуация возникает и при образовании раствора внедрения. Таким обра- [c.84]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология