Кинетическая теплоемкостей

Рассмотрим теперь, как влияет на теплоёмкость и энтропию распределение энергии между поступательными степенями свободы. Согласно кинетической теории газов, для 1 моля идеального газа [c.306]

Недавно С. И. Грибкова [320] измерила скорости звука в парах эфиров алифатического ряда и в смесях этих паров с аргоном. Как оказалось, скорости звука в этом случае могут быть с успехом подсчитаны с помощью уравнения, справедливого для идеальных газов. Поскольку согласие между экспериментально наблюдаемыми и рассчитанными теоретически величинами вполне удовлетворительно, возникает желание рассчитать, пользуясь представлениями элементарной кинетической теории, число степеней свободы, присущее молекулам различных эфиров. Таким образом, оказывается, что число степеней свободы /, существенно влияющее на теплоёмкость, будет для диэтилового эфира равно 25, для этилпропилового эфира / = 30 и для дипропилового эфира / = 35. [c.146]

V реакционный объём аппарата Я - кинетический порядок реакции Ко константа скорости Е - энергия активации R - газовая постоянная Q, - теплота реакции ГПрСр- масса и теплоёмкость деталей, участвующих в теплопередаче Sp- масса деталей реактора, участвующая в теплообменес р м. - теплоёмкость реакционной массы и отходящих растворов lj - коэффициенп теплоотдачи от реакционной массы к стенке F площадь теплопередачи с - теплоёмкость хладоагента [c.185]

Принцип работы таких детекторов основан на том, что теплоёмкость кристаллической решётки в соответствии с формулой Дебая пропорциональна четвёртой степени температуры. Спектр электронных состояний диэлектриков, полупроводников и сверхпроводников характеризуется наличием энергетической щели. При достаточно низких температурах Т, когда энергия тепловых флуктуаций къТ <С Д (где къ — постоянная Больцмана, А — ширина щели в спектре энергии электронных состояний), электронная теплоёмкость кристалла не возбуждается. Для диэлектриков это состояние достигается при температурах порядка сотен милликельвин (1 мК = 10 К), для полупроводников — десятков и для сверхпроводников — единиц милликельвин. Оставшаяся решёточная , фононная или дебаевская теплоёмкость идеального кристалла при сверхнизких температурах оказывается настолько малой, что кинетическая энергия ядра отдачи при единичном акте рассеяния частицы вызывает всплеск температуры всего макроскопического кристалла мишени, который превышает уровень термодинамических флуктуаций. Этот всплеск температуры регистрируется термометром и служит выходным сигналом детектора. Физические принципы и перспективы применения криогенных детекторов этого типа изложены в обзоре [69]. [c.42]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология